[發明專利]一種MOS管SOA測試治具及其測試方法

有效

• 申請號: 202310205376.5
• 申請日: 2023-03-06
• 公開（公告）號: CN116125243B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 楊承先
• 申請（專利權）人: 邁思普電子股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26;G01R1/28
• 代理公司: 廣東莞信律師事務所 44332
• 代理人: 方小明

1.一種MOS管SOA測試治具，其特征在于：包括電源BAT1、電源BAT2、限流電阻R11、第一采樣口(2)、第二采樣口(3)、脈沖發生器、可調電阻VRS1、開關管Q3以及開關組件；

所述電源BAT2通過限流電阻R11與第一采樣口(2)連接；所述第二采樣口(3)通過可調電阻VRS1接地；所述第一采樣口(2)與第二采樣口(3)之間用于放置待測MOS管(1)的開關端；所述可調電阻VRS1的調節端與開關管Q3的控制端連接；

所述MOS管SOA測試治具還包括采樣電阻R13、采樣電阻R14、開關SW13、開關SW14、電阻RS9以及PNP三極管Q4；所述開關管Q3為NPN三極管；

所述第二采樣口(3)通過采樣電阻R13以及開關SW13接地；所述第二采樣口(3)通過采樣電阻R14以及開關SW14接地；所述第二采樣口(3)通過電阻RS9與可調電阻VRS1連接；所述可調電阻VRS1的調節端與開關管Q3的基極連接；所述開關管Q3的發射極接地；所述開關管Q3的集電極與PNP三極管Q4的基極連接；所述PNP三極管Q4的集電極接地；所述PNP三極管Q4的發射極用于與待測MOS管(1)的柵極連接；

所述MOS管SOA測試治具還包括電阻RR2、MOS管Q2、電阻RS2、電阻RS3、電容CS1以及電阻RS5；

所述脈沖發生器的輸出端通過電阻RR2與MOS管Q2的柵極連接；所述MOS管Q2的源極接地；所述MOS管Q2的漏極與電阻RS5的一端連接；所述電阻RS5的另一端設于電阻RS2與電阻RS3之間；所述電源BAT2依次通過電阻RS2以及電阻RS3后與待測MOS管(1)的柵極連接；所述電阻RS5的另一端通過電容CS1接地；

所述開關組件包括電阻RS6、MOS管Q3、電阻RS7以及MOS管Q1；

所述脈沖發生器的輸出端經過電阻RR2后再通過電阻RS6后與MOS管Q3的柵極連接；所述MOS管Q3的源極接地；所述MOS管Q3的漏極通過電阻RS7與MOS管Q1的柵極連接；所述MOS管Q1的源極與電源BAT1連接；所述MOS管Q1的漏極與第一采樣口(2)連接。

2.根據權利要求1所述的一種MOS管SOA測試治具，其特征在于：所述脈沖發生器包括脈沖發生芯片U1；所述脈沖發生芯片U1的電源端與電源BAT2連接；所述脈沖發生器還包括脈沖時間調節組件。

3.根據權利要求2所述的一種MOS管SOA測試治具，其特征在于：所述脈沖時間調節組件包括可調電阻VR1、電阻RR3、電容CR4、電容CR2、電容CR5、開關SWF2、開關SWF1以及開關SWF3；

所述可調電阻VR1的一端與電源BAT2連接；所述可調電阻VR1的另一端與電阻RR3的一端連接；所述電阻RR3的另一端與脈沖發生芯片U1的輸入端連接；所述電阻RR3的另一端通過電容CR4以及開關SWF2接地；所述電阻RR3的另一端通過電容CR2以及開關SWF1接地；所述電阻RR3的另一端通過電容CR5以及開關SWF3接地。

4.根據權利要求1所述的一種MOS管SOA測試治具，其特征在于：所述MOS管SOA測試治具還包括限流電阻R12、開關SW11以及開關SW12；所述電源BAT2通過開關SW11以及限流電阻R11與第一采樣口(2)連接；所述電源BAT2通過開關SW12以及限流電阻R12與第一采樣口(2)連接。

5.一種基于權利要求1-4任一所述MOS管SOA測試治具的測試方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、根據電源BAT2的電壓值與限流電阻R11的電阻值限定常態電流；

S2、將待測MOS管(1)的開關端的兩端分別放置在第一采樣口(2)與第二采樣口(3)之間；

S3、啟動電源BAT2，使得待測MOS管(1)處于飽和導通狀態，測量第一采樣口(2)與第二采樣口(3)之間的電壓差值，并且通過常態電流計算出待測MOS管(1)SOA測試前的導通電阻Rdson1；

S4、設置脈沖發生器的單次脈沖時間；

S5、調節可調電阻VRS1，使開關管Q3處于放大狀態，從而控制待測MOS管(1)的柵極電壓，使待測MOS管(1)處于未完全飽和導通狀態；

S6、啟動脈沖發生器，使得關閉待測MOS管(1)的導通狀態，同時通過開關組件導通，電源BAT1施加電壓至待測MOS管(1)，使得待測MOS管(1)處于放大狀態，從而對待測MOS管(1)進行SOA測試；

S7、開關組件斷開，待測MOS管(1)進入飽和導通狀態，測量第一采樣口(2)與第二采樣口(3)之間的電壓差值，并且通過常態電流計算出待測MOS管(1)SOA測試后的導通電阻Rdson2；

S8、根據導通電阻Rdson1與導通電阻Rdson2的差值計算待測MOS管(1)的SOA能力及瞬態結溫。