[發(fā)明專利]一種存儲器以及測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310238732.3 | 申請日: | 2023-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN116092564B | 公開(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 莊勇;陸天辰;劉芙彤;王衛(wèi)濤;吳潤錦 | 申請(專利權(quán))人: | 長鑫存儲技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/12 | 分類號: | G11C29/12;G11C29/20 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 賈偉;吳素花 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 存儲器 以及 測試 方法 | ||
本公開提供了一種存儲器以及測試方法,該存儲器中,命令生成電路,用于根據(jù)第一時鐘信號和第一使能信號生成讀寫時鐘信號;以及接收地址產(chǎn)生電路發(fā)送的列地址結(jié)束信號,并根據(jù)列地址結(jié)束信號生成預(yù)充電信號;地址產(chǎn)生電路,用于根據(jù)讀寫時鐘信號進(jìn)行列地址計數(shù)且在每完成一行存儲單元的寫操作或讀操作時,生成列地址結(jié)束信號;以及根據(jù)預(yù)充電信號進(jìn)行行地址計數(shù)且在行地址計數(shù)值滿足預(yù)設(shè)值時,確定讀寫控制信號的電平狀態(tài);其中,每當(dāng)行地址計數(shù)值滿足預(yù)設(shè)值時,讀寫控制信號的電平狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn),以達(dá)到節(jié)省相關(guān)電路的目的。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種存儲器以及測試方法。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,人們在制造和使用計算機(jī)等設(shè)備時,對數(shù)據(jù)的傳輸速度提出了越來越高的要求。以動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Dynamic?Random?Access?Memory,DRAM)為例,為了保證其存儲功能的正確性,需要對存儲器進(jìn)行測試,例如進(jìn)行存儲器內(nèi)建自測試(Memory?Build?In?Self?Test,MBIST)。
在對存儲陣列進(jìn)行測試時,首先需要進(jìn)行寫操作,寫完整個存儲陣列之后再使用相同的方式進(jìn)行讀操作。但是相關(guān)技術(shù)中,有可能寫完整個存儲陣列的時間已經(jīng)超過刷新周期,這時候需要插入額外的刷新命令,從而不僅會浪費時間,而且還需要使用生成刷新命令的相關(guān)電路。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了一種存儲器以及測試方法,可以避免插入刷新命令,從而不僅節(jié)省時間,而且還能夠最大程度的減少電路面積。
本公開的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
第一方面,本公開實施例提供了一種存儲器,存儲器包括存儲陣列和控制電路,存儲陣列包括多個存儲單元,在存儲陣列中使用行地址和列地址指示存儲單元;控制電路包括命令生成電路和地址產(chǎn)生電路,且命令生成電路和地址產(chǎn)生電路連接,其中:
命令生成電路,用于接收第一時鐘信號和第一使能信號,根據(jù)第一時鐘信號和第一使能信號生成讀寫時鐘信號;以及接收地址產(chǎn)生電路發(fā)送的列地址結(jié)束信號,并根據(jù)列地址結(jié)束信號生成預(yù)充電信號,預(yù)充電信號用于指示對存儲單元進(jìn)行預(yù)充電;
地址產(chǎn)生電路,用于接收讀寫時鐘信號和預(yù)充電信號,根據(jù)讀寫時鐘信號進(jìn)行列地址計數(shù)且在每完成一行存儲單元的寫操作或讀操作時,生成列地址結(jié)束信號;以及根據(jù)預(yù)充電信號進(jìn)行行地址計數(shù)且在行地址計數(shù)值滿足預(yù)設(shè)值時,確定讀寫控制信號的電平狀態(tài),并將讀寫控制信號發(fā)送給命令生成電路;
其中,讀寫時鐘信號用于在讀寫控制信號處于預(yù)設(shè)電平狀態(tài)時,指示存儲單元進(jìn)行讀操作或者寫操作,以及每當(dāng)行地址計數(shù)值滿足預(yù)設(shè)值時,讀寫控制信號的電平狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn);預(yù)設(shè)電平狀態(tài)包括第一電平狀態(tài)或者第二電平狀態(tài)。
在一些實施例中,預(yù)設(shè)值等于存儲陣列中所有行地址數(shù)量的一半。
在一些實施例中,控制電路還包括時鐘生成電路,其中:
時鐘生成電路,用于接收結(jié)束信號和第一使能信號,在第一使能信號處于第一電平狀態(tài)且結(jié)束信號處于第二電平狀態(tài)時,生成第一時鐘信號;以及在結(jié)束信號處于第一電平狀態(tài)時,屏蔽第一時鐘信號。
在一些實施例中,地址產(chǎn)生電路,還用于在存儲陣列中的所有列地址和所有行地址均全部計數(shù)完成時,生成結(jié)束信號,并將結(jié)束信號發(fā)送給時鐘生成電路。
在一些實施例中,命令生成電路包括第一邏輯模塊、第一移位模塊和脈沖產(chǎn)生模塊,其中:
第一邏輯模塊,用于接收第一使能信號,對第一使能信號進(jìn)行延遲及邏輯運算,生成第一激活信號,第一激活信號用于激活存儲陣列中的一行存儲單元;
第一移位模塊,用于接收第一激活信號和第一時鐘信號,根據(jù)第一時鐘信號對第一激活信號進(jìn)行采樣及移位處理,生成移位激活信號;
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