[發(fā)明專利]高壓可調(diào)多層電容器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310363044.X | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN116313521A | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | C·W·尼斯;A·P·里特;R·C·范奧斯汀 | 申請(專利權(quán))人: | 京瓷AVX元器件公司 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12;H01G7/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王冉 |
| 地址: | 美國南卡*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高壓 可調(diào) 多層 電容器 | ||
1.一種可調(diào)多層電容器,包括:
與第一有源端子電接觸的第一有源電極;
與第二有源端子電接觸的第二有源電極;
與第一DC偏置端子電接觸的第一DC偏置電極;
與第二DC偏置端子電接觸的第二DC偏置電極;以及
多個介電層,其設(shè)置在第一和第二有源電極之間以及在第一和第二偏置電極之間,其中,至少一部分介電層包含可調(diào)介電材料,在將所施加的DC電壓施加在第一和第二DC偏置電極兩端時,該可調(diào)介電材料表現(xiàn)出可變介電常數(shù),并且所述多個介電層中的每一個的厚度為約15微米或更大。
其中,所述介電材料的電壓可調(diào)系數(shù)為約10%至約95%,其中,所述電壓可調(diào)系數(shù)根據(jù)以下一般公式確定:
T=100x(ε0-εV)/ε0
其中,
T是電壓可調(diào)系數(shù);
ε0是沒有所施加的電壓時材料的靜態(tài)介電常數(shù);以及
εV是在施加所施加的電壓(DC)后材料的可變介電常數(shù),且
第一和第二有源電極的總數(shù)量在約10到約100的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述多個介電層的厚度在從約15微米到約150微米的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所施加的DC偏置電壓從約100V到約1000V。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述可調(diào)多層電容器具有從約7mm到約14mm的長度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述可調(diào)多層電容器具有從約7mm到約14mm的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述可調(diào)多層電容器具有從約2mm到約5mm的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述可調(diào)多層電容器的長度除可調(diào)多層電容器的高度的比率從大約3到大約5。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述介電材料的靜態(tài)介電常數(shù)為如在25℃的操作溫度和1kHz的頻率下根據(jù)ASTM?D2149-13確定的約100至約10000。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述介電材料包括一個或多個鐵電基相。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述介電材料是鈣鈦礦、鎢青銅材料、層狀結(jié)構(gòu)材料或其組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述第一和第二有源端子以及所述第一和第二偏置端子關(guān)于可調(diào)多層電容器對稱地設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述第一有源電極和第二有源電極之間的距離與所述第一偏置電極和第二偏置電極之間的距離大致相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述第一有源電極和第二有源電極之間的距離大于所述第一偏置電極和第二偏置電極之間的距離。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述可調(diào)多層電容器能夠被調(diào)諧到范圍為約200000pF至約5000000pF的電容值。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述電容器能夠被調(diào)諧到約200000pF或更小的電容值。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)多層電容器,其中,所述第一偏置電極包括延伸到所述第一DC偏置端子的接線片,且所述第二偏置電極包括延伸到所述第二DC偏置端子的接線片。
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