[發(fā)明專利]太陽電池及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310132510.3
• 申請日: 2023-02-08
• 公開（公告）號: CN115995512A
• 公開（公告）日: 2023-04-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓宗諭;徐磊;王金
• 申請（專利權(quán)）人: 通威太陽能（安徽）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/06
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 周孝湖

本發(fā)明提供一種太陽電池及其制備方法，制備方法包括：在單晶硅襯底正面和背面分別沉積第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅層；在第一本征非晶硅層上沉積n型摻雜非晶硅層；在第二本征非晶硅層上沉積p型摻雜非晶硅層；在n型摻雜非晶硅層上沉積n型摻雜微晶硅層；在p型摻雜非晶硅層上沉積p型摻雜微晶硅層；沉積n型摻雜微晶硅層和p型摻雜微晶硅層的氣體壓力為3Torr～5Torr，SiHsubgt;4/subgt;、摻雜氣體和Hsubgt;2/subgt;的流量比為1：(1～1.5)：(150～200)，啟輝功率為2000W～3500W，啟輝時間為100s～230s；利用堿溶液對n型摻雜微晶硅層和p型摻雜微晶硅層進(jìn)行堿拋。制備的太陽電池光電性能較好、轉(zhuǎn)化效率較高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及光伏技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種太陽電池及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著RESH(Rear?Emitter?Si?Heterojunction)電池效率的不斷提高和成本的不斷降低，高效RESH電池的市場份額也在不斷地增加。

然而，為了更好地滿足市場需要，微晶RESH電池的光電性能和轉(zhuǎn)換效率仍然有待進(jìn)一步提高。因此，如何進(jìn)一步提升RESH電池的光電性能和轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)成為本領(lǐng)域的研究熱點之一。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種光電性能較好、轉(zhuǎn)化效率較高的太陽電池及其制備方法。

本發(fā)明提出的技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種太陽電池的制備方法，包括如下步驟：

提供制絨后的單晶硅襯底；

在所述單晶硅襯底的正面和背面分別沉積第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅層；

通過PECVD方法在所述第一本征非晶硅層上沉積n型摻雜非晶硅層；通過PECVD方法在所述第二本征非晶硅層上沉積p型摻雜非晶硅層；

通過PECVD方法在所述n型摻雜非晶硅層上沉積n型摻雜微晶硅層；通過PECVD方法在所述p型摻雜非晶硅層上沉積p型摻雜微晶硅層；沉積所述n型摻雜微晶硅層和所述p型摻雜微晶硅層的氣體壓力為3Torr～5Torr，工藝氣體中SiH₄、摻雜氣體和H₂的流量比為1：(1～1.5)：(150～200)，啟輝功率為2000W～3500W，啟輝時間為100s～230s；

利用堿溶液對所述n型摻雜微晶硅層和所述p型摻雜微晶硅層進(jìn)行堿拋；

在堿拋后的所述n型摻雜微晶硅層和所述p型摻雜微晶硅層上分別沉積透明導(dǎo)電薄膜；

在所述透明導(dǎo)電薄膜上制備電極。

在一些實施方式中，所述堿溶液為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.5％～1.2％的堿金屬氫氧化物溶液。

在一些實施方式中，所述堿拋的溫度為45℃～60℃。

在一些實施方式中，在所述堿拋之前，所述n型摻雜微晶硅層的厚度為100nm～150nm，所述p型摻雜微晶硅層的厚度為100nm～150nm。

在一些實施方式中，在所述堿拋之后，所述n型摻雜微晶硅層的厚度為40nm～70nm，所述p型摻雜微晶硅層的厚度為40nm～70nm。

在一些實施方式中，沉積所述n型摻雜非晶硅層和所述p型摻雜非晶硅層的氣體壓力為0.50Torr～0.57Torr，工藝氣體中SiH₄、摻雜氣體和H₂流量比為1：(0.25～1)：(1～1.5)，啟輝功率為200W～800W，啟輝時間為20s～35s。

在一些實施方式中，所述n型摻雜非晶硅層的厚度為3nm～8nm，所述p型摻雜非晶硅層的厚度為3nm～8nm。