[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310246087.X
• 申請(qǐng)日: 2023-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116171041A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張眾
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10B12/00
• 分類(lèi)號(hào): H10B12/00
• 代理公司: 上海晨皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括：提供基底，基底包括沿第一方向交替間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域；在基底上方形成介質(zhì)層以及第一掩膜層；提供具有預(yù)設(shè)圖案的預(yù)設(shè)光罩；利用預(yù)設(shè)光罩進(jìn)行第一次圖形轉(zhuǎn)移，將預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至第一區(qū)域的第一掩膜層內(nèi)，其中，第一次圖形轉(zhuǎn)移步驟中，預(yù)設(shè)光罩具有第一位置；利用同一預(yù)設(shè)光罩進(jìn)行第二次圖形轉(zhuǎn)移，將預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至第二區(qū)域的第一掩膜層內(nèi)，其中，第二次圖形轉(zhuǎn)移步驟中，預(yù)設(shè)光罩具有第二位置，第二位置與第一位置不同；以第一掩膜層為掩膜，刻蝕介質(zhì)層，以形成接觸孔；形成填充滿(mǎn)接觸孔的位線(xiàn)接觸窗。至少可以提高位線(xiàn)接觸窗尺寸的準(zhǔn)確度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(dynamic?random?access?memory，dram)，是一種高速地、隨機(jī)地寫(xiě)入和讀取數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，被廣泛地應(yīng)用到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備或裝置中。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器包括多個(gè)重復(fù)的存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元通常包括電容器和晶體管，晶體管的柵極與字線(xiàn)(Word?line，WL)相連、漏極與位線(xiàn)(Bit?Line，BL)相連、源極與電容器相連。字線(xiàn)上的電壓信號(hào)能夠控制晶體管的打開(kāi)或關(guān)閉，進(jìn)而通過(guò)位線(xiàn)讀取存儲(chǔ)在電容器中的數(shù)據(jù)信息，或者通過(guò)位線(xiàn)將數(shù)據(jù)信息寫(xiě)入到電容器中進(jìn)行存儲(chǔ)。

在形成位線(xiàn)的過(guò)程中，需要制作出位線(xiàn)接觸窗使得位線(xiàn)與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的其他部件導(dǎo)通，然而，目前關(guān)于位線(xiàn)接觸窗的制造方法還具有一些問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，至少有利于解決半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中形成的位線(xiàn)接觸窗的尺寸不夠準(zhǔn)確的問(wèn)題。

根據(jù)本公開(kāi)一些實(shí)施例，本公開(kāi)實(shí)施例一方面提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：提供基底，所述基底包括多個(gè)相互分立的有源區(qū)和將相鄰所述有源區(qū)間隔開(kāi)的隔離區(qū)，所述基底還包括沿第一方向交替間隔設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域，且所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域均沿第二方向延伸；在所述基底上方形成依次堆疊的介質(zhì)層以及第一掩膜層；提供預(yù)設(shè)光罩，所述預(yù)設(shè)光罩預(yù)設(shè)圖案；利用所述預(yù)設(shè)光罩進(jìn)行第一次圖形轉(zhuǎn)移，將所述預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至所述第一區(qū)域的所述第一掩膜層內(nèi)，其中，所述第一次圖形轉(zhuǎn)移步驟中，所述預(yù)設(shè)光罩相較于所述基底具有第一位置；利用同一所述預(yù)設(shè)光罩進(jìn)行第二次圖形轉(zhuǎn)移，將所述預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至所述第二區(qū)域的所述第一掩膜層內(nèi)，其中，所述第二次圖形轉(zhuǎn)移步驟中，所述預(yù)設(shè)光罩相較于所述基底具有第二位置，所述第二位置與所述第一位置不同；以所述第一掩膜層為掩膜，刻蝕所述介質(zhì)層，以形成露出所述基底部分表面的接觸孔；形成填充滿(mǎn)所述接觸孔的位線(xiàn)接觸窗。

根據(jù)本公開(kāi)另一些實(shí)施例，所述在所述基底上方形成依次堆疊的介質(zhì)層以及第一掩膜層之后，在進(jìn)行所述第一次圖形轉(zhuǎn)移之前，還包括：在所述第一掩膜層上方形成第一光刻膠層。

根據(jù)本公開(kāi)另一些實(shí)施例，所述第一次圖形轉(zhuǎn)移以及所述第二次圖形轉(zhuǎn)移的步驟包括：利用所述預(yù)設(shè)光罩將所述預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至所述第一區(qū)域的所述第一光刻膠層內(nèi)，所述預(yù)設(shè)光罩相較于所述基底具有所述第一位置；利用同一所述預(yù)設(shè)光罩將所述預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至所述第二區(qū)域的所述第一光刻膠層內(nèi)，所述預(yù)設(shè)光罩相較于所述基底具有所述第二位置；利用所述第一光刻膠層將所述預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至所述第一掩膜層內(nèi)，完成所述第一次圖形轉(zhuǎn)移以及所述第二次圖形轉(zhuǎn)移。

根據(jù)本公開(kāi)另一些實(shí)施例，所述第一光刻膠層為正性光刻膠。

根據(jù)本公開(kāi)另一些實(shí)施例，所述第一次圖形轉(zhuǎn)移的步驟包括：利用所述預(yù)設(shè)光罩將所述預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至所述第一區(qū)域的所述第一光刻膠層內(nèi)，所述預(yù)設(shè)光罩相較于所述基底具有所述第一位置；利用所述第一光刻膠層將所述預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至所述第一掩膜層內(nèi)，完成所述第一次圖形轉(zhuǎn)移；去除所述第一光刻膠層。

根據(jù)本公開(kāi)另一些實(shí)施例，所述將所述預(yù)設(shè)圖案轉(zhuǎn)移至所述第一掩膜層內(nèi)的步驟包括：以具有所述預(yù)設(shè)圖案的所述第一光刻膠層為掩膜，刻蝕所述第一掩膜層，使得所述第一區(qū)域的所述第一掩膜層內(nèi)形成貫穿所述第一掩膜層的第一開(kāi)口。