[發明專利]STI結構的形成方法

在審

• 申請號: 202310134158.7
• 申請日: 2023-02-20
• 公開（公告）號: CN116169089A
• 公開（公告）日: 2023-05-26
• 發明（設計）人: 劉鵬飛;高駿
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種STI結構的形成方法，其特征在于，包括：

在襯底中形成溝槽，從俯視角度觀察，所述溝槽為環形；

在所述襯底和溝槽上形成線性氧化層；

在除溝槽以外的襯底上形成硬掩模層；

形成氧化物層，所述氧化物層填充所述溝槽；

進行平坦化處理，去除所述溝槽外的氧化物層、硬掩模層和線性氧化層，所述溝槽內的線形氧化層和氧化物層形成STI結構；

其中，所述平坦化處理包括第一階段和第二階段，所述第一階段中的研磨速度大于所述第二階段中的研磨速度，在進行所述平坦化處理的過程中，通過EPD技術監控所述平坦化處理的進程。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一階段通過HD?CMP工藝進行平坦化處理。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二階段通過LD?CMP工藝進行平坦化處理。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述襯底和溝槽上形成線性氧化層，包括：

通過爐管氧化工藝在所述襯底和溝槽上形成所述線性氧化層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述硬掩模層包括氮化硅層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成氧化物層，包括：

通過HDP?CVD工藝沉積二氧化硅層形成所述氧化物層。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法應用于CIS的制作中。