[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310204548.7
• 申請日: 2023-02-28
• 公開（公告）號: CN116110793A
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉長靈;袁家貴;叢茂杰
• 申請（專利權(quán)）人: 紹興中芯集成電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28;H01L29/423
• 代理公司: 北京磐華捷成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11851
• 代理人: 李晴

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供基底，所述基底具有元胞區(qū)和終端區(qū)，所述元胞區(qū)形成有至少一個第一溝槽，所述終端區(qū)形成有至少一個第二溝槽；

在所述第一溝槽和所述第二溝槽的內(nèi)表面上形成襯墊層；

在所述第二溝槽中形成源引出部，在所述第一溝槽中形成屏蔽柵，所述源引出部的頂面高于所述屏蔽柵的頂面；

回刻蝕所述襯墊層，以形成位于所述第一溝槽中的屏蔽柵介質(zhì)層以及位于所述第二溝槽中的源引出部介質(zhì)層，所述源引出部的頂面高于所述源引出部介質(zhì)層的頂面；

形成位于所述第一溝槽中的控制柵介質(zhì)層和柵間介質(zhì)層，以及位于所述第二溝槽中的覆蓋層，所述覆蓋層的表層形成有位于所述源引出部頂部外圍的凹陷部；

沉積控制柵材料層，以填滿所述第一溝槽；

執(zhí)行平坦化工藝，以去除所述凹陷部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在執(zhí)行所述平坦化工藝之前，還包括：

執(zhí)行刻蝕工藝，以去除預(yù)設(shè)厚度的所述控制柵材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，在執(zhí)行所述刻蝕工藝后，所述控制柵材料層的頂面低于所述基底的上表面，并且高于所述凹陷部的底面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述基底包括半導(dǎo)體襯底和形成在所述半導(dǎo)體襯底上的外延層，所述第一溝槽和所述第二溝槽形成在所述外延層中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述外延層的厚度為3μm-20μm；所述第一溝槽和/或所述第二溝槽的深度為1μm-15μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第二溝槽中形成源引出部，在所述第一溝槽中形成屏蔽柵的步驟包括：

形成填充所述第一溝槽和所述第二溝槽的屏蔽柵材料層；

形成圖案化的光刻膠層，所述圖案化的光刻膠層覆蓋所述終端區(qū)，并暴露出所述元胞區(qū)；

以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，刻蝕所述第一溝槽中的屏蔽柵材料層，以在所述第一溝槽中形成所述屏蔽柵；

去除所述圖案化的光刻膠層，所述第二溝槽中剩余的所述屏蔽柵材料層構(gòu)成所述源引出部。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述形成位于所述第一溝槽中的控制柵介質(zhì)層和柵間介質(zhì)層以及位于所述第二溝槽中的覆蓋層，包括：

執(zhí)行熱氧化工藝，以同步形成所述控制柵介質(zhì)層、所述柵間介質(zhì)層和所述覆蓋層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：

在所述基底的表面上形成層間介電層；

刻蝕所述層間介電層以形成連接所述控制柵的第一接觸孔和連接所述源引出部的第二接觸孔；

在所述第一接觸孔和所述第二接觸孔中填充導(dǎo)電材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括：

對所述基底進行離子注入，以形成第一導(dǎo)電類型的阱區(qū)，以及在所述阱區(qū)中形成第二導(dǎo)電類型的源區(qū)，其中，所述阱區(qū)和所述源區(qū)至少位于所述元胞區(qū)。

10.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，其采用權(quán)利要求1-9中任一項所述的半導(dǎo)體器件的制造方法形成。