[發(fā)明專(zhuān)利]一種低噪聲高PSR的LDO電路在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310318702.3 | 申請(qǐng)日: | 2023-03-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN116466785A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅萍;吳乾鋒;王浩;吳泉澳;辛相文;龔正 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G05F1/56 | 分類(lèi)號(hào): | G05F1/56 |
| 代理公司: | 成都點(diǎn)睛專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 孫一峰 |
| 地址: | 611731 四川省*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 噪聲 psr ldo 電路 | ||
1.一種低噪聲高PSR的LDO電路,其特征在于,包括基準(zhǔn)模塊和LDO主環(huán)路模塊;
所述的基準(zhǔn)模塊用于產(chǎn)生基準(zhǔn)電流和偏置電壓,所述基準(zhǔn)電流經(jīng)過(guò)RC濾波網(wǎng)絡(luò)后輸出給LDO主環(huán)路模塊作為基準(zhǔn)電壓VREF;所述偏置電壓包括第一偏置電壓VB1,第二偏置電壓VB2,PMOS共柵管偏置電壓VBP,NMOS共柵管偏置電壓VBN以及開(kāi)關(guān)管偏置電壓VSW;
所述LDO主環(huán)路模塊包含軌對(duì)軌誤差放大器、緩沖級(jí)、自適應(yīng)PSR增強(qiáng)電路和功率級(jí);所述軌對(duì)軌誤差放大器包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第七M(jìn)OS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第一耗盡型NMOS疊層管Mdep1、第二耗盡型NMOS疊層管Mdep2、第三耗盡型NMOS疊層管Mdep3、第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3、第四三極管Q4、第五三極管Q5、第六三極管Q6、第七三極管Q7、第八三極管Q、第九三極管Q9、第十三極管Q10、第十一三極管Q11、第十二三極管Q12、第十三三極管Q13、第十四三極管Q14、第十五三極管Q15、第十六三極管Q16、第十七三極管Q17、第十八三極管Q18;第一MOS管M1的源極接電源,其柵極接第一偏置電壓VB1,其漏極接第一耗盡型NMOS疊層管Mdep1的柵極和漏極;第二MOS管M2的源極接電源,其柵極接第一偏置電壓VB1,其漏極接第三三極管Q3的發(fā)射極、第四三極管Q4的發(fā)射極、第三MOS管M3的源極;第一耗盡型NMOS疊層管Mdep1的柵極接第二耗盡型NMOS疊層管Mdep2的柵極和第三耗盡型NMOS疊層管Mdep3的柵極,第一耗盡型NMOS疊層管Mdep1的源極接第一三極管Q1的基極和第三三極管Q3的基極;第二耗盡型NMOS疊層管Mdep2的漏極接第九三極管Q9的集電極和第六MOS管M6的源極,第二耗盡型NMOS疊層管Mdep2的源極接第一三極管Q1的集電極;第三耗盡型NMOS疊層管Mdep3的漏極接第十三極管Q10的集電極和第七M(jìn)OS管M7的源極,第三耗盡型NMOS疊層管Mdep3的源極接第二三極管Q2的集電極;第一三極管Q1的發(fā)射極接第五三極管Q5的集電極和第二三極管Q2的發(fā)射極;第三三極管Q3的集電極接第四MOS管M4的源極和第七三極管Q7的集電極;第四三極管Q4的基極接第二三極管Q2的基極和基準(zhǔn)電壓VREF;第四三極管Q4的集電極接第五MOS管M5的源極和第八三極管Q8的集電極;第三MOS管M3的柵極接開(kāi)關(guān)管偏置電壓VSW,第三MOS管M3的漏極接第五三極管的基極以及第六三極管Q6的集電極和基極,第五三極管Q5的發(fā)射極和第六三極管Q6的發(fā)射極接地;第九三極管Q9的發(fā)射極接電源,其基極接第十三極管Q10的基極