[發明專利]一種濺射靶材的清洗方法

在審

• 申請號: 202310255626.6
• 申請日: 2023-03-16
• 公開（公告）號: CN116219440A
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;王學澤;張萍萍
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23F4/00
• 分類號: C23F4/00;C23C14/34
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 徐浩

本發明涉及一種濺射靶材的清洗方法，所述清洗方法包括如下步驟：真空條件下，干式等離子清洗濺射靶材；所述干式等離子清洗所用清潔氣體包括包括氧氣與氬氣的混合氣體。本發明采用干式等離子清洗的方法不僅可以去除灰塵與油污，還能夠去除濺射靶材表面的氧化層，從而保證清洗后濺射靶材的潔凈度，避免了清洗劑帶來的二次污染，也避免了金屬雜質以及臟污的影響。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，涉及一種濺射靶材的處理方法，尤其涉及一種濺射靶材的清洗方法。

背景技術

近年來，半導體技術飛速發展，半導體裝置的小型化對形成于半導體芯片上的鍍膜尺寸與質量的要求也越來越高。濺射鍍膜為效果更好的鍍膜方法，其形成的鍍膜更為均勻，性能更為優良。

濺射工藝是以一定能量的粒子轟擊固體表面，使固體近表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面的工藝，通常利用氣體放電產生氣體電離，其正離子在電場作用下高速轟擊陰極靶材，陰極靶材表面的原子或分子獲得足夠大的能量逸出，飛向被鍍基體表面沉積成膜。在濺射沉積過程中，若靶材的表面附著有油污、灰塵、顆粒狀雜質等異物會產生電弧放電，導致鍍膜質量下降，因此，需要對靶材的表面進行充分清潔，保持足夠的清潔度。

CN101724818A公開了銅或銅合金濺射靶材的清洗方法，其具有至少兩個清洗階段，包括：第一清洗階段，使用第一清洗劑溶液對銅或銅合金濺射靶材進行至少一次清洗；第二清洗階段，使用第二清洗劑溶液對銅或銅合金濺射靶材進行至少一次清洗。所述第一清洗劑和第二清洗劑是不同的，分別獨立地為水、有機溶劑、以及多種溶劑的混合物中的任何一種。

CN111451190A公開了一種靶材的清洗方法，包括以下步驟：提供靶材；對所述靶材進行噴砂清洗。通過向所述靶材表面噴射清洗劑進行清洗，在清洗過程中，不會產生摩擦，解決了靶材在清洗過程中造成的表面擦傷的問題，提升了靶材的光潔度。其使用的清洗劑為揮發性液體，包括但不限于酒精或二甲苯溶液。

CN113773914A公開了一種靶材清洗劑及其清洗方法，所述的靶材清洗劑按照重量份包括以下組分：烷基磺酸鈉9-20重量份，脂肪醇醚硫酸鈉9-20重量份，巰基苯駢噻唑鈉1-5重量份，蛋白酶2-5重量份，十二烷基硫酸鈉2-7重量份。

上述現有技術采用清洗劑對靶材的表面進行清洗，清洗的力度較低，只能針對表面灰塵或者油污進行清洗；而且對于清洗劑的潔凈度要求較高，重復利用的難度較大。因此，需要提供一種清潔效果好，且無需使用清潔劑的濺射靶材的清洗方法。

發明內容

本發明的目的在于提供一種濺射靶材的清洗方法，所述清洗方法不僅可以去除灰塵油污等雜質，還能夠去除濺射靶材的表層氧化層，保證濺射靶材的表面潔凈度，具有避免清洗劑帶來二次污染的優勢。

為達到此發明目的，本發明采用以下技術方案：

本發明提供了一種濺射靶材的清洗方法，所述清洗方法包括如下步驟：

真空條件下，干式等離子清洗濺射靶材；

所述干式等離子清洗所用清潔氣體包括氧氣與氬氣的混合氣體。

本發明采用干式等離子清洗的工藝對濺射靶材進行處理，其利用等粒子轟擊濺射靶材表面的方式將濺射靶材表面的“污染物”分子打掉，無需進行干燥處理，有效提升了清潔效率，同時清潔效果較傳統濕式清洗更為突出。本發明所述清洗方法不僅可以去除灰塵油污等雜質，還能夠除去濺射靶材的表面氧化層，保證濺射靶材的潔凈度，具有避免使用清洗劑帶來的二次污染的優勢。

而且，本發明采用的清潔氣體包括氧氣與氬氣的混合氣體，并未使用含氟氣體，減少了干式等離子清洗過程的危險性。

本發明所述干式等離子清洗采用的裝置包括但不限于等離子體發生器。作為優選技術方案，本發明采用具有指向性的發射口，從而有效控制進行等離子體發生器清洗的區域，提高了干式等離子清洗的準確度，避免了能源浪費，提高了生產效率。