[發明專利]閃存檢測方法、電子設備和存儲介質

在審

• 申請號: 202310242687.9
• 申請日: 2023-03-14
• 公開（公告）號: CN116434813A
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 張旭航;朱祖建;鄭天翼
• 申請（專利權）人: 瑞芯微電子股份有限公司
• 主分類號: G11C29/12
• 分類號: G11C29/12;G11C29/18;G06F18/24;G06F18/214
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 柯玉珊

本發明公開了閃存檢測方法、電子設備和存儲介質。該方法包括：獲取閾值電壓分布分類模型，所述閾值電壓分布分類模型包括基于閃存塊中的各個頁的讀取出錯數確定的有效閾值電壓分布和無效閾值電壓分布；針對待測閃存塊中的各個頁進行讀取以獲取所述各個頁的出錯數；基于所述出錯數獲取與所述待測閃存塊相對應的塊出錯數，以將所述塊出錯數與預定閾值進行比較；如果所述塊出錯數小于所述預定閾值，將所述待測閃存塊的閾值電壓分布輸入所述閾值電壓分布分類模型；以及如果基于所述閾值電壓分布分類模型確定所述閾值電壓分布有效，確定所述待測閃存塊的檢測通過。根據本發明，通過閾值電壓分類模型，實現對閃存塊中頁的閾值電壓分布形態的檢查。

技術領域

本發明涉及存儲器技術領域，特別涉及閃存檢測方法、電子設備和存儲介質。

背景技術

閃存(flash?memory)是一種半導體非易失存儲器，隨著Flash工藝的進步，出現了越來越多的閃存產品。3D?Nand?Flash(3D?Nand閃存)是新一代的存儲產品。3D?Nand?Flash通過將其閥值電壓區間8等分并編碼，實現一個存儲單元可以保存3Bit數據。在讀取數據時，通過對柵級施加不同的電壓，判斷閥值電壓來確定存儲單元的值。由于存儲值是由存儲單元保存的電荷量決定，在存儲單元使用過程中可能會出現由電荷量變化引起讀取數據出錯的情況，因此需要一些策略保證數據可靠性。

目前采用的方法為：進行頁編程時，寫入數據糾錯碼，進行頁讀取時，通過糾錯碼以快速得到當前頁數據的出錯數量。獲取塊內所有頁的出錯數后，將頁平均出錯數或者頁最大出錯數與閥值比較，從而判斷并標記當前塊是否為壞塊。在閃存出廠時，對所有塊進行一次壞塊標記。在使用過程中，當滿足巡檢條件時進行標記。但是，只通過頁出錯數來判斷壞塊，存在一定局限性，無法發現頁電壓分布變壞的情況。

發明內容

本發明提供閃存檢測方法、電子設備和存儲介質，其能夠提升對壞塊判斷的準確性和讀取數據的可靠性，實現更好的預測壞塊，防止數據丟失。

在本發明的一個方面，提供一種閃存檢測方法。該方法包括：獲取閾值電壓分布分類模型，所述閾值電壓分布分類模型包括基于閃存塊中的各個頁的讀取出錯數確定的有效閾值電壓分布和無效閾值電壓分布；針對待測閃存塊中的各個頁進行讀取以獲取所述各個頁的出錯數；基于所述出錯數獲取與所述待測閃存塊相對應的塊出錯數，以將所述塊出錯數與預定閾值進行比較；如果所述塊出錯數小于所述預定閾值，將所述待測閃存塊的閾值電壓分布輸入所述閾值電壓分布分類模型；以及如果基于所述閾值電壓分布分類模型確定所述閾值電壓分布有效，確定所述待測閃存塊的檢測通過。

在一些實施例中，基于所述出錯數獲取與所述待測閃存塊相對應的塊出錯數包括：基于所述各個頁的所述出錯數，得到平均頁出錯數或最大頁出錯數；以及將所述平均頁出錯數或所述最大頁出錯數作為所述塊出錯數。

在一些實施例中，該方法還包括：在目標閃存塊被編程之后，基于所述目標閃存塊的上次讀取出錯數或所述目標閃存塊的上次編程距當前的時間間隔，確定所述目標閃存塊是否達到檢測條件；以及如果所述目標閃存塊達到所述檢測條件，將所述目標閃存塊作為所述待測閃存塊。

在一些實施例中，該方法還包括：如果基于所述閾值電壓分布分類模型確定所述閾值電壓分布無效，確定所述待測閃存塊的檢測失敗。

在一些實施例中，該方法還包括：如果所述塊出錯數大于或等于所述預定閾值，確定所述待測閃存塊的檢測失敗。

在一些實施例中，該方法還包括：獲取所述待測閃存塊的所述閾值電壓分布，包括：根據所述待測閃存塊的類型，獲取起點電壓、終點電壓和讀取步長；由所述起點電壓至所述終點電壓，依次以所述讀取步長為電壓差，讀取每一電壓值下對應的數據量；以及對相鄰電壓值之間數據量的差值進行擬合，得到所述閾值電壓分布。

在一些實施例中，該方法還包括：訓練得到所述閾值電壓分布分類模型，包括：獲取預設數量的閃存塊的閾值電壓分布數據；以及根據所述閾值電壓分布數據對分類器進行訓練，得到所述閾值電壓分布分類模型。