[發明專利]一種MOS管SOA測試治具及其測試方法

有效

• 申請號: 202310205376.5
• 申請日: 2023-03-06
• 公開（公告）號: CN116125243B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 楊承先
• 申請（專利權）人: 邁思普電子股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/28
• 代理公司: 廣東莞信律師事務所 44332
• 代理人: 方小明

本發明涉及MOS管測試技術領域，具體涉及一種MOS管SOA測試治具及其測試方法，包括電源BAT1、電源BAT2、限流電阻R11、第一采樣口、第二采樣口、脈沖發生器、可調電阻VRS1、開關管Q3以及開關組件；電源BAT2通過限流電阻R11與第一采樣口連接；第二采樣口通過可調電阻VRS1接地；可調電阻VRS1的調節端與開關管Q3的控制端連接；脈沖發生器的輸出端用于與待測MOS管的柵極連接；脈沖發生器的輸出端用于與開關組件的控制端連接；電源BAT1通過開關組件的開關端與第一采樣口連接。本發明可對單體器件做SOA做測試評估，可評估晶體的瞬態溫度，應用器件在SOA有保證的情況下提高系統可靠性。

技術領域

本發明涉及MOS管測試技術領域，具體涉及一種MOS管SOA測試治具及其測試方法。

背景技術

MOS管作為新型半導體器件的代表，作為重要的開關元件廣泛應用于服務器的電源系統中。為了保證MOS管能夠安全工作，對MOS管進行SOA測試尤為重要。

雖然當前的MOS管規格書中定義了SOA（SafeOperating?Area）曲線，但是目前無法驗證器件是否與規格相符，同時無法驗證MOS管的瞬態結溫能力。

發明內容

本發明的目的是針對現有技術中的上述不足，提供了一種MOS管SOA測試治具及其測試方法。

本發明的目的通過以下技術方案實現：一種MOS管SOA測試治具，包括電源BAT1、電源BAT2、限流電阻R11、第一采樣口、第二采樣口、脈沖發生器、可調電阻VRS1、開關管Q3以及開關組件；

所述電源BAT2通過限流電阻R11與第一采樣口連接；所述第二采樣口通過可調電阻VRS1接地；所述第一采樣口與第二采樣口之間用于放置待測MOS管的開關端；所述可調電阻VRS1的調節端與開關管Q3的控制端連接；

所述MOS管SOA測試治具還包括采樣電阻R13、采樣電阻R14、開關SW13、開關SW14、電阻RS9以及PNP三極管Q4；所述開關管Q3為NPN三極管；

所述第二采樣口通過采樣電阻R13以及開關SW13接地；所述第二采樣口通過采樣電阻R14以及開關SW14接地；所述第二采樣口通過電阻RS9與可調電阻VRS1連接；所述可調電阻VRS1的調節端與開關管Q3的基極連接；所述開關管Q3的發射極接地；所述開關管Q3的集電極與PNP三極管Q4的基極連接；所述PNP三極管Q4的集電極接地；所述PNP三極管Q4的發射極用于與待測MOS管的柵極連接；

所述MOS管SOA測試治具還包括電阻RR2、MOS管Q2、電阻RS2、電阻RS3、電容CS1以及電阻RS5；

所述脈沖發生器的輸出端通過電阻RR2與MOS管Q2的柵極連接；所述MOS管Q2的源極接地；所述MOS管Q2的漏極與電阻RS5的一端連接；所述電阻RS5的另一端設于電阻RS2與電阻RS3之間；所述電源BAT2依次通過電阻RS2以及電阻RS3后與待測MOS管的柵極連接；所述電阻RS5的另一端通過電容CS1接地；

所述開關組件包括電阻RS6、MOS管Q3、電阻RS7以及MOS管Q1；

所述脈沖發生器的輸出端經過電阻RR2后再通過電阻RS6后與MOS管Q3的柵極連接；所述MOS管Q3的源極接地；所述MOS管Q3的漏極通過電阻RS7與MOS管Q1的柵極連接；所述MOS管Q1的源極與電源BAT1連接；所述MOS管Q1的漏極與第一采樣口連接。

本發明進一步設置為，所述脈沖發生器包括脈沖發生芯片U1；所述脈沖發生芯片U1的電源端與電源BAT2連接；所述脈沖發生器還包括脈沖時間調節組件。

本發明進一步設置為，所述脈沖時間調節組件包括可調電阻VR1、電阻RR3、電容CR4、電容CR2、電容CR5、開關SWF2、開關SWF1以及開關SWF3；