[發(fā)明專利]復(fù)位電路、復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生方法及芯片

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310120279.6
• 申請(qǐng)日: 2023-02-15
• 公開（公告）號(hào): CN116346101A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張智強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天鈺科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/22
• 分類號(hào): H03K17/22
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334
• 代理人: 劉齡霞

本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N復(fù)位電路、復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生方法及芯片，其中，復(fù)位電路包括第一信號(hào)產(chǎn)生模塊、第二信號(hào)產(chǎn)生模塊及信號(hào)輸出模塊。第一信號(hào)產(chǎn)生模塊用于接收檢測(cè)信號(hào)，并根據(jù)檢測(cè)信號(hào)產(chǎn)生第一信號(hào)。第二信號(hào)產(chǎn)生模塊電連接第一信號(hào)產(chǎn)生模塊，第二信號(hào)產(chǎn)生模塊用于接收并根據(jù)檢測(cè)信號(hào)及第一信號(hào)產(chǎn)生第二信號(hào)。信號(hào)輸出模塊電連接第二信號(hào)產(chǎn)生模塊及第一信號(hào)產(chǎn)生模塊，以用于接收并根據(jù)第一信號(hào)及第二信號(hào)輸出復(fù)位信號(hào)。如此，本申請(qǐng)?zhí)岢龅膹?fù)位電路的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，所占用面積小，且可降低復(fù)位電路運(yùn)行時(shí)的工作電壓及靜態(tài)電流。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及復(fù)位技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)位電路、復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生方法及芯片。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)的電子產(chǎn)品主控芯片電路大都設(shè)有復(fù)位電路，復(fù)位電路為用于產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)以使其他相關(guān)電路恢復(fù)到起始狀態(tài)的電路，現(xiàn)有技術(shù)中的復(fù)位電路包括具有電壓調(diào)節(jié)器的復(fù)位電路，其電路結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，所占面積較大，且運(yùn)行時(shí)復(fù)位電路所需的工作電壓及消耗的靜態(tài)電流較高。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N復(fù)位電路、復(fù)位信號(hào)產(chǎn)生方法及芯片來(lái)解決上述問(wèn)題。

本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N復(fù)位電路，復(fù)位電路包括：第一信號(hào)產(chǎn)生模塊，第一信號(hào)產(chǎn)生模塊用于接收檢測(cè)信號(hào)，并根據(jù)檢測(cè)信號(hào)產(chǎn)生第一信號(hào)。第二信號(hào)產(chǎn)生模塊，第二信號(hào)產(chǎn)生模塊電連接第一信號(hào)產(chǎn)生模塊，第二信號(hào)產(chǎn)生模塊用于接收檢測(cè)信號(hào)及第一信號(hào)，并根據(jù)檢測(cè)信號(hào)及第一信號(hào)產(chǎn)生第二信號(hào)。及信號(hào)輸出模塊，信號(hào)輸出模塊電連接第二信號(hào)產(chǎn)生模塊及第一信號(hào)產(chǎn)生模塊，信號(hào)輸出模塊用于接收第一信號(hào)及第二信號(hào)，并根據(jù)第一信號(hào)及第二信號(hào)輸出復(fù)位信號(hào)。當(dāng)檢測(cè)信號(hào)的電壓小于參考電壓時(shí)，復(fù)位信號(hào)的電平為第一電平。當(dāng)檢測(cè)信號(hào)的電壓大于參考電壓時(shí)，復(fù)位信號(hào)的電平為與第一電平相反的第二電平。

進(jìn)一步地，第一信號(hào)產(chǎn)生模塊包括第一開關(guān)管及第二開關(guān)管，第一開關(guān)管的第一端連接至電壓源，第一開關(guān)管的第二端、第一開關(guān)管的第三端與第二開關(guān)管的第一端連接于第一節(jié)點(diǎn)；第二開關(guān)管的第二端用于接收檢測(cè)信號(hào)，第二開關(guān)管的第三端接地；其中，第二開關(guān)管為NMOS管，第一開關(guān)管為耗盡型NMOS管。其中，第一信號(hào)產(chǎn)生模塊通過(guò)第一節(jié)點(diǎn)連接至信號(hào)輸出模塊及第二信號(hào)產(chǎn)生模塊，以通過(guò)第一節(jié)點(diǎn)輸出第一信號(hào)至信號(hào)輸出模塊及第二信號(hào)產(chǎn)生模塊。

進(jìn)一步地，參考電壓為當(dāng)檢測(cè)信號(hào)與第一信號(hào)相同時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)的電壓。

進(jìn)一步地，第一信號(hào)產(chǎn)生模塊包括N個(gè)第一開關(guān)管及第二開關(guān)管，其中，N為正整數(shù)；N個(gè)第一開關(guān)管與第二開關(guān)管依次連接于電壓源與地之間，其中，每一第一開關(guān)管的第三端連接至相鄰的第一開關(guān)管的第一端，每一第一開關(guān)管的第二端連接至相鄰的第一開關(guān)管的第二端，第1個(gè)第一開關(guān)管的第一端連接至電壓源，第N個(gè)第一開關(guān)管的第二端、第N個(gè)第一開關(guān)管的第三端與第二開關(guān)管的第一端連接于第一節(jié)點(diǎn)，第二開關(guān)管的第二端用于接收檢測(cè)信號(hào)，第二開關(guān)管的第三端接地；其中，第二開關(guān)管為NMOS管，第一開關(guān)管為耗盡型NMOS管。其中，第一信號(hào)產(chǎn)生模塊通過(guò)第一節(jié)點(diǎn)連接至信號(hào)輸出模塊及第二信號(hào)產(chǎn)生模塊。

進(jìn)一步地，第二信號(hào)產(chǎn)生模塊包括第三開關(guān)管、第四開關(guān)管、第五開關(guān)管、第六開關(guān)管及第七開關(guān)管。第三開關(guān)管的第一端與第四開關(guān)管的第一端連接，且均連接至電壓源，第三開關(guān)管的第二端、第三開關(guān)管的第三端與第四開關(guān)管的第二端連接于第二節(jié)點(diǎn)。第三開關(guān)管的第三端連接至第五開關(guān)管的第一端，第五開關(guān)管的第二端連接至第一信號(hào)產(chǎn)生模塊的第一節(jié)點(diǎn)，以接收第一信號(hào)，第五開關(guān)管的第三端連接至第六開關(guān)管的第三端。第四開關(guān)管的第三端連接至第六開關(guān)管的第一端，第六開關(guān)管的第二端用于接收檢測(cè)信號(hào)；第四開關(guān)管的第三端與第六開關(guān)管的第一端連接于第三節(jié)點(diǎn)，第二信號(hào)產(chǎn)生模塊通過(guò)第三節(jié)點(diǎn)連接至信號(hào)輸出模塊。第五開關(guān)管的第三端、第六開關(guān)管的第三端、與第七開關(guān)管的第一端連接至第四節(jié)點(diǎn)，第七開關(guān)管的第二端與第七開關(guān)管的第三端接地。其中，第三開關(guān)管及第四開關(guān)管為PMOS管，第五開關(guān)管及第六開關(guān)管為NMOS管，第七開關(guān)管為耗盡型NMOS管。