[發明專利]一種金屬淀積方法、設備及半導體器件制造方法

在審

• 申請號: 202310166856.5
• 申請日: 2023-02-22
• 公開（公告）號: CN116162892A
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 季恒健;鄧曉虎;谷海明
• 申請（專利權）人: 馬鞍山市檳城電子有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/16;H01L21/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

1.一種金屬淀積方法，其特征在于，包括：

提供一待加工基底和一掩膜版；其中，所述待加工基底包括預留位置和淀積區域；

在所述預留位置進行點膠，形成膠體；其中，所述預留位置避開淀積區域；

在所述膠體上貼合所述掩膜版，得到貼合結構；其中，所述掩膜版具有呈鏤空狀的圖案區域，所述圖案區域的垂直投影與所述淀積區域重合；

在所述貼合結構表面蒸發金屬材料，部分所述金屬材料淀積至所述圖案區域內；

去除所述掩膜版和所述膠體，得到目標基底。

2.根據權利要求1所述的金屬淀積方法，其特征在于，所述在所述預留位置進行點膠，形成膠體，包括：

調整所述待加工基底的位置，使所述預留位置移動至目標位置，以進行點膠。

3.根據權利要求1所述的金屬淀積方法，其特征在于，所述在所述膠體上貼合所述掩膜版，得到貼合結構，包括：

識別設置于所述待加工基底的目標標記點和設置于所述掩膜版的參考標記點，將所述參考標記點與所述目標標記點對準；

沿垂直于所述掩膜版的方向，向所述掩膜版施加預設壓力，使所述掩膜版與所述待加工基底通過膠體貼合；

采用UV燈對所述膠體進行固化，形成所述貼合結構。

4.根據權利要求3所述的金屬淀積方法，其特征在于，所述將所述參考標記點與所述目標標記點對準，包括：

對所述目標標記點和所述參考標記點進行粗調對準；

在粗調對準完成后，對所述目標標記點和所述參考標記點細調對準。

5.根據權利要求3所述的金屬淀積方法，其特征在于，所述將所述參考標記點與所述目標標記點對準以及以預設壓力使所述掩膜版與所述待加工基底貼合的時長之和為20～30秒。

6.根據權利要求3所述的金屬淀積方法，其特征在于，采用UV燈進行固化的時長為30～40秒。

7.根據權利要求1所述的金屬淀積方法，其特征在于，所述在所述貼合結構表面蒸發金屬材料，包括：

在目標溫度下，在所述待加工基底表面依次蒸鍍形成鈦金屬層、鎳金屬層和銀金屬層。

8.根據權利要求1所述的金屬淀積方法，其特征在于，所述去除所述掩膜版和所述膠體，得到目標基底，包括：

采用預設溫度的去離子水浸泡淀積有所述金屬材料的所述貼合結構，使所述待加工基底與所述掩膜版分離；

采用常溫去離子水對所述待加工基底進行沖洗并甩干，得到所述目標基底。

9.根據權利要求8所述的金屬淀積方法，其特征在于，所述貼合結構浸泡于所述預設溫度的去離子水的時長為20～30分鐘；

和/或，所述預設溫度為80～90℃。

10.根據權利要求1所述的金屬淀積方法，其特征在于，所述在所述預留位置進行點膠的時長為15～25秒。

11.一種金屬淀積設備，其特征在于，用于執行如權利要求1-10中任一項所述的金屬淀積方法。

12.一種半導體器件制造方法，其特征在于，包括如權利要求1-10中任一項所述的金屬淀積方法。