[發(fā)明專利]一種MOM電容及其制備方法、高頻集成電路、芯片在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310330834.8 | 申請(qǐng)日： | 2023-03-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN116469869A | 公開（公告）日： | 2023-07-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李菀婷;黃匯欽 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天狼芯半導(dǎo)體（成都）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/522 | 分類號(hào)： | H01L23/522;H01L23/64;H10N97/00 |
| 代理公司： | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人： | 林春梅 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 國(guó)省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mom 電容 及其 制備 方法 高頻 集成電路 芯片 | ||
1.一種MOM電容的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
在半導(dǎo)體襯底上形成第一金屬層，并對(duì)所述第一金屬層上第一刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，以形成深入至所述半導(dǎo)體襯底的第一刻蝕溝槽；
在所述第一金屬層上形成第一層間絕緣層；其中，所述第一層間絕緣層呈凸形結(jié)構(gòu)，所述第一層間絕緣層的凸起部與所述半導(dǎo)體襯底接觸，所述第一層間絕緣層包括氟碳雜質(zhì)共摻雜氧化硅和磷硼雜質(zhì)共摻雜氧化硅中的至少一項(xiàng)；
在所述第一層間絕緣層上形成第二金屬層，并在所述第二金屬層上的第二刻蝕區(qū)域進(jìn)行刻蝕，以在所述第二金屬層上形成深入至所述第一層間絕緣層的第二刻蝕溝槽；
在所述第二金屬層上形成第二層間絕緣層；其中，所述第二層間絕緣層呈凸形結(jié)構(gòu)，所述第二層間絕緣層的凸起部與所述第一層間絕緣層接觸，所述第二層間絕緣層包括氟碳雜質(zhì)共摻雜氧化硅和磷硼雜質(zhì)共摻雜氧化硅中的至少一項(xiàng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一金屬層上采用形成第一層間絕緣層包括：
在所述第一金屬層上采用薄膜淀積工藝沉積第一介質(zhì)材料以形成第一層間絕緣層；其中，所述第一介質(zhì)材料中包含第一比例摻雜濃度的氟雜質(zhì)和碳雜質(zhì)，或者包含第一比例摻雜濃度的磷雜質(zhì)和硼雜質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第二金屬層上形成第二層間絕緣層包括：
在所述第二金屬層上采用薄膜沉積工藝沉積第二介質(zhì)材料以形成第二層間絕緣層；其中，所述第二介質(zhì)材料中包含第二比例摻雜濃度的氟雜質(zhì)和碳雜質(zhì)，或者包含第二比例摻雜濃度注入磷雜質(zhì)和硼雜質(zhì)，所述第二比例摻雜濃度與所述第一比例摻雜濃度不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一比例摻雜濃度與所述第一金屬層與所述第二金屬層之間的距離呈反比例關(guān)系。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：
獲取所述MOM電容的電容參數(shù)，根據(jù)所述電容參數(shù)從調(diào)節(jié)所述第一比例摻雜濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：
獲取所述MOM電容的電容參數(shù)，根據(jù)所述電容參數(shù)從調(diào)節(jié)所述第一介質(zhì)材料的摻雜濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述第一刻蝕溝槽與所述第二刻蝕溝槽的位置相對(duì)。
8.一種MOM電容，其特征在于，所述MOM電容由權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制備。
9.一種高頻集成電路，其特征在于，所述高頻集成電路包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法制備的MOM電容。
10.一種芯片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)制備方法制備的MOM電容。
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