[發明專利]蒸發裝置、真空蒸鍍設備以及真空蒸鍍方法

在審

• 申請號: 202310331631.0
• 申請日: 2023-03-30
• 公開（公告）號: CN116288172A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 孫欣森;李永強;侯建洋;李東亮;王超;汪振南;祁嶺;張建;何全友;王秀東
• 申請（專利權）人: 安邁特科技（北京）有限公司
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26
• 代理公司: 北京睿馳通程知識產權代理事務所(普通合伙) 11604
• 代理人: 方丁一

本公開提供一種蒸發裝置、真空蒸鍍設備以及真空蒸鍍方法，所述蒸發裝置用于真空蒸鍍金屬，所述蒸發裝置包括：電阻蒸發源，具有容置凹槽，所述電阻蒸發源配置為加電后產生熱量；以及導熱蒸發坩堝，可拆卸地容置在所述容置凹槽中，所述導熱蒸發坩堝配置為容置待蒸鍍金屬以及傳導所述熱量使得所述待蒸鍍金屬均勻蒸發。本公開提供的蒸發裝置金屬液處于間接加熱方式蒸發，蒸發過程中基本處于絕緣或近似絕緣的狀態，從而可以避免因電流波動對熔池造成的影響，能減少蒸發鍍膜過程中的飛濺，保證鍍膜質量。

技術領域

本公開涉及蒸鍍工藝技術領域，具體而言，涉及一種蒸發裝置、真空蒸鍍設備以及真空蒸鍍方法。

背景技術

電阻加熱式蒸發源裝置因結構簡單可靠、蒸發效率高、加熱均勻等優點被廣泛應用于真空蒸發鍍膜設備中。目前大多數電阻加熱式蒸發源裝置使用蒸發舟作為蒸發金屬的載體，通過對蒸發舟兩端直接施加大電流使蒸發舟發熱，當蒸發舟到達一定溫度時可以融化鋪展在蒸發舟舟槽內的金屬絲，在蒸發舟表面形成液態金屬熔池，液態的金屬蒸發并最終沉積到薄膜表面，完成鍍膜。

然而，現有的蒸發舟在蒸發鍍膜過程中常出現金屬蒸發液的液面分布不均勻、不規則的現象，造成金屬蒸發液的飛濺，進而影響成膜速率、成膜質量等。

發明內容

本公開的目的在于提供一種蒸發裝置、真空蒸鍍設備以及真空蒸鍍方法，能夠解決目前蒸發過程中蒸發液的不均勻、不穩定等技術問題。

本公開實施例提供一種蒸發裝置，用于真空蒸鍍金屬，所述蒸發裝置包括：

電阻蒸發源，具有容置凹槽，所述電阻蒸發源配置為加電后產生熱量；以及

導熱蒸發坩堝，可拆卸地容置在所述容置凹槽中，所述導熱蒸發坩堝配置為容置待蒸鍍金屬以及傳導所述熱量使得所述待蒸鍍金屬均勻蒸發。

在一些實施例中，所述電阻蒸發源的材質包括導體材料或半導體材料。

在一些實施例中，所述電阻蒸發源的材質包括：

氮化硼，二硼化鈦，氮化鋁，氧化鋁，氧化鋯，碳化硅，氮化硅中的至少兩種構成的組合物；或者

金屬和石墨中的至少一種。

在一些實施例中，所述電阻蒸發源的電阻率范圍為2×10-6Ωm～5×10-5Ωm。

在一些實施例中，所述導熱蒸發坩堝的材質包括絕緣材料或半導體材料。

在一些實施例中，所述導熱蒸發坩堝的材質包括：

氮化硼，氧化鋁，氮化鋁，氧化鈹，氧化鎂，碳化硅，氮化硅中的至少一種；或者

氮化硼，二硼化鈦，氮化鋁，氧化鋁，氧化鋯，碳化硅，氮化硅中的至少兩種構成的組合物。

在一些實施例中，所述導熱蒸發坩堝的電阻率大于5×10-5Ωm。

在一些實施例中，當所述導熱蒸發坩堝容置在所述容置凹槽中時，所述導熱蒸發坩堝外側壁與所述容置凹槽內側壁形成間隙，所述間隙的厚度為0.1mm～0.2mm。

在一些實施例中，所述蒸發裝置還包括：導熱材料，填充在所述間隙中。

在一些實施例中，所述電阻蒸發源包括第一表面，所述容置凹槽形成在所述第一表面上，

所述導熱蒸發坩堝包括裙邊，當所述導熱蒸發坩堝容置在所述容置凹槽中時，所述裙邊在所述第一表面上的正投影遮蔽所述第一表面的至少一部分。

在一些實施例中，所述電阻蒸發源包括相對于第一端部和第二端部，所述第一端部和第二端部分別配置為接入電源的正負極，

所述導熱蒸發坩堝還包括擋板，自所述裙邊靠近所述第一端部和/或第二端部的邊緣遠離所述第一表面延伸。