[發明專利]半導體結構的制造方法

在審

• 申請號: 202310246087.X
• 申請日: 2023-03-09
• 公開（公告）號: CN116171041A
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 張眾
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括多個相互分立的有源區和將相鄰所述有源區間隔開的隔離區，所述基底還包括沿第一方向交替間隔設置的第一區域和第二區域，且所述第一區域和所述第二區域均沿第二方向延伸；

在所述基底上方形成依次堆疊的介質層以及第一掩膜層；

提供預設光罩，所述預設光罩具有預設圖案；

利用所述預設光罩進行第一次圖形轉移，將所述預設圖案轉移至所述第一區域的所述第一掩膜層內，其中，所述第一次圖形轉移步驟中，所述預設光罩相較于所述基底具有第一位置；

利用同一所述預設光罩進行第二次圖形轉移，將所述預設圖案轉移至所述第二區域的所述第一掩膜層內，其中，所述第二次圖形轉移步驟中，所述預設光罩相較于所述基底具有第二位置，所述第二位置與所述第一位置不同；

以所述第一掩膜層為掩膜，刻蝕所述介質層，以形成露出所述基底部分表面的接觸孔；

形成填充滿所述接觸孔的位線接觸窗。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基底上方形成依次堆疊的介質層以及第一掩膜層之后，在進行所述第一次圖形轉移之前，還包括：在所述第一掩膜層上方形成第一光刻膠層。

3.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一次圖形轉移以及所述第二次圖形轉移的步驟包括：

利用所述預設光罩將所述預設圖案轉移至所述第一區域的所述第一光刻膠層內，所述預設光罩相較于所述基底具有所述第一位置；

利用同一所述預設光罩將所述預設圖案轉移至所述第二區域的所述第一光刻膠層內，所述預設光罩相較于所述基底具有所述第二位置；

利用所述第一光刻膠層將所述預設圖案轉移至所述第一掩膜層內，完成所述第一次圖形轉移以及所述第二次圖形轉移。

4.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一光刻膠層為正性光刻膠。

5.如權利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一次圖形轉移的步驟包括：

利用所述預設光罩將所述預設圖案轉移至所述第一區域的所述第一光刻膠層內，所述預設光罩相較于所述基底具有所述第一位置；

利用所述第一光刻膠層將所述預設圖案轉移至所述第一掩膜層內，完成所述第一次圖形轉移；

去除所述第一光刻膠層。

6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述將所述預設圖案轉移至所述第一掩膜層內的步驟包括：

以具有所述預設圖案的所述第一光刻膠層為掩膜，刻蝕所述第一掩膜層，使得所述第一區域的所述第一掩膜層內形成貫穿所述第一掩膜層的第一開口。

7.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二次圖形轉移的步驟包括：

在所述第一掩膜層上形成第二光刻膠層；

利用所述預設光罩將所述預設圖案轉移至所述第二區域的所述第二光刻膠層內，所述預設光罩相較于所述基底具有所述第二位置；

利用所述第二光刻膠層將所述預設圖案轉移至所述第一掩膜層內，完成所述第二次圖形轉移；

去除所述第二光刻膠層。

8.如權利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述利用所述第二光刻膠層將所述預設圖案轉移至所述第一硬掩膜層內，包括：

以具有所述預設圖案的所述第二光刻膠層為掩膜刻蝕所述第一掩膜層，使得所述第二區域的所述第一掩膜層內形成貫穿所述第一掩膜層的所述第一開口。