[發(fā)明專利]一種過溫保護(hù)電路及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310269912.8 | 申請日： | 2023-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN116339435A | 公開（公告）日： | 2023-06-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林興奎;蔡小五;高馬利;高悅欣;夏瑞瑞;張磊;李博 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | G05F1/567 | 分類號： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 陳志海 |
| 地址： | 100029 北京市朝陽*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 保護(hù) 電路 方法 | ||
1.一種過溫保護(hù)電路，其特征在于，包括：基準(zhǔn)電流模塊、溫度檢測模塊、電流比較模塊；
所述基準(zhǔn)電流模塊的輸出端與所述電流比較模塊的輸入端連接；
所述溫度檢測模塊的輸出端與所述電流比較模塊的另一輸入端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過溫保護(hù)電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)保護(hù)電路包括啟動電路、第一電路、第二電路；
所述啟動電路的輸出端與所述第一電路的輸入端連接；
所述第一電路的輸出端與所述第二電路的輸入端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過溫保護(hù)電路，其特征在于，所述啟動電路包括第三PMOS管、第四PMOS管、第六電阻；
所述第三PMOS管的漏極和所述第六電阻的一端與所述第四PMOS管的柵極相連；所述第三NMOS管的源極和所述第四NMOS管的源極接地；所述第六電阻的另一端與電源電壓端口連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過溫保護(hù)電路，其特征在于，所述第一電路包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管；
所述第一PMOS管、所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第四PMOS管、所述第一NMOS管和所述第二NMOS管組成自偏置結(jié)構(gòu)；
所述第五PMOS管和所述第七PMOS管構(gòu)成共源共柵電流鏡；
所述第六PMOS管和所述第八PMOS管構(gòu)成共源共柵電流鏡；
所述第九PMOS管和所述第十一PMOS管構(gòu)成共源共柵電流鏡；
所述第十PMOS管和所述第十二PMOS管構(gòu)成共源共柵電流鏡；
所述第十三PMOS管和所述第十四PMOS管構(gòu)成共源共柵電流鏡；
所述第五PMOS管的源極、所述第六PMOS管的源極、所述第一PMOS管的源極、所述第二PMOS管的源極、所述第九PMOS管的源極、所述第十PMOS管的源極、所述第十三PMOS管的源極與電源電壓端口連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的過溫保護(hù)電路，其特征在于，所述第二電路包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第四三極管、第五三極管、第六三極管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻；
所述第一三極管的發(fā)射極與所述第四電阻的一端相連，所述第一三極管的基極和所述第二三極管的基極與第三三極管的發(fā)射極相連，所述第二三極管的發(fā)射極和所述第四電阻的另一端與第二電阻的一端相連；
所述第五三極管的發(fā)射極與所述第五電阻的一端相連，所述第五三極管的基極和所述第四三極管的基極與所述第六三極管的發(fā)射極相連，所述第四三極管的發(fā)射極與所述第一電阻的一端相連，所述第一電阻的另一端和所述第三電阻的一端與所述第五電阻的另一端相連；
所述第一三極管的集電極、第三三極管的集電極和基極、所述第二三極管的集電極、所述第二電阻的另一端、所述第三電阻的另一端、所述第四三極管的集電極、所述第六三極管的集電極和基極和所述第五三極管的集電極接地。
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