[發明專利]一種IGBT器件及制造方法在審

申請號：	202310193570.6	申請日：	2023-03-02
公開（公告）號：	CN115939199A	公開（公告）日：	2023-04-07
發明（設計）人：	滕躍;李強;曹務臣;蘇曉山;左義忠	申請（專利權）人：	吉林華微電子股份有限公司
主分類號：	H01L29/739	分類號：	H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331
代理公司：	北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463	代理人：	杜楊
地址：	132013 吉***	國省代碼：	吉林;22
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種 igbt 器件制造方法
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【說明書】：

本申請實施例提供一種具有局部接觸發射區的IGBT器件和IGBT器件制造方法，涉及半導體器件技術領域。IGBT器件包括：MOS器件；場終止層，位于MOS器件的下表面；P型發射區，位于場終止層下表面；絕緣層，位于P型發射區下表面；集電極金屬，位于絕緣層下方；其中，在絕緣層的局部打開，形成集電極金屬與P型發射區的接觸窗口。由于發射區設置為局部發射區，或集電極設置為局部接觸發射區，流過器件的電流會因窗口面積比降低，提高流過局部發射區的電流密度，使發射區工作在少子大注入狀態，從而提高器件的電導調制強度，降低器件的導通壓降。

技術領域

本申請涉及半導體器件技術領域，尤其涉及IGBT器件及制造方法。

背景技術

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，IGBT)，是由雙極型三極管(Bipolar?Junction?Transistor，BJT)和絕緣柵型場效應管(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。

如圖1所示，在MOS器件1的漏極一側增加P-N結形成IGBT，因IGBT通常為N溝道增強型，所以相對于MOS器件IGBT只是增加了P型區204。P型區204的形成通常通過淺能級雜質如硼、鋁、鎵等離子注入，退火后形成替代位摻雜的P型區204。

當MOS器件1的溝道在柵偏壓下打開，形成的電流流過P型區204，形成對P型區204的正向偏置，P型區204通過場終止層203向MOS器件1的N-漂移區105注入少數載流子空穴；因少數載流子空穴的注入，對MOS器件1的N-漂移區105形成電導調制，降低了N-漂移區105的電阻，使IGBT具備大電流低壓降特點。電流的影響因素是電導調制強度，更高的電導調制強度和更低的導通壓降意味著IGBT的性能更好。

如何提高器件的電導調制強度，降低器件的導通壓降，是需要解決的技術問題。

發明內容

本申請的目的在于提供一種IGBT器件和IGBT器件制造方法，以解決現有技術中如何提高器件的電導調制強度，降低器件的導通壓降的技術問題。

為實現上述目的，本申請實施例采取了如下技術方案。

第一方面，本申請實施例提供一種IGBT器件，包括：

MOS器件；

場終止層，位于所述MOS器件的下表面；

P型發射區，位于所述場終止層下表面；

絕緣層，位于所述P型發射區下表面；

集電極金屬，位于所述絕緣層下方；

其中，在所述絕緣層的局部打開，形成集電極金屬與P型發射區的接觸窗口。

可選地，所述IGBT器件還包括發射屏蔽區，位于正對著接觸窗口的P型發射區上方。