[發明專利]一種IGBT器件及制造方法在審
| 申請號： | 202310193570.6 | 申請日： | 2023-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN115939199A | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發明（設計）人： | 滕躍;李強;曹務臣;蘇曉山;左義忠 | 申請（專利權）人： | 吉林華微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 杜楊 |
| 地址： | 132013 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 igbt 器件 制造 方法 | ||
1.一種IGBT器件，其特征在于，包括：
MOS器件(1)；
場終止層(203)，位于所述MOS器件(1)的下表面；
P型發射區(204)，位于所述場終止層(203)下表面；
絕緣層(201)，位于所述P型發射區(204)下表面；
集電極金屬(202)，位于所述絕緣層(201)下方；
其中，在所述絕緣層(201)的局部打開，形成集電極金屬(202)與P型發射區(204)的接觸窗口(205)。
2.如權利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件還包括發射屏蔽區(206)，位于正對著接觸窗口(205)的P型發射區(204)上方。
3.如權利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述P型發射區(204)為小島形、網狀或條形，與所述場終止層(203)局部下表面接觸，局部接觸面鑲嵌在場終止層(203)底部。
4.如權利要求3所述的IGBT器件，其特征在于，在所述絕緣層(201)的局部打開，形成場終止層(203)與集電極金屬(202)接觸的第二窗口(207)。
5.如權利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述絕緣層(201)為SiO2或Si3N4，所述絕緣層(201)的絕緣電壓大于0.3V。
6.一種IGBT器件制造方法，其特征在于，包括：
制作MOS器件；
采用高能磷離子或氫離子背面注入，形成N+場終止層(203)；
采用硼離子背面注入，形成P型發射區(204)；
采用CVD或濺射工藝在背面形成絕緣層(201)；
采用光刻工藝在絕緣層(201)上形成局部的接觸窗口(205)；
濺射或蒸發背面金屬，形成集電極金屬(202)。
7.如權利要求6所述的IGBT器件制造方法，其特征在于，采用硼離子背面注入，形成P型發射區層(204)的步驟包括：
在所述N+場終止層(203)下方形成發射屏蔽區(206)，在所述發射屏蔽區(206)下方形成P型發射區層(204)。
8.如權利要求6所述的IGBT器件制造方法，其特征在于，所述IGBT器件的半導體材料為硅、SiC或GaN。
9.如權利要求6所述的IGBT器件制造方法，其特征在于，所述MOS器件(1)的結構屬于平面柵結構、溝槽柵結構、垂直結構或橫向結構。
10.如權利要求6所述的IGBT器件制造方法，其特征在于，限定所述P型發射區層(204)與所述集電極金屬(202)接觸面的寬度小于30μm，或限定所述P型發射區層(204)與所述集電極金屬(202)接觸面積小于20％。
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