[發明專利]一種三點高度調整平行度的晶圓平臺在審
| 申請號: | 202310151630.8 | 申請日: | 2023-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN116153839A | 公開(公告)日: | 2023-05-23 |
| 發明(設計)人: | 劉曜軒;羅偉凱;余岱璟;孟占坤;朱建成;劉大曙;李軍崗;李華 | 申請(專利權)人: | 蘇州威達智科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67 |
| 代理公司: | 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陸金星 |
| 地址: | 215024 江蘇省蘇州市中國(*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高度 調整 平行 平臺 | ||
本發明公開的一種三點高度調整平行度的晶圓平臺,包括平臺本體、調平底板以及設置在調平底板與平臺本體內側的多個調節機構;多個調節機構沿平臺本體周向均布;平臺本體頂部設置有若干個吸盤與頂升孔,吸盤與頂升孔間隔設置;相鄰的兩個調節機構之間設置有拉簧,拉簧一端設置在平臺本體的底部,拉簧的另一端設置在調平底板的頂部;多個調節機構用于調整平臺本體的水平度;本發明通過三個調節機構對平臺本體不同位置進行高度調節,能夠更精準的將平臺調至所需的狀態,同時,調平底板與平臺本體之間通過拉簧進行固定,防止第一球體或第二球體、第三球體脫離對應的槽口,調節精度高,同時安全可靠。
技術領域
本發明涉及晶圓平臺調節領域,更具體的,涉及一種三點高度調整平行度的晶圓平臺。
背景技術
目前半導體晶圓量測中都會存在要求產品在測試平臺上平面角度無法滿足要求,絕大多數場合都是采用人工手動操作來實現水平擺放。人工操作不管是在測試平臺平面角度的調節還是調節速度方面以及產品放置速度都滿足不了實際的生產速度和要求,需要一款全自動的平面角度調節技術,可以精準的將產品調節至合適的平面角度,速度快、效率高、精度高、質量好。該平臺設計為并聯運動多軸系統,可用于傾斜運動,該平臺以微型形式提供超高精度,非接觸式組件的組合形成了一個無摩擦運動平臺,可提供最佳性能、質量和使用壽命,目前多為手動實現其平面角度調節。
現有技術需要通過人工先將產品手動擺放至測試平臺上之后再開始調節旋鈕使測試平臺調節至合適的姿態,這種操作方法時間成本過高、速度慢、效率低且人為的目測或測量會造成平面角度調節不準確且重復調節性能不一致,即無法得到理想的平面角度。
發明內容
為了解決上述至少一個技術問題,本發明提出了一種三點高度調整平行度的晶圓平臺。
本發明第一方面提供了一種三點高度調整平行度的晶圓平臺,包括:平臺本體、調平底板以及設置在調平底板與平臺本體內側的多個調節機構;
多個調節機構沿所述平臺本體周向均布;
所述平臺本體頂部設置有若干個吸盤與頂升孔,所述吸盤與所述頂升孔間隔設置;
相鄰的兩個調節機構之間設置有拉簧,所述拉簧一端設置在所述平臺本體的底部,所述拉簧的另一端設置在所述調平底板的頂部;
多個所述調節機構用于調整平臺本體的水平度。
本發明一個較佳實施例中,所述調節機構為3個,所述調節機構固定安裝在調平底板的頂部,相鄰的兩個所述調節機構之間角度為120度,3個所述調節機構分別為第一調節機構、第二調節機構與第三調節機構。
本發明一個較佳實施例中,所述調平底板中心位置設置有旋轉機構,所述旋轉機構頂部設置有升降臺,所述升降臺頂部設置有頂針,所述頂針的位置與所述頂升孔的位置一一對應,所述升降臺外側設置有凸輪隨動器。
本發明一個較佳實施例中,所述旋轉機構外側設置有多個支撐板,所述支撐板頂部設置有連接塊,所述連接塊上設置有導向槽,所述凸輪隨動器配合設置在所述導向槽內,所述導向槽一端的高度大于所述導向槽另一端的高度。
本發明一個較佳實施例中,所述旋轉機構底部設置有從動輪,所述調平底板頂部設置有電機,所述電機的軸端連接有主動輪,所述主動輪與所述從動輪之間通過皮帶連接。
本發明一個較佳實施例中,所述第一調節機構包括第一直線滑軌、配合連接在第一直線滑軌上的第一水平滑塊,所述第一直線滑軌一側設置有第一豎直滑塊,所述第一豎直滑塊一側設置有第一楔塊,所述第一楔塊頂部設置有第一槽口。
本發明一個較佳實施例中,所述第二調節機構包括第二直線滑軌、配合連接在第二直線滑軌上的第二水平滑塊,所述第二直線滑軌一側設置有第二豎直滑塊,所述第二豎直滑塊一側設置有第二楔塊,所述第二楔塊頂部設置有第二槽口。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





