[發(fā)明專利]基板處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310118747.6 | 申請(qǐng)日: | 2023-01-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116581054A | 公開(公告)日: | 2023-08-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 門部雅人;似鳥弘彌;佐藤薰;鄉(xiāng)右近清彥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 呂琳;樸秀玉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,包括:
運(yùn)入運(yùn)出部,其具有供容納有基板的容器被運(yùn)入運(yùn)出的第一側(cè)面、以及與上述第一側(cè)面相反側(cè)的第二側(cè)面;
基板輸送部,其沿與上述第二側(cè)面正交的第一水平方向延伸;以及
多個(gè)批量處理部,其沿上述基板輸送部的長(zhǎng)度方向相鄰,
上述多個(gè)批量處理部分別具有:
處理容器,其容納多個(gè)上述基板而進(jìn)行處理;
氣體供給單元,其向上述處理容器內(nèi)供給氣體;以及
排氣單元,其對(duì)上述處理容器內(nèi)的氣體進(jìn)行排氣,
在上述排氣單元的上方,設(shè)置用于進(jìn)行上述多個(gè)批量處理部的維護(hù)的第一維護(hù)區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其中,
在上述基板輸送部的上方,設(shè)置用于進(jìn)行上述多個(gè)批量處理部的維護(hù)的第二維護(hù)區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其中,
上述排氣單元的上表面為與上述基板輸送部的上表面相同高度,
該基板處理裝置在與上述第一水平方向正交的第二水平方向中與另一基板處理裝置相鄰配置,
上述另一基板處理裝置具有與該基板處理裝置相同的構(gòu)成,
通過(guò)該基板處理裝置的上述第一維護(hù)區(qū)域和上述另一基板處理裝置的上述第二維護(hù)區(qū)域,形成共用的維護(hù)區(qū)域,或者通過(guò)該基板處理裝置的上述第二維護(hù)區(qū)域和上述另一基板處理裝置的上述第一維護(hù)區(qū)域,形成共用的維護(hù)區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置,其中,
具有柵欄,該柵欄安裝于上述排氣單元,并且延伸至比上述排氣單元的上表面靠上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的基板處理裝置,其中,
具有安裝于上述基板輸送部的腳手架,
上述第二維護(hù)區(qū)域設(shè)于上述基板輸送部以及上述腳手架的上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置,其中,
上述腳手架具有:
支承部件;
墊板,其被上述支承部件支承;以及
柵欄,其安裝于上述支承部件,并且位于比上述墊板靠上方。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置,其中,
上述多個(gè)批量處理部分別具有設(shè)于上述處理容器的周圍的加熱器,
上述共用的維護(hù)區(qū)域的上述第二水平方向中的長(zhǎng)度為上述加熱器能夠通過(guò)的長(zhǎng)度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置,其中,
上述多個(gè)批量處理部分別具有設(shè)于上述處理容器的周圍的加熱器,
上述基板輸送部的上表面的與上述第一水平方向正交的第二水平方向中的長(zhǎng)度和上述墊板的上述第二水平方向中的長(zhǎng)度的合計(jì)為上述加熱器能夠通過(guò)的長(zhǎng)度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





