[發明專利]高壓可調多層電容器

在審

• 申請號: 202310363044.X
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN116313521A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: C·W·尼斯;A·P·里特;R·C·范奧斯汀
• 申請（專利權）人: 京瓷AVX元器件公司
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12;H01G7/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王冉

提供了一種可調多層電容器。該電容器包括與第一有源端子電接觸的第一有源電極和與第二有源端子電接觸的第二有源電極。該電容器包括與第一DC偏置端子電接觸的第一DC偏置電極和與第二DC偏置端子電接觸的第二DC偏置電極。多個介電層設置在第一和第二有源電極之間以及在第一和第二偏置電極之間。至少一部分介電層包含可調介電材料，在將所施加的DC電壓施加在第一和第二DC偏置電極兩端時，該可調介電材料表現出可變介電常數。多個介電層中的至少一個的厚度大于約15微米。

本申請是2018年9月7日提交的PCT申請PCT/US2018/049900進入中國國家階段的發明專利申請(申請號：201880058397.6、發明名稱：高壓可調多層電容器、申請人：京瓷AVX元器件公司)的分案申請。

技術領域

本申請涉及一種電容器，并尤其涉及高壓應用下的可調多層電容器。

背景技術

已經在依賴于電介質的可變介電特性的各種應用中提出了可調電容器。對于此類電容器，零偏置下的電容通常接近其最大值，并且電容會隨著施加的電壓而下降。電容的變化使這些單元可用于在濾波器、匹配網絡、諧振電路以及從音頻到RF和微波頻率的其他應用中創建可調電路。盡管它們具有優點，但是部分地由于在高功率和電壓水平下獲得的相對較低的電容值，這種電容器的使用已受到相對限制。因此，當前需要一種具有可用于更廣泛的可能應用中的改進性能的電壓可調電容器。

發明內容

根據本公開的一實施例，公開了一種可調多層電容器，其包括與第一有源端子電接觸的第一有源電極和與第二有源端子電接觸的第二有源電極。該電容器還包括與第一DC偏置端子電接觸的第一DC偏置電極和與第二DC偏置端子電接觸的第二DC偏置電極。該電容器還包括多個介電層，其設置在第一和第二有源電極之間以及在第一和第二偏置電極之間。至少一部分介電層包含可調介電材料，在將所施加的DC電壓施加在第一和第二DC偏置電極兩端時，該可調介電材料表現出可變介電常數。多個介電層中的至少一個的厚度大于約15微米。

根據本公開的另一實施例，公開了一種可調多層電容器，其包括與第一有源端子電接觸的第一有源電極和與第二有源端子電接觸的第二有源電極。該電容器還包括與第一DC偏置端子電接觸的第一DC偏置電極和與第二DC偏置端子電接觸的第二DC偏置電極。該電容器還包括多個介電層，其設置在第一和第二有源電極之間以及在第一和第二偏置電極之間。至少一部分介電層包含可調介電材料，在將所施加的DC電壓施加在第一和第二DC偏置電極兩端時，該可調介電材料表現出可變介電常數。所施加的DC電壓大于約100V，但不超過可調介電材料的擊穿電壓的約50％。

本發明的其他特征和各方面在下面更詳細地闡述。

附圖說明

在本說明書的其余部分中更具體地闡述了針對本領域普通技術人員的包括本發明的最佳模式的本發明的完整可行的公開，其中參考以下附圖：

圖1圖示了在歸一化的偏置電壓變化的范圍內利用當前公開的主題可獲得的電容變化；

圖2A、2B和2C分別示出了根據當前公開的主題的四端子偏置的多層電容器的示例性實施例的截面圖、分解平面圖和分解透視圖；

圖2D示出了根據當前圖2A至2C的示例性實施例的組裝裝置的總體側視圖、俯視圖和端部透視圖；

圖2E和2F分別示出了當前圖2A至2D的示例性實施例的并聯配置和串聯配置代表圖；

圖3A、3B和3C分別示出了根據當前公開的主題的四端子可調級聯構造多層電容器的示例性實施例的截面圖、分解平面圖和分解透視圖；

圖3D和3E分別示出了當前圖3A至3C的示例性實施例的并聯配置和串聯配置代表圖；

圖4A和4B分別示出了根據當前公開的主題的四端子可調部分偏置構造多層電容器的示例性實施例的截面圖和分解平面圖；