[發(fā)明專(zhuān)利]一種金屬淀積方法、設(shè)備及半導(dǎo)體器件制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310166856.5
• 申請(qǐng)日: 2023-02-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN116162892A
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 季恒健;鄧曉虎;谷海明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 馬鞍山市檳城電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/04
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/04;C23C14/16;H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

本發(fā)明公開(kāi)了一種金屬淀積方法、設(shè)備及半導(dǎo)體器件制造方法。該金屬淀積方法包括：提供一待加工基底和一掩膜版；其中，待加工基底包括預(yù)留位置和淀積區(qū)域；在預(yù)留位置進(jìn)行點(diǎn)膠，形成膠體；其中，預(yù)留位置避開(kāi)淀積區(qū)域；在膠體上貼合掩膜版，得到貼合結(jié)構(gòu)；其中，掩膜版具有呈鏤空狀的圖案區(qū)域，圖案區(qū)域的垂直投影與淀積區(qū)域重合；在貼合結(jié)構(gòu)表面蒸發(fā)金屬材料，部分金屬材料淀積至圖案區(qū)域內(nèi)；去除掩膜版和膠體，得到目標(biāo)基底。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案簡(jiǎn)化了工藝流程，提高了作業(yè)效率，降低了工藝成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬淀積方法、設(shè)備及半導(dǎo)體器件制造方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造工藝中，一般采用傳統(tǒng)光刻與濕法腐蝕相結(jié)合的半導(dǎo)體制造技術(shù)，以在基底上得到具有特定圖案的材料膜層，實(shí)現(xiàn)圖案化。

然而，現(xiàn)有的傳統(tǒng)光刻與濕法腐蝕相結(jié)合的工藝包括光刻、涂膠、顯影、金屬腐蝕和有機(jī)去膠等多個(gè)半導(dǎo)體制造工序，工藝流程復(fù)雜，作業(yè)效率低。此外，現(xiàn)有的半導(dǎo)體制造工序需耗費(fèi)大量的物料，投入的成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種金屬淀積方法、設(shè)備及半導(dǎo)體器件制造方法，以簡(jiǎn)化工藝流程，提高作業(yè)效率，降低制造成本。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種金屬淀積方法，包括：

提供一待加工基底和一掩膜版；其中，所述待加工基底包括預(yù)留位置和淀積區(qū)域；

在所述預(yù)留位置進(jìn)行點(diǎn)膠，形成膠體；其中，所述預(yù)留位置避開(kāi)淀積區(qū)域；

在所述膠體上貼合所述掩膜版，得到貼合結(jié)構(gòu)；其中，所述掩膜版具有呈鏤空狀的圖案區(qū)域，所述圖案區(qū)域的垂直投影與所述淀積區(qū)域重合；

在所述貼合結(jié)構(gòu)表面蒸發(fā)金屬材料，部分所述金屬材料淀積至所述圖案區(qū)域內(nèi)；

去除所述掩膜版和所述膠體，得到目標(biāo)基底。

可選地，所述在所述預(yù)留位置進(jìn)行點(diǎn)膠，形成膠體，包括：

調(diào)整所述待加工基底的位置，使所述預(yù)留位置移動(dòng)至目標(biāo)位置，以進(jìn)行點(diǎn)膠。

可選地，所述在所述膠體上貼合所述掩膜版，得到貼合結(jié)構(gòu)，包括：

識(shí)別設(shè)置于所述待加工基底的目標(biāo)標(biāo)記點(diǎn)和設(shè)置于所述掩膜版的參考標(biāo)記點(diǎn)，將所述參考標(biāo)記點(diǎn)與所述目標(biāo)標(biāo)記點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)；

沿垂直于所述掩膜版的方向，向所述掩膜版施加預(yù)設(shè)壓力，使所述掩膜版與所述待加工基底通過(guò)膠體貼合；

采用UV燈對(duì)所述膠體進(jìn)行固化，形成所述貼合結(jié)構(gòu)。

可選地，所述將所述參考標(biāo)記點(diǎn)與所述目標(biāo)標(biāo)記點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)，包括：

對(duì)所述目標(biāo)標(biāo)記點(diǎn)和所述參考標(biāo)記點(diǎn)進(jìn)行粗調(diào)對(duì)準(zhǔn)；

在粗調(diào)對(duì)準(zhǔn)完成后，對(duì)所述目標(biāo)標(biāo)記點(diǎn)和所述參考標(biāo)記點(diǎn)細(xì)調(diào)對(duì)準(zhǔn)。

可選地，所述將所述參考標(biāo)記點(diǎn)與所述目標(biāo)標(biāo)記點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)以及以預(yù)設(shè)壓力使所述掩膜版與所述待加工基底貼合的時(shí)長(zhǎng)之和為20～30秒。

可選地，采用UV燈進(jìn)行固化的時(shí)長(zhǎng)為30～40秒。

可選地，所述在所述貼合結(jié)構(gòu)表面蒸發(fā)金屬材料，包括：

在目標(biāo)溫度下，在所述待加工基底表面依次蒸鍍形成鈦金屬層、鎳金屬層和銀金屬層。

可選地，所述去除所述掩膜版和所述膠體，得到目標(biāo)基底，包括：

采用預(yù)設(shè)溫度的去離子水浸泡淀積有所述金屬材料的所述貼合結(jié)構(gòu)，使所述待加工基底與所述掩膜版分離；

采用常溫去離子水對(duì)所述待加工基底進(jìn)行沖洗并甩干，得到所述目標(biāo)基底。