[發明專利]一種接觸孔測試結構和接觸孔測試方法

在審

• 申請號: 202310345608.7
• 申請日: 2023-03-31
• 公開（公告）號: CN116314140A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 曾繁中;宋永梁;劉倩倩
• 申請（專利權）人: 上海積塔半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京清大紫荊知識產權代理有限公司 11718
• 代理人: 黃貞君;趙然

1.一種接觸孔測試結構，包括設置于半導體襯底上的有源區接觸孔測試結構和多晶硅接觸孔測試結構，所述有源區接觸孔測試結構包括若干串聯的第一鏈條，所述多晶硅接觸孔測試結構包括若干串聯的第二鏈條，其特征在于，所述有源區接觸孔測試結構和所述多晶硅接觸孔測試結構的延伸方向相同，所述接觸孔測試結構還包括：

第一漏電測試結構，所述第一漏電測試結構設置于所述半導體襯底上，并包括若干第三鏈條，每一所述第三鏈條對應插入兩相鄰的所述第一鏈條之間，所述第一漏電測試結構用于測試所述有源區接觸孔測試結構內相鄰的兩有源區之間是否漏電；

第二漏電測試結構，所述第二漏電測試結構設置于所述半導體襯底內，并通過二極管結構與所述有源區接觸孔測試結構連接，所述第二漏電測試結構包括若干第四鏈條，每一所述第四鏈條對應插入兩相鄰的所述第二鏈條之間，所述第二漏電測試結構用于配合所述有源區接觸孔測試結構測試所述多晶硅接觸孔測試結構內相鄰的兩多晶硅之間以及所述有源區與相鄰的所述多晶硅之間是否漏電。

2.根據權利要求1所述的接觸孔測試結構，其特征在于，所述有源區接觸孔測試結構、所述多晶硅接觸孔測試結構、所述第一漏電測試結構、所述第二漏電測試結構、所述有源區接觸孔測試結構和所述多晶硅接觸孔測試結構之間的距離、所述有源區接觸孔測試結構與所述第一漏電測試結構之間的距離、所述多晶硅接觸孔測試結構與所述第二漏電測試結構之間的距離中的至少一項遵循最小設計規則。

3.根據權利要求1所述的接觸孔測試結構，其特征在于，所述第一鏈條和所述第三鏈條結構相同，且均包括若干陣列設置于所述半導體襯底上的有源區，每一所述有源區的兩端均設有一有源區接觸孔，且每相鄰的兩個所述有源區接觸孔之間通過有源區金屬布線連接。

4.根據權利要求3所述的接觸孔測試結構，其特征在于，所述第一鏈條內的所述有源區與所述第三鏈條內的所述有源區交替設置。

5.根據權利要求1所述的接觸孔測試結構，其特征在于，所述第二鏈條和所述第四鏈條的結構相同，且均包括若干陣列設置于所述半導體襯底上的多晶硅層，每一所述多晶硅層的兩端均設有多晶硅接觸孔，且每相鄰的兩個所述多晶硅接觸孔之間通過多晶硅層金屬布線連接。

6.一種接觸孔測試方法，其特征在于，應用于權利要求1～5任一所述的接觸孔測試結構，包括：

對所述有源區接觸孔測試結構的第二端施加電壓，并將所述多晶硅接觸孔測試結構的第二端和第一漏電檢測結構的金屬布線端接零，其中，所述第一漏電檢測結構的金屬布線端與所述第一漏電檢測結構的若干第三鏈條并聯；

在所述接觸孔測試結構的通路中有第一電流的情況下，判斷相鄰的兩有源區之間、所述有源區與相鄰的多晶硅之間以及相鄰的兩所述多晶硅之間中的至少一處漏電。

7.根據權利要求6所述的接觸孔測試方法，其特征在于，在判斷相鄰的兩有源區之間、所述有源區與相鄰的多晶硅之間以及相鄰的兩所述多晶硅之間中的至少一處漏電之后，還包括：

在所述第一漏電檢測結構的金屬布線端施加電壓，并將所述有源區接觸孔測試結構的第二端接零，若所述通路中有第二電流，則相鄰的兩所述有源區之間漏電。

8.根據權利要求7所述的接觸孔測試方法，其特征在于，在判斷相鄰的兩有源區之間、所述有源區與相鄰的多晶硅之間以及相鄰的兩所述多晶硅之間中的至少一處漏電之后，還包括：

在所述多晶硅接觸孔測試結構的第二端施加電壓，并將所述有源區接觸孔測試結構的第二端接零，若所述通路中有第三電流，則所述有源區與相鄰的所述多晶硅之間發生漏電。

9.根據權利要求8所述的接觸孔測試方法，其特征在于，在所述第一電流大于所述第二電流和所述第三電流之和的情況下，則判斷兩相鄰的所述多晶硅之間發生漏電。

10.根據權利要求6所述的接觸孔測試方法，其特征在于，在所述接觸孔測試結構的通路中沒有第一電流時，還包括：

在所述有源區接觸孔測試結構的第一端和所述多晶硅接觸孔測試結構的第一端施加電流信號，并將所述有源區接觸孔測試結構的第二端與所述多晶硅接觸孔測試結構的第二端接零，以量測所述有源區接觸孔和所述多晶硅接觸孔的電阻。