[發(fā)明專(zhuān)利]反熔絲結(jié)構(gòu)及反熔絲結(jié)構(gòu)的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310153953.0
• 申請(qǐng)日: 2023-02-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115910990B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃金榮
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/525
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/525;H10B12/00
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括位線結(jié)構(gòu)及與所述位線結(jié)構(gòu)電連接的選通結(jié)構(gòu)；

所述選通結(jié)構(gòu)包括依次疊置的可變電阻結(jié)構(gòu)、閾值選通結(jié)構(gòu)及字線結(jié)構(gòu)，所述可變電阻結(jié)構(gòu)與所述位線結(jié)構(gòu)相鄰，所述可變電阻結(jié)構(gòu)、所述閾值選通結(jié)構(gòu)及所述字線結(jié)構(gòu)的疊置方向與所述位線結(jié)構(gòu)的厚度方向相交。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述選通結(jié)構(gòu)至少部分位于所述位線結(jié)構(gòu)的內(nèi)部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有第一溝槽；

所述第一溝槽內(nèi)形成有兩個(gè)共用所述位線結(jié)構(gòu)的所述選通結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，兩個(gè)共用所述位線結(jié)構(gòu)的所述選通結(jié)構(gòu)以所述第一溝槽的對(duì)稱(chēng)軸對(duì)稱(chēng)，所述對(duì)稱(chēng)軸平行于所述位線結(jié)構(gòu)的厚度方向。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，兩個(gè)所述選通結(jié)構(gòu)的選通時(shí)刻具有預(yù)設(shè)時(shí)間間隔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述閾值選通結(jié)構(gòu)的頂面高于所述可變電阻結(jié)構(gòu)的頂面；

所述閾值選通結(jié)構(gòu)的底面高于所述可變電阻結(jié)構(gòu)的底面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述字線結(jié)構(gòu)的頂面高于所述閾值選通結(jié)構(gòu)的頂面，所述字線結(jié)構(gòu)的底面不低于所述閾值選通結(jié)構(gòu)的底面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述可變電阻結(jié)構(gòu)被配置為：

初始態(tài)為高阻態(tài)；

在所述字線結(jié)構(gòu)提供的預(yù)設(shè)編程電壓驅(qū)動(dòng)下，從所述高阻態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)；以及

在所述字線結(jié)構(gòu)提供的預(yù)設(shè)讀取電壓驅(qū)動(dòng)下，若為高阻態(tài)則讀出第一數(shù)值及若為低阻態(tài)則讀出第二數(shù)值。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述預(yù)設(shè)編程電壓的幅值范圍為3.0V-4.0V；及/或

所述預(yù)設(shè)讀取電壓的幅值范圍為0V-2.0V。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反熔絲結(jié)構(gòu)形成于存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)；所述預(yù)設(shè)區(qū)域選自存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的第一金屬層的表面、第二金屬層的表面、頂層金屬層的表面和其組合。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反熔絲結(jié)構(gòu)形成于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電容層平面。

12.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括如下特征中的至少一種：

所述可變電阻結(jié)構(gòu)的材料選自氧化鉿、氧化鋯、氧化鉈與氧化鋁和其組合；

所述閾值選通結(jié)構(gòu)的材料選自氧化鈦、氧化鉿、氧化鈦鉿與碲錫鍺相變材料和其組合；

所述字線結(jié)構(gòu)的材料選自鎢、銅、鈦、鋁、鉈、鉿、銣、氧化銦錫、導(dǎo)電玻璃與氧化銦鎵鋅和其組合；

所述位線結(jié)構(gòu)的材料選自鎢、銅、鈦、鋁、鉈、鉿、銣、氧化銦錫、導(dǎo)電玻璃與氧化銦鎵鋅和其組合。

13.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的反熔絲結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括如下特征中的至少一種：

所述可變電阻結(jié)構(gòu)的厚度范圍為5??-10??；

所述閾值選通結(jié)構(gòu)的厚度范圍為1nm-10nm；

所述字線結(jié)構(gòu)的厚度范圍為20nm-50nm；

所述位線結(jié)構(gòu)的厚度范圍為20nm-50nm。