[發(fā)明專(zhuān)利]磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極的制備方法及其應(yīng)用

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310301013.1
• 申請(qǐng)日: 2023-03-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116397251A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 敏世雄;李雯靜;王芳;張正國(guó)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北方民族大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C25B11/031
• 分類(lèi)號(hào): C25B11/031;C25B11/075;C01B32/05;C25B1/04;B82Y30/00;C01B25/08
• 代理公司: 寧夏三源鑫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 64105
• 代理人: 孫彥虎

1.一種磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）將大豆和去離子化的超純水按預(yù)定比例混合后經(jīng)研磨、過(guò)濾，得到豆?jié){，將豆?jié){煮沸，冷卻至80-90℃時(shí)，加入Co鹽溶液后混合均勻，得到混合物；將混合物靜置，得到半固態(tài)凝膠狀產(chǎn)物，對(duì)其進(jìn)行模壓處理，得到Co豆腐；

（2）將Co豆腐冷凍干燥，得到氣凝膠狀產(chǎn)物，將氣凝膠狀產(chǎn)物先放置于馬弗爐在空氣中進(jìn)行低溫碳化，隨后轉(zhuǎn)置于管式爐在氬氣氣氛中進(jìn)行高溫碳化，得到黑色產(chǎn)物，對(duì)黑色產(chǎn)物進(jìn)行打磨、超聲清洗、真空干燥，得到磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極。

2.如權(quán)利要求1所述的磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中，大豆和去離子化的超純水的質(zhì)量比為1:9。

3.?如權(quán)利要求1所述的磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中，所述混合物中Co(NO₃)₂濃度為0.1?M。

4.?如權(quán)利要求1所述的磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中，所述混合物靜置時(shí)間為20-30?min。

5.?如權(quán)利要求1所述的磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中，所述模壓處理具體為：將半固態(tài)凝膠狀產(chǎn)物倒入模具中，壓制8-14?h，以除去多余水分。

6.?如權(quán)利要求1所述的磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中，所述冷凍干燥時(shí)間為24-36?h。

7.?如權(quán)利要求1所述的磷化鈷納米顆粒裝飾的多孔碳膜的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中，所述低溫碳化溫度為260-300?℃，時(shí)間為5-6?h，所述高溫碳化溫度為800-1000℃，時(shí)間為2-6h，兩次碳化的氣體流速均為40mL/min，升溫速率均為5℃/min。

8.如權(quán)利要求1所述的磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中，所述打磨采用2000目砂紙對(duì)黑色產(chǎn)物打磨，使其厚度達(dá)到400μm。

9.一種如權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的制備方法制得的磷化鈷納米顆粒修飾的多孔碳膜電極作為電催化分解水的雙功能電極的應(yīng)用。