[發明專利]一種低噪聲高PSR的LDO電路在審
| 申請號: | 202310318702.3 | 申請日: | 2023-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN116466785A | 公開(公告)日: | 2023-07-21 |
| 發明(設計)人: | 羅萍;吳乾鋒;王浩;吳泉澳;辛相文;龔正 | 申請(專利權)人: | 電子科技大學 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 孫一峰 |
| 地址: | 611731 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 噪聲 psr ldo 電路 | ||
本發明屬于集成電路技術領域,具體涉及一種低噪聲高PSR的LDO電路,包括基準模塊和LDO主環路模塊。其中基準模塊產生精確的基準電流和偏置電壓,該基準電流經過片外RC濾波網絡之后產生LDO主環路所需要的Vsubgt;REF/subgt;基準電壓,基準模塊產生的偏置電壓為LDO主環路模塊提供電壓偏置。LDO主環路模塊的誤差放大器采用BJT型的軌對軌誤差放大器,誤差放大器輸出為Vsubgt;EA_OUT/subgt;,后接緩沖級;緩沖級輸出為Vsubgt;buf_OUT/subgt;,后接自適應PSR增強模塊。整體架構采取單位增益負反饋的形式,消除了傳統LDO結構電阻分壓網絡的噪聲,片外RC濾波網絡濾除了基準模塊的噪聲和高頻電源紋波。本發明在軌對軌誤差放大器輸入對管采用了耗盡疊層管技術,實現低壓差的同時顯著提升了系統中低頻段的電源紋波抑制性能。
技術領域
本發明屬于集成電路技術領域,具體涉及一種低噪聲高PSR的LDO電路。
背景技術
LDO作為電源管理芯片種類之一,在一定負載范圍內,可以將直流電壓轉換為另一固定直流電壓輸出。相對于開關變換器而言,LDO在隔離噪聲和紋波抑制方面比較突出,且具備低成本、易集成、控制簡單、外圍元件少及輸出電壓穩定的特點,往往用于給片內噪聲敏感的模擬或射頻模塊供電,因此需要消除較大的電壓紋波,此外LDO電路自身的器件噪聲也要盡可能低才能輸出一個干凈的電壓。
傳統LDO噪聲來源主要是基準,誤差放大器以及用來設置輸出電壓的電阻分壓網絡,而基準和誤差放大器也會影響PSR性能。特別是,對于寬負載范圍的LDO來說,需要添加自適應偏置用做頻率補償,但這會導致功率管柵極阻抗變化范圍過大,因此使用傳統前饋紋波消除的辦法去提升中高頻的PSR效果不佳。
發明內容
針對上述問題,本發明提出了一種低噪聲高PSR的LDO電路。其目的在于解決寬負載條件下LDO的PSR惡化問題以及實現電路整體的低噪聲。
本發明的技術方案為:
一種低噪聲高PSR的LDO電路,包括基準模塊和LDO主體電路模塊;
所述的基準模塊用于產生精確的基準電流,流經片外RC濾波網絡后輸出給LDO主環路模塊作為基準電壓VREF。輸入為電源VIN,輸出為流經RSET電阻產生的基準電壓VREF,第一偏置VB1,第二偏置VB2,PMOS共柵管偏置VBP,NMOS共柵管偏置VBN以及開關管偏置VSW;所述的基準模塊還產生偏置電壓,為LDO主環路模塊提供電壓偏置。
所述基準模塊包含基準電流偏置電壓產生模塊和RC濾波網絡。其中,所述基準電流偏置電壓產生模塊用于產生基準電流及偏置電壓VB1,VB2,VBP,VBN及VSW。所述RC濾波網絡由RSET電阻和CSET電容構成,RSET電阻確定輸出電壓VREF,CSET電容可以濾除高頻噪聲,并提高高頻電源抑制比。
所述的LDO主環路模塊用于輸出低噪聲高PSR的直流電壓VO。輸入為電源VIN、VREF、VB1、VB2、VBP、VBN及VSW,輸出為VO。其中,VREF連接到軌對軌誤差放大器模塊的反相端;VB1為軌對軌誤差放大器和自適應PSR增強提供偏置;VB2為緩沖級提供偏置;VBP、VBN為軌對軌誤差放大器提供偏置;VSW控制開關管M3。
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