[發明專利]半導體器件的制備方法有效
| 申請號： | 202310293480.4 | 申請日： | 2023-03-24 |
| 公開（公告）號： | CN116013962B | 公開（公告）日： | 2023-07-18 |
| 發明（設計）人： | 胡迎賓;郭廷晃;林智偉 | 申請（專利權）人： | 合肥晶合集成電路股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/08 | 分類號： | H01L29/08;H01L29/167;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制備 方法 | ||
1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
提供單晶襯底，所述單晶襯底上形成有柵極結構，所述柵極結構包括柵極多晶硅層、側墻及刻蝕停止層，所述柵極多晶硅層位于所述單晶襯底上，所述刻蝕停止層覆蓋所述柵極多晶硅層的頂面，所述側墻覆蓋所述柵極多晶硅層和所述刻蝕停止層的側面；
形成單晶膜層覆蓋所述單晶襯底的表面，以及形成多晶膜層覆蓋所述刻蝕停止層的頂面及所述側墻的側面，且采用化學氣相沉積工藝同步形成所述單晶膜層和所述多晶膜層；
形成氧化層覆蓋所述單晶膜層和所述多晶膜層，且覆蓋至所述柵極結構的上方；
執行研磨工藝研磨所述氧化層及所述刻蝕停止層的頂面的多晶膜層，以顯露出所述刻蝕停止層的頂面；
刻蝕去除所述側墻的側面的多晶膜層，保留所述單晶襯底的表面的單晶膜層，以及去除所述氧化層；以及，
執行熱退火工藝以將所述單晶膜層中的離子擴散至所述單晶襯底中形成輕摻雜區。
2.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述單晶襯底的材質包括鍺，所述單晶膜層和所述多晶膜層的材質均包括鍺、錫和硼。
3.如權利要求1或2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝的工藝氣體包括Ge2H6、SnCl4和B2H6。
4.如權利要求3所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝的工藝溫度為200℃~600℃。
5.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，采用TEOS工藝形成所述氧化層。
6.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述柵極結構還包括高K介電層，所述高K介電層位于所述柵極多晶硅層和所述單晶襯底之間。
7.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，采用干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝刻蝕去除所述側墻的側面的多晶膜層。
8.如權利要求7所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝的刻蝕氣體包括Cl2、CHCl3、N2和O2中的至少一種。
9.如權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在刻蝕去除所述側墻的側面的多晶膜層之后，再去除所述氧化層。
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