[發(fā)明專利]一種高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310357101.3 | 申請(qǐng)日: | 2023-04-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116354716A | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鐘小亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南京金鯉新材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B35/48 | 分類號(hào): | C04B35/48;C04B35/622 |
| 代理公司: | 南京中律知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 祝坤 |
| 地址: | 210000 江蘇省南*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 燒結(jié) 活性 表面積 氧化鋯 制備 工藝 | ||
1.一種高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述制備工藝是通過采用共沉淀和低溫水解法的方法,該方法包括如下的步驟:
(1)用純化水配置氧氯化鋯溶液,然后加入氧化釔溶解,溶解溫度50-66度,得到鋯釔混合溶液;
(2)將鋯釔混合溶液加入聚丙烯酸溶液進(jìn)行攪拌、分散、靜置一段時(shí)間;
(3)向(2)獲得的混合漿料中滴加KOH溶液,共沉淀后持續(xù)攪拌,調(diào)pH;
(4)將上述(3)的沉淀漿料用純化水清洗,調(diào)pH值和電導(dǎo)率值;
(5)將上述清洗好的(4)獲得漿料轉(zhuǎn)移至水解反應(yīng)釜進(jìn)行水解;并用KOH溶液調(diào)pH和電導(dǎo)率值;
(6)水解好的漿料依次經(jīng)膜過濾機(jī)清洗、壓濾、烘干、煅燒,得到氧化鋯顆粒料;
(7)將上述步驟(6)中的顆粒料與草酸釔,共同研磨、過篩后得到復(fù)合粉體,再進(jìn)行高溫煅燒:
(8)將步驟(7)得到的高溫復(fù)合粉體經(jīng)球磨、砂磨、噴霧造粒得到氧化鋯造粒粉:
(9)將步驟(8)中得到的氧化鋯造粒粉用壓片機(jī)壓片,再經(jīng)高溫爐燒結(jié),保溫一段時(shí)間后獲得成品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述步驟(1)中的氧氯化鋯濃度為6wt%-15wt%,氧化釔的添加量占氧化鋯的5wt%-7wt%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述步驟(2)中聚丙烯酸溶液質(zhì)量濃度為5%-10%,靜置時(shí)間8-12h。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述步驟(3)中KOH的質(zhì)量濃度為5%-15%,攪拌后使得pH=5-6。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述步驟(4)清洗后的pH=5-5.5,電導(dǎo)率為130-150us/cm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述步驟(5)中水解溫度為90-105度,水解時(shí)間為30-40h,保持微沸狀態(tài);采用KOH溶液調(diào)節(jié)pH=9.2-9.7。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述步驟(6)中,獲得的水解好的漿料清洗后電導(dǎo)率小于150,烘干溫度為200-220度,煅燒溫度500-600度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述步驟(7)中添加的草酸釔的釔含量占氧化鋯粉的質(zhì)量占比為0.5%-1%,過篩的篩網(wǎng)為80-150,高溫煅燒溫度為1100-1130度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述步驟(8)中球磨漿料的固體含量為50%-60%,砂磨的固體含量為30%-40%,造粒溫度為240-280度,造粒粉中水含量0.4%-1%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述高燒結(jié)活性和低比表面積氧化鋯粉體的制備工藝,其特征在于:所述步驟(9)中,燒結(jié)時(shí)升降溫度曲線及保溫時(shí)間的具體方法為:升溫在25℃-400℃時(shí),保溫200min;升溫在400℃-1000℃時(shí),保溫300min;升溫在1000℃-1300℃時(shí),保溫100min;升溫在1300℃-1450℃時(shí),保溫120min;在1450℃時(shí),保溫200min;降溫在1450℃-800℃時(shí),保溫120min;繼續(xù)降溫至室溫。。
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