[發明專利]太陽電池及其制備方法

在審

• 申請號: 202310132510.3
• 申請日: 2023-02-08
• 公開（公告）號: CN115995512A
• 公開（公告）日: 2023-04-21
• 發明（設計）人: 韓宗諭;徐磊;王金
• 申請（專利權）人: 通威太陽能（安徽）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/06
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 周孝湖

1.一種太陽電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供制絨后的單晶硅襯底；

在所述單晶硅襯底的正面和背面分別沉積第一本征非晶硅層和第二本征非晶硅層；

通過PECVD方法在所述第一本征非晶硅層上沉積n型摻雜非晶硅層；通過PECVD方法在所述第二本征非晶硅層上沉積p型摻雜非晶硅層；

通過PECVD方法在所述n型摻雜非晶硅層上沉積n型摻雜微晶硅層；通過PECVD方法在所述p型摻雜非晶硅層上沉積p型摻雜微晶硅層；沉積所述n型摻雜微晶硅層和所述p型摻雜微晶硅層的氣體壓力為3Torr～5Torr，工藝氣體中SiH₄、摻雜氣體和H₂的流量比為1：(1～1.5)：(150～200)，啟輝功率為2000W～3500W，啟輝時間為100s～230s；

利用堿溶液對所述n型摻雜微晶硅層和所述p型摻雜微晶硅層進行堿拋；

在堿拋后的所述n型摻雜微晶硅層和所述p型摻雜微晶硅層上分別沉積透明導電薄膜；

在所述透明導電薄膜上制備電極。

2.根據權利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述制備方法滿足以下(1)～(2)中的至少一項：

(1)所述堿溶液為質量分數0.5％～1.2％的堿金屬氫氧化物溶液；

(2)所述堿拋的溫度為45℃～60℃。

3.根據權利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，在所述堿拋之前，所述n型摻雜微晶硅層的厚度為100nm～150nm，所述p型摻雜微晶硅層的厚度為100nm～150nm。

4.根據權利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，在所述堿拋之后，所述n型摻雜微晶硅層的厚度為40nm～70nm，所述p型摻雜微晶硅層的厚度為40nm～70nm。

5.根據權利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，沉積所述n型摻雜非晶硅層和所述p型摻雜非晶硅層的氣體壓力為0.50Torr～0.57Torr，工藝氣體中SiH₄、摻雜氣體和H₂流量比為1：(0.25～1)：(1～1.5)，啟輝功率為200W～800W，啟輝時間為20s～35s。

6.根據權利要求1所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，所述n型摻雜非晶硅層的厚度為3nm～8nm，所述p型摻雜非晶硅層的厚度為3nm～8nm。

7.根據權利要求1至6任一項所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，在所述堿拋之后，且在沉積所述透明導電薄膜之前，還包括利用含有雙氧水的酸溶液對所述n型摻雜微晶硅層和所述p型摻雜微晶硅層進行清洗的步驟。

8.根據權利要求7所述的太陽電池的制備方法，其特征在于，在利用含有雙氧水的酸溶液進行清洗之后，且在沉積所述透明導電薄膜之前，還包括利用氫氟酸對所述n型摻雜微晶硅層和所述p型摻雜微晶硅層進行鈍化的步驟。

9.一種太陽電池，其特征在于，所述太陽電池由權利要求1至8中任一項所述的太陽電池的制備方法制得。

10.根據權利要求9所述的太陽電池，其特征在于，包括單晶硅襯底、第一本征非晶硅層、第二本征非晶硅層、n型摻雜非晶硅層、p型摻雜非晶硅層、n型摻雜微晶硅層、p型摻雜微晶硅層、第一透明導電薄膜、第二透明導電薄膜、第一電極和第二電極；

所述第一本征非晶硅層、所述n型摻雜非晶硅層、所述n型摻雜微晶硅層、所述第一透明導電薄膜和所述第一電極依次層疊設置于所述單晶硅襯底的正面；

所述第二本征非晶硅層、所述p型摻雜非晶硅層、所述p型摻雜微晶硅層、所述第二透明導電薄膜和所述第二電極依次層疊設置于所述單晶硅襯底的背面。