和第十一三極管Q11的發(fā)射極;第十一三極管Q11的基極接第六MOS管M6的漏極、第十二三極管Q12的發(fā)射極和第十三三極管Q13的集電極,第十一三極管Q11的集電極接地;第六MOS管M6的柵極接第七M(jìn)OS管M7的柵極并接PMOS共柵管偏置電壓VBP;第十二三極管Q12的基極接第十八三極管Q18的基極和集電極、第九MOS管M9的漏極,第十二三極管Q12的集電極接第十三三極管Q13的發(fā)射極、第四MOS管M4的漏極、第七三極管Q7的基極和第八三極管Q8的基極;第十三三極管Q13的基極接第八MOS管M8的漏極、第十五三極管Q15的基極和集電極;第四MOS管M4的柵極接第五MOS管的柵極并接NMOS共柵管偏置電壓VBN;第七三極管Q7的發(fā)射極和第八三極管Q8的發(fā)射極接地;第八MOS管M8的源極接電源,其柵極接第一偏置電壓VB1;第十五三極管Q15的發(fā)射結(jié)接第十四三極管Q14的集電極和基極,第十四三極管Q14的發(fā)射極接地;第十六三極管Q16的發(fā)射極接電源,其集電極和基極接第十七三極管Q17的發(fā)射極;第十七三極管Q17的集電極和基極接第十八三極管Q18的發(fā)射極;第九MOS管M9的柵極接第二偏置電壓VB2,其源極接地;第七M(jìn)OS管M7的漏極和第五MOS管M5的漏極連接并作為軌對(duì)軌誤差放大器的輸出端;
所述緩沖級(jí)的輸入端接軌對(duì)軌誤差放大器的輸出端,緩沖級(jí)的輸出端接自適應(yīng)PSR增強(qiáng)電路的輸入端,緩沖級(jí)的偏置電壓為第二偏置電壓VB2;
所述自適應(yīng)PSR增強(qiáng)電路包括第十MOS管M10、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十五MOS管M15、第十九三極管Q19、第二十三極管Q20;第十MOS管M10的源極接電源,其柵極接第一偏置電壓VB1,其漏極接第十一MOS管M11的漏極和柵極、第十二MOS管M12的柵極、第十四MOS管M14的漏極;第十一MOS管M11的源極接地;第十四MOS管M14的源極接電源,其柵極接第十三MOS管M13的漏極、第十九三極管Q19的發(fā)射極、第十五MOS管M15的柵極和漏極、第二十三極管Q20的集電極;第十三MOS管M13的源極接電源,其柵極接第一偏置電壓VB1;第十九三極管Q19的基極接緩沖級(jí)的輸出端,其集電極接第二十三極管Q20的基極和第十二MOS管M12的漏極;第十二MOS管M12的源極和第二十三極管Q20的發(fā)射極接地;第十五MOS管M15的漏極為自適應(yīng)PSR增強(qiáng)電路的輸出端;
所述功率級(jí)由PMOS功率管、片外電容COUT、等效串聯(lián)電阻RESR、負(fù)載電阻RL和負(fù)載電容CL構(gòu)成,所述PMOS功率管的源極接電源,其柵極接自適應(yīng)PSR增強(qiáng)電路的輸出;PMOS功率管的漏極為L(zhǎng)DO電路的輸出端,接等效串聯(lián)電阻RESR的一端、負(fù)載電容CL的一端、第一耗盡型NMOS疊層管Mdep1的源極和第一三極管Q1的基極;等效串聯(lián)電阻RESR的另一端通過(guò)片外電容COUT后接地,負(fù)載電容CL的另一端接地。
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G05F 調(diào)節(jié)電變量或磁變量的系統(tǒng)
G05F1-00 從系統(tǒng)的輸出端檢測(cè)的一個(gè)電量對(duì)一個(gè)或多個(gè)預(yù)定值的偏差量并反饋到系統(tǒng)中的一個(gè)設(shè)備里以便使該檢測(cè)量恢復(fù)到它的一個(gè)或多個(gè)預(yù)定值的自動(dòng)調(diào)節(jié)系統(tǒng),即有回授作用的系統(tǒng)
G05F1-02 .調(diào)節(jié)電弧的電氣特性
G05F1-10 .調(diào)節(jié)電壓或電流
G05F1-66 .電功率的調(diào)節(jié)
G05F1-70 .調(diào)節(jié)功率因數(shù);調(diào)節(jié)無(wú)功電流或無(wú)功功率
G05F1-67 ..為了從一個(gè)發(fā)生器,例如太陽(yáng)能電池,取得最大功率的





