[發明專利]一種過溫保護電路及方法

在審

• 申請號: 202310269912.8
• 申請日: 2023-03-20
• 公開（公告）號: CN116339435A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 林興奎;蔡小五;高馬利;高悅欣;夏瑞瑞;張磊;李博
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳志海

本申請公開了一種過溫保護電路及方法，該過溫保護電路包括基準電流模塊、溫度檢測模塊、電流比較模塊；基準電流模塊的輸出端與電流比較模塊的輸入端連接；溫度檢測模塊的輸出端與電流比較模塊的另一輸入端連接，本申請利用電流比較模塊將接收到的正溫度系數電流以及基準電流進行比較，得到比較結果，并根據比較結果調整過溫保護電路的輸出電壓VOUT，不需要通過三極管的基極?發射極電壓進行溫度檢測，因此過溫保護電路不具有檢測溫度的固有缺點(即檢測精度會受到制造工藝偏差的影響)，提升了過溫保護電路的檢測精度。

技術領域

本申請涉及集成電路領域，尤其涉及一種過溫保護電路及方法。

背景技術

隨著微電子行業的快速發展，行業內對于集成電路可靠性的要求也越來高。而溫度往往是各項性能指標優劣的重要因素之一，為了確保集成電路的性能，則需要高性能的過溫保護電路，當芯片溫度升高到一定的數值時輸出信號關斷集成電路，使集成電路處于合適的溫度范圍內。

目前，過溫保護電路主要采用三極管的基極-發射極電壓進行溫度檢測，通過將三極管基極-發射極電壓與設定的參考基準電壓或正溫度系數電壓進行比較，進而產生過溫關斷信號，當溫度超過預設值時，過溫保護電路輸出信號狀態發生翻轉，由高電平變為低電平，從而實現保護的功能。由于采用三極管的基極-發射極電壓檢測溫度的方式的固有缺點為：檢測精度會受到制造工藝偏差的影響，導致過溫保護電路的檢測精度較低。

因此，如何提升過溫保護電路的檢測精度，成為本領域亟需解決的問題。

發明內容

本申請提供了一種過溫保護電路及方法，目的在于提升過溫保護電路的檢測精度。

為了實現上述目的，本申請提供了以下技術方案：

一種過溫保護電路，包括：基準電流模塊、溫度檢測模塊、電流比較模塊；

所述基準電流模塊的輸出端與所述電流比較模塊的輸入端連接；

所述溫度檢測模塊的輸出端與所述電流比較模塊的另一輸入端連接。

可選的，所述基準保護電路包括啟動電路、第一電路、第二電路；

所述啟動電路的輸出端與所述第一電路的輸入端連接；

所述第一電路的輸出端與所述第二電路的輸入端連接。

可選的，所述啟動電路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第六電阻；

所述第三PMOS管的漏極和所述第六電阻的一端與所述第四PMOS管的柵極相連；所述第三NMOS管的源極和所述第四NMOS管的源極接地；所述第六電阻的另一端與電源電壓端口連接。

可選的，所述第一電路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管；

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二NMOS管組成自偏置結構；

所述第五PMOS管和所述第七PMOS管構成共源共柵電流鏡；

所述第六PMOS管和所述第八PMOS管構成共源共柵電流鏡；

所述第九PMOS管和所述第十一PMOS管構成共源共柵電流鏡；

所述第十PMOS管和所述第十二PMOS管構成共源共柵電流鏡；

所述第十三PMOS管和所述第十四PMOS管構成共源共柵電流鏡；