[發明專利]塞孔結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202310198666.1
• 申請日: 2023-03-03
• 公開（公告）號: CN116437570A
• 公開（公告）日: 2023-07-14
• 發明（設計）人: 陳先明;林文健;徐小偉;黃本霞;黃高
• 申請（專利權）人: 珠海越亞半導體股份有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00;H05K1/11;H05K3/40
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 林燦偉

1.一種塞孔結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

對雙面覆銅板進行鉆孔，形成貫穿所述雙面覆銅板上下表面的層間導通孔；

在所述層間導通孔的孔壁及所述雙面覆銅板的表面制作第一種子層，并在所述第一種子層的表面電鍍形成銅層；

在所述層間導通孔的內部填充樹脂，使所述樹脂與所述銅層的表面齊平；

保留所述層間導通孔周側的預定區域內的所述銅層和所述第一種子層，形成孔環，將其余位置的所述銅層、所述第一種子層及所述雙面覆銅板表面的銅箔蝕刻掉；

在所述雙面覆銅板的表面制作第一線路，使所述第一線路與所述孔環電性連接。

2.根據權利要求1所述的塞孔結構的制作方法，其特征在于，所述雙面覆銅板包括含玻纖的第一介質層、以及覆蓋在所述第一介質層的上下表面的銅箔。

3.根據權利要求2所述的塞孔結構的制作方法，其特征在于，所述銅箔的厚度為1μm-6μm。

4.根據權利要求1所述的塞孔結構的制作方法，其特征在于，所述在所述層間導通孔的孔壁及所述雙面覆銅板的表面制作第一種子層，并在所述第一種子層的表面電鍍形成銅層的步驟，具體包括：

通過化學沉積法，在所述層間導通孔的孔壁及所述雙面覆銅板的表面沉積所述第一種子層；

在所述第一種子層的表面電鍍形成所述銅層。

5.根據權利要求1所述的塞孔結構的制作方法，其特征在于，所述在所述層間導通孔的內部填充樹脂，使所述樹脂與所述銅層的表面齊平的步驟，具體包括：

通過絲網印刷的方式，在所述層間導通孔的內部填充所述樹脂；

通過烘烤使所述樹脂固化后，將凸出于所述銅層的表面的樹脂研磨掉；

對所述銅層進行減薄，并對凸出于減薄后的所述銅層的表面的樹脂進行拋光或研磨，使所述樹脂與所述銅層的表面齊平。

6.根據權利要求1所述的塞孔結構的制作方法，其特征在于，所述在所述雙面覆銅板的表面制作第一線路，使所述第一線路與所述孔環電性連接的步驟，包括：

在所述雙面覆銅板的表面制作第二種子層；

在所述第二種子層的表面貼第一抗鍍干膜；

對所述第一抗鍍干膜進行曝光顯影，形成對應所述第一線路的第一圖形；

根據所述第一圖形，電鍍形成所述第一線路，使所述第一線路與所述孔環電性連接；

去除所述第一抗鍍干膜及所述雙面覆銅板表面暴露的所述第二種子層。

7.根據權利要求1所述的塞孔結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括以下步驟：

在所述雙面覆銅板的表面壓合第二介質層，使所述第二介質層覆蓋所述第一線路；

在所述第二介質層的內部制作金屬盲孔，并在所述第二介質層的表面制作第二線路，所述第二線路通過所述金屬盲孔與所述第一線路電性連接。

8.根據權利要求7所述的塞孔結構的制作方法，其特征在于，所述在所述第二介質層的內部制作金屬盲孔，并在所述第二介質層的表面制作第二線路，所述第二線路通過所述金屬盲孔與所述第一線路電性連接的步驟，包括：

通過鐳射鉆孔的方式對所述第二介質層進行鉆孔，形成導通孔；

在所述第二介質層的表面及所述導通孔的內壁制作第三種子層；

在所述導通孔內電鍍形成所述金屬盲孔；

在所述第三種子層的表面貼第二抗鍍干膜；

對所述第二抗鍍干膜進行曝光顯影，形成對應所述第二線路的第二圖形；

根據所述第二圖形，電鍍形成所述第二線路，所述第二線路通過所述金屬盲孔與所述第一線路電性連接；

去除所述第二抗鍍干膜及所述第二介質層表面暴露的所述第三種子層。

9.根據權利要求7所述的塞孔結構的制作方法，其特征在于，所述第二介質層的材質為ABF、PP、RCC或RCF。

10.一種塞孔結構，其特征在于，通過如權利要求1-9中任一項所述的塞孔結構的制作方法制作而成。