[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202310215173.4 | 申請日: | 2023-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN116156957A | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發明(設計)人: | 賈倩;周婷婷;王英濤;柳在健;李浩坤;孫雪菲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H10K59/122 | 分類號: | H10K59/122;H10K59/123;H10K59/121 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 蔣冬梅;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置,其中,顯示基板包括:襯底基板以及設置在襯底基板上的像素定義層和第一電極,像素定義層包括:開口,第一電極的側壁呈臺階狀,開口暴露出第一電極;像素定義層至少覆蓋第一電極的部分側壁,第一電極遠離襯底基板的表面在襯底基板上正投影位于開口在襯底基板上的正投影之內。
技術領域
本公開涉及但不限于顯示技術領域,特別涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置。
背景技術
微型有機發光二極管(Micro?Organic?Light-Emitting?Diode,簡稱Micro-OLED)是近年來發展起來的微型顯示器,硅基OLED是一種微型顯示器。硅基OLED不僅可以實現像素的有源尋址,并且可以實現在硅基襯底上制備包括時序控制(TCON)電路、過電流保護(OCP)電路等多種功能電路,有利于減小系統體積,實現輕量化。硅基OLED采用成熟的互補金屬氧化物半導體(Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor,簡稱CMOS)集成電路工藝制備,具有體積小、高分辨率(Pixels?Per?Inch,簡稱PPI)、高刷新率等優點,廣泛應用在虛擬現實(Virtual?Reality,簡稱VR)或增強現實(Augmented?Reality,簡稱AR)近眼顯示領域中。
發明內容
以下是對本公開詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。
第一方面,本公開提供了一種顯示基板,包括:襯底基板以及設置在所述襯底基板上的像素定義層和第一電極,所述像素定義層包括:開口,所述第一電極的側壁呈臺階狀,所述開口暴露出所述第一電極;
所述像素定義層至少覆蓋所述第一電極的部分側壁,所述第一電極遠離所述襯底基板的表面在所述襯底基板上正投影位于所述開口在所述襯底基板上的正投影之內。
在示例性實施方式中,第一結構和第二結構,所述第一結構位于所述第二結構遠離所述襯底基板的一側;
所述第二結構遠離所述襯底基板的表面在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一結構在所述襯底基板上的正投影,且所述第二結構的厚度大于所述第一結構的厚度;
所述第二結構的側壁呈臺階狀。
在示例性實施方式中,所述第二結構包括:依次疊設在所述襯底基板上的第一子層、第二子層和第三子層;所述第二子層的厚度大于所述第一子層的厚度,且大于所述第三子層的厚度;
所述第一子層遠離所述襯底基板的表面在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二子層在所述襯底基板上的正投影,所述第二子層靠近所述襯底基板的表面在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二子層遠離所述襯底基板的表面在所述襯底基板上的正投影,所述第二子層遠離所述襯底基板的表面覆蓋所述第三子層在襯底基板上的正投影;
所述第二子層的側壁呈臺階狀;
所述第二子層的側壁包括:第一斜面、臺階面和第二斜面;
所述臺階面與所述襯底基板平行,所述第一斜面位于所述臺階面遠離所述襯底基板的一側,所述第二斜面位于所述臺階面靠近所述襯底基板的一側,所述臺階面連接所述第一斜面和所述第二斜面。
在示例性實施方式中,所述像素定義層包括:疊設在所述襯底基板上的第一無機層和第二無機層,所述第一無機層位于所述第二無機層靠近所述襯底基板的一側,且所述第二無機層在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一無機層在所述襯底基板上的正投影;
所述第一無機層包括:第一過孔,所述第二無機層包括:第二過孔,所述開口包括:所述第一過孔和所述第二過孔;其中,所述第一過孔在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第二過孔在所述襯底基板上的正投影。
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