[發明專利]一種放大電路和包括其的放大器

有效

• 申請號: 202310219407.2
• 申請日: 2023-03-09
• 公開（公告）號: CN115940830B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 甄建宇;陳君濤;呂子豪;郭建;湯曉東;李飛宇;朱安康;周爵;劉歡;孫思強;王滔;向興婧
• 申請（專利權）人: 三微電子科技（蘇州）有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/56;H03F3/45
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 倪焱

本發明公開了一種放大電路和包括其的放大器，放大電路中，一級放大電路與第一外圍電路通過焊球垂直互聯，二級放大電路與第二外圍電路電連接，一級放大電路的增益大于二級放大電路的增益；第一外圍電路的一側感應信號接入單元的射頻信號形成第一感應信號，第一感應信號被一級放大電路放大形成第一放大信號，由第一外圍電路的另一側輸出；第二外圍電路的一側感應第一放大信號形成第二感應信號，第二感應信號被二級放大電路放大形成第二放大信號，由第二外圍電路的另一側輸出；信號輸出單元感應第二放大信號并輸出兩次放大的射頻信號。由此，可同時兼顧低噪聲、低功耗和小型化的優勢。

技術領域

本發明涉及通信技術領域，尤其涉及一種放大電路和包括其的放大器。

背景技術

隨著無線通訊技術的快速發展，對射頻放大器的噪聲性能要求越來越高。因為受制于單一工藝（傳統的射頻放大器芯片只能采用硅基或者化合物一種工藝來實現），放大器的噪聲性能不可能超出一定范圍，此時需要特定的噪聲消除技術，而在單一工藝的背景下，要想射頻放大器芯片的噪聲性能滿足某些應用場景的苛刻要求，就需要用到一些比較復雜的電路，從電路結構角度降低噪聲。目前主要實現放大器低噪聲的方法為反饋環路設計和無源器件的噪聲匹配。在單一工藝上實現低噪聲放大器，不能兼顧小型化、低功耗和低噪聲。

發明內容

本發明提供了一種放大電路和包括其的放大器，以同時實現放大器的小型化、功耗低、噪聲低的性能。

為實現上述目的，本發明一方面實施例提出了一種放大電路，包括：設置在第一芯片上的一級放大電路；依次設置在第二芯片上的二級放大電路、與所述一級放大電路匹配的第一外圍電路、與所述二級放大電路匹配的第二外圍電路、信號接入單元、信號輸出單元；

所述一級放大電路與所述第一外圍電路通過焊球垂直互聯，所述二級放大電路與所述第二外圍電路電連接，其中，所述一級放大電路的增益大于所述二級放大電路的增益；

所述第一外圍電路的一側感應所述信號接入單元的射頻信號形成第一感應信號，所述第一感應信號被所述一級放大電路放大形成第一放大信號，由所述第一外圍電路的另一側輸出；所述第二外圍電路的一側感應所述第一放大信號形成第二感應信號，所述第二感應信號被所述二級放大電路放大形成第二放大信號，由所述第二外圍電路的另一側輸出；所述信號輸出單元感應所述第二放大信號并輸出兩次放大的所述射頻信號。

可選地，所述第一芯片為砷化鎵有源器件，所述第二芯片為硅基芯片。

可選地，所述一級放大電路為差分對管形式電路。

可選地，所述一級放大電路包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管的源極和所述第二晶體管的源極電連接形成第一端，所述第一晶體管的柵極為第二端，所述第一晶體管的漏極為第三端，所述第二晶體管的柵極為第四端，所述第二晶體管的漏極為第五端；

所述第一外圍電路包括與所述第一端、所述第二端、所述第三端、所述第四端和所述第五端垂直焊接的五個焊接端。

可選地，所述第一外圍電路包括：第一電感、第二電感、第三電感和第四電感；所述第一電感的一端為與所述第二端焊接的第二焊接端，另一端與所述第二電感的一端連接接地，所述第二電感的另一端為與所述第三端焊接的第三焊接端；所述第三電感的一端為與所述第四端焊接的第四焊接端，另一端與所述第四電感的一端連接至電源，所述第四電感的另一端為與所述第五端焊接的第五焊接端；

還包括：偏置電阻，所述偏置電阻的一端為與所述第一端焊接的第一焊接端，另一端接地。

可選地，所述二級放大電路為差分電路。

可選地，所述二級放大電路包括第三晶體管和第四晶體管，所述第三晶體管的源極與所述第四晶體管的源極連接接地；

所述第三晶體管的柵極、漏極，所述第四晶體管的柵極、漏極，還與所述第二外圍電路電連接。