[發明專利]蒸發裝置、真空蒸鍍設備以及真空蒸鍍方法

在審

• 申請號: 202310331631.0
• 申請日: 2023-03-30
• 公開（公告）號: CN116288172A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 孫欣森;李永強;侯建洋;李東亮;王超;汪振南;祁嶺;張建;何全友;王秀東
• 申請（專利權）人: 安邁特科技（北京）有限公司
• 主分類號: C23C14/26
• 分類號: C23C14/26
• 代理公司: 北京睿馳通程知識產權代理事務所(普通合伙) 11604
• 代理人: 方丁一

1.一種蒸發裝置，用于真空蒸鍍金屬，其特征在于，所述蒸發裝置包括：

電阻蒸發源，具有容置凹槽，所述電阻蒸發源配置為加電后產生熱量；以及

導熱蒸發坩堝，可拆卸地容置在所述容置凹槽中，所述導熱蒸發坩堝配置為容置待蒸鍍金屬以及傳導所述熱量使得所述待蒸鍍金屬均勻蒸發。

2.根據權利要求1所述的蒸發裝置，其中，所述電阻蒸發源的材質包括導體材料或半導體材料。

3.根據權利要求2所述的蒸發裝置，其中，所述電阻蒸發源的材質包括：

氮化硼，二硼化鈦，氮化鋁，氧化鋁，氧化鋯，碳化硅，氮化硅中的至少兩種構成的組合物；或者

金屬和石墨中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的蒸發裝置，其中，所述電阻蒸發源的電阻率范圍為2×10^-6Ωm～5×10^-5Ωm；

和/或，所述導熱蒸發坩堝的電阻率大于5×10^-5Ωm。

5.根據權利要求1所述的蒸發裝置，其中，所述導熱蒸發坩堝的材質包括絕緣材料或半導體材料。

6.根據權利要求5所述的蒸發裝置，其中，所述導熱蒸發坩堝的材質包括：

氮化硼，氧化鋁，氮化鋁，氧化鈹，氧化鎂，碳化硅，氮化硅中的至少一種；或者

氮化硼，二硼化鈦，氮化鋁，氧化鋁，氧化鋯，碳化硅，氮化硅中的至少兩種構成的組合物。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的蒸發裝置，其中，當所述導熱蒸發坩堝容置在所述容置凹槽中時，所述導熱蒸發坩堝外側壁與所述容置凹槽內側壁形成間隙，所述間隙的厚度為0.1mm～0.2mm。

8.根據權利要求7所述的蒸發裝置，其中，所述蒸發裝置還包括：

導熱材料，填充在所述間隙中。

9.根據權利要求1至6中任一項所述的蒸發裝置，其中，所述電阻蒸發源包括第一表面，所述容置凹槽形成在所述第一表面上，

所述導熱蒸發坩堝包括裙邊，當所述導熱蒸發坩堝容置在所述容置凹槽中時，所述裙邊在所述第一表面上的正投影遮蔽所述第一表面的至少一部分。

10.根據權利要求9所述的蒸發裝置，其中，所述電阻蒸發源包括相對的第一端部和第二端部，所述第一端部和第二端部分別配置為接入電源的正負極，

所述導熱蒸發坩堝還包括擋板，自所述裙邊靠近所述第一端部和/或第二端部的邊緣遠離所述第一表面延伸。

11.根據權利要求1至6中任一項所述的蒸發裝置，其中，所述導熱蒸發坩堝的高度大于所述容置凹槽的深度。

12.根據權利要求1至6中任一項所述的蒸發裝置，其中，所述導熱蒸發坩堝的厚度為2～5mm。

13.真空蒸鍍設備，包括權利要求1至12中任一項所述的蒸發裝置。

14.一種真空蒸鍍方法，利用權利要求13所述的真空蒸鍍設備，其特征在于，所述真空蒸鍍方法包括：

將所述蒸發裝置安裝在真空蒸鍍設備中，并在所述導熱蒸發坩堝中放置預設量的待蒸鍍金屬；

將載體安裝至所述真空蒸鍍設備中，并將真空蒸鍍設備內部抽真空；

對所述電阻蒸發源輸入電壓使得所述電阻蒸發源產生熱量傳導至所述導熱蒸發坩堝；

按照預設送絲速度向所述導熱蒸發坩堝輸送待蒸鍍金屬絲以形成穩定熔池；以及

按照預設速度傳輸所述載體，使得所述待蒸鍍金屬均勻蒸鍍在所述載體上。