[發(fā)明專利]一種接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)和接觸孔測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310345608.7
• 申請(qǐng)日: 2023-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN116314140A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾繁中;宋永梁;劉倩倩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海積塔半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京清大紫荊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11718
• 代理人: 黃貞君;趙然

本發(fā)明的一種接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)和接觸孔測(cè)試方法，接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于半導(dǎo)體襯底上的有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)、多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)、第一漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)以及第二漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)。其中，有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干串聯(lián)的第一鏈條，多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干串聯(lián)的第二鏈條，有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)和多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)的延伸方向相同；第一漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干第三鏈條，每一第三鏈條對(duì)應(yīng)插入兩相鄰的第一鏈條之間；第二漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)通過二極管結(jié)構(gòu)與有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)連接，第二漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干第四鏈條，每一第四鏈條對(duì)應(yīng)插入兩相鄰的第二鏈條之間。本發(fā)明節(jié)約了版圖面積，減少了漏電測(cè)試時(shí)間，提高了測(cè)試效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測(cè)試裝置技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)和接觸孔測(cè)試方法。

背景技術(shù)

在晶圓研發(fā)過程中，通常需要電性測(cè)試來表征晶圓元器件單元的特性，評(píng)估半導(dǎo)體器件的性能，判斷晶圓產(chǎn)品是否符合該工藝技術(shù)平臺(tái)的電性規(guī)格要求。

CT(接觸孔)結(jié)構(gòu)是前段器件(前段工藝)和后端金屬(后端工藝)互連線的第一道重要連接，其電阻是一項(xiàng)非常重要的電性參數(shù)，能夠反應(yīng)出前段器件和后端金屬互連線間的連接情況。此外，在CT_AA(有源區(qū))/CT_Poly(多晶硅)間也有可能存在漏電情況，這對(duì)CT電阻也會(huì)產(chǎn)生影響導(dǎo)致電阻不穩(wěn)定，直接影響器件功能使用。如圖1～2所示，目前使用的CT電阻量測(cè)結(jié)構(gòu)分別是有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)及多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)兩種鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)，其缺點(diǎn)如下：

1.占用版圖面積大

2.測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)，影響測(cè)試效率。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)和接觸孔測(cè)試方法，以至少解決現(xiàn)有的有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)及多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)兩種鏈?zhǔn)浇Y(jié)構(gòu)存在的缺點(diǎn)。

本發(fā)明實(shí)施例提供以下技術(shù)方案：

本發(fā)明實(shí)施例的一種接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于半導(dǎo)體襯底上的有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)和多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干串聯(lián)的第一鏈條，所述多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干串聯(lián)的第二鏈條，其特征在于，所述有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)的延伸方向相同，所述接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括：

第一漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述第一漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底上，并包括若干第三鏈條，每一所述第三鏈條對(duì)應(yīng)插入兩相鄰的所述第一鏈條之間，所述第一漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)用于測(cè)試所述有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)內(nèi)相鄰的兩有源區(qū)之間是否漏電；

第二漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述第二漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)，并通過二極管結(jié)構(gòu)與所述有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)連接，所述第二漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干第四鏈條，每一所述第四鏈條對(duì)應(yīng)插入兩相鄰的所述第二鏈條之間，所述第二漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)用于配合所述有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)測(cè)試所述多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)內(nèi)相鄰的兩多晶硅之間以及所述有源區(qū)與相鄰的所述多晶硅之間是否漏電。

進(jìn)一步地，所述有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)、所述多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)、所述第一漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)、所述第二漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)、所述有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)和所述多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)之間的距離、所述有源區(qū)接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)與所述第一漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)之間的距離、所述多晶硅接觸孔測(cè)試結(jié)構(gòu)與所述第二漏電測(cè)試結(jié)構(gòu)之間的距離中的至少一項(xiàng)遵循最小設(shè)計(jì)規(guī)則。

進(jìn)一步地，所述第一鏈條和所述第三鏈條結(jié)構(gòu)相同，且均包括若干陣列設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底上的有源區(qū)，每一所述有源區(qū)的兩端均設(shè)有一有源區(qū)接觸孔，且每相鄰的兩個(gè)所述有源區(qū)接觸孔之間通過有源區(qū)金屬布線連接。

進(jìn)一步地，所述第一鏈條內(nèi)的所述有源區(qū)與所述第三鏈條內(nèi)的所述有源區(qū)交替設(shè)置。

進(jìn)一步地，所述第二鏈條和所述第四鏈條的結(jié)構(gòu)相同，且均包括若干陣列設(shè)置于所述半導(dǎo)體襯底上的多晶硅層，每一所述多晶硅層的兩端均設(shè)有多晶硅接觸孔，且每相鄰的兩個(gè)多晶硅接觸孔之間通過多晶硅層金屬布線連接。