[發明專利]芯片封裝結構及其制作方法在審
| 申請號： | 202310152832.4 | 申請日： | 2023-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN116031217A | 公開（公告）日： | 2023-04-28 |
| 發明（設計）人： | 李瀚宇 | 申請（專利權）人： | 蘇州晶方半導體科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/00;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈曉敏 |
| 地址： | 215000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 芯片 封裝 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種芯片封裝結構，其特征在于，包括：
芯片，所述芯片具有設置有焊盤的下表面和與所述下表面相背的上表面，所述芯片上表面相對所述焊盤位置處設置第一凹槽，所述第一凹槽暴露出所述焊盤上表面；
第一絕緣層，所述第一絕緣層設置于所述芯片上表面側和所述第一凹槽的側表面；
第一金屬層，所述第一金屬層設置于所述第一絕緣層表面，并延伸覆蓋至所述焊盤上表面；
第二絕緣層，所述第二絕緣層設置于所述第一金屬層表面，所述第二絕緣層部分區域設置第二凹槽，所述第二凹槽暴露出所述第一金屬層；
焊接凸起，所述焊接凸起設置于所述第二凹槽內，所述焊接凸起通過所述第一金屬層與所述焊盤電性連接。
2.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一金屬層材料為Al和/或Cu。
3.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第一金屬層之間部分區域處還設置緩沖層，所述緩沖層設置于所述第二凹槽正下方。
4.根據權利要求3所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述緩沖層截面面積大于所述第二凹槽的截面面積。
5.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述焊接凸起和所述第一金屬層之間還設置第二金屬層，所述第二金屬層為Ni、Au、Pd中的一種材料或幾種材料的合金，所述第二金屬層厚度為1～2μm。
6.根據權利要求1所述的芯片封裝結構，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層材料為SiO2和/或Si3N4。
7.一種芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，包括步驟：
提供芯片，所述芯片具有設置有焊盤的下表面和與所述下表面相背的上表面，于所述芯片上表面相對所述焊盤位置處形成第一凹槽，使得所述第一凹槽暴露出所述焊盤上表面；
于所述芯片上表面側和所述第一凹槽的側表面形成第一絕緣層；
于所述第一絕緣層表面形成第一金屬層，并將所述第一金屬層延伸至所述焊盤上表面；
于所述第一金屬層表面形成第二絕緣層；
于所述第二絕緣層部分區域處形成第二凹槽，并使得所述第二凹槽暴露出所述第一金屬層；
于所述第二凹槽內制作焊接凸起，使得所述焊接凸起通過所述第一金屬層與所述焊盤電性連接。
8.根據權利要求7所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，在形成所述第一金屬層之前還包括步驟：
于所述第一絕緣層上表面部分區域處形成一緩沖層，使得所述緩沖層與所述第二凹槽對應設置，所述緩沖層截面面積大于所述第二凹槽的截面面積。
9.根據權利要求7所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層材料為Al和/或Cu。
10.根據權利要求7所述的芯片封裝結構的制作方法，其特征在于，在制作所述焊接凸起之前還包括步驟：
于所述第二凹槽底面形成第二金屬層，所述第二金屬層的形成厚度為1～2μm，所述第二金屬層為Ni、Au、Pd中的一種材料或幾種材料的合金。
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