[發明專利]復位電路、復位信號產生方法及芯片

在審

• 申請號: 202310120279.6
• 申請日: 2023-02-15
• 公開（公告）號: CN116346101A
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 張智強
• 申請（專利權）人: 天鈺科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/22
• 分類號: H03K17/22
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 劉齡霞

1.一種復位電路，其特征在于，所述復位電路包括：

第一信號產生模塊，所述第一信號產生模塊用于接收檢測信號，并根據所述檢測信號產生第一信號；

第二信號產生模塊，所述第二信號產生模塊電連接所述第一信號產生模塊，所述第二信號產生模塊用于接收所述檢測信號及所述第一信號，并根據所述檢測信號及所述第一信號產生第二信號；及

信號輸出模塊，所述信號輸出模塊電連接所述第二信號產生模塊及所述第一信號產生模塊，所述信號輸出模塊用于接收所述第一信號及所述第二信號，并根據所述第一信號及所述第二信號輸出復位信號；

當所述檢測信號的電壓小于參考電壓時，所述復位信號的電平為第一電平；

當所述檢測信號的電壓大于所述參考電壓時，所述復位信號的電平為與所述第一電平相反的第二電平。

2.如權利要求1所述的復位電路，其特征在于，所述第一信號產生模塊包括第一開關管及第二開關管，所述第一開關管的第一端連接至電壓源，所述第一開關管的第二端、所述第一開關管的第三端與所述第二開關管的第一端連接于第一節點；所述第二開關管的第二端用于接收所述檢測信號，所述第二開關管的第三端接地；其中，所述第二開關管為NMOS管，所述第一開關管為耗盡型NMOS管；

其中，所述第一信號產生模塊通過所述第一節點連接至所述信號輸出模塊及所述第二信號產生模塊，以通過所述第一節點輸出所述第一信號至所述信號輸出模塊及所述第二信號產生模塊。

3.如權利要求2所述的復位電路，其特征在于，所述參考電壓為當所述檢測信號與所述第一信號相同時，所述第一節點的電壓。

4.如權利要求1所述的復位電路，其特征在于，所述第一信號產生模塊包括N個第一開關管及第二開關管，其中，N為正整數；N個所述第一開關管與所述第二開關管依次連接于電壓源與地之間，其中，每一所述第一開關管的第三端連接至相鄰的所述第一開關管的第一端，每一所述第一開關管的第二端連接至相鄰的所述第一開關管的第二端，第1個所述第一開關管的第一端連接至所述電壓源，第N個所述第一開關管的第二端、第N個所述第一開關管的第三端與所述第二開關管的第一端連接于第一節點，所述第二開關管的第二端用于接收所述檢測信號，所述第二開關管的第三端接地；其中，所述第二開關管為NMOS管，所述第一開關管為耗盡型NMOS管；

其中，所述第一信號產生模塊通過所述第一節點連接至所述信號輸出模塊及所述第二信號產生模塊。

5.如權利要求2所述的復位電路，其特征在于，所述第二信號產生模塊包括第三開關管、第四開關管、第五開關管、第六開關管及第七開關管；

所述第三開關管的第一端與第四開關管的第一端連接，且均連接至所述電壓源，所述第三開關管的第二端、所述第三開關管的第三端與所述第四開關管的第二端連接于第二節點；

所述第三開關管的第三端連接至所述第五開關管的第一端，所述第五開關管的第二端連接至所述第一信號產生模塊的所述第一節點，以接收所述第一信號，所述第五開關管的第三端連接至所述第六開關管的第三端；

所述第四開關管的第三端連接至所述第六開關管的第一端，所述第六開關管的第二端用于接收所述檢測信號；所述第四開關管的第三端與所述第六開關管的第一端連接于第三節點，所述第二信號產生模塊通過所述第三節點連接至所述信號輸出模塊；

所述第五開關管的第三端、所述第六開關管的第三端、與所述第七開關管的第一端連接至第四節點，所述第七開關管的第二端與所述第七開關管的第三端接地；

其中，所述第三開關管及所述第四開關管為PMOS管，所述第五開關管及所述第六開關管為NMOS管，所述第七開關管為耗盡型NMOS管。