[發明專利]電池硅片鍍膜方法

在審

• 申請號: 202310102360.1
• 申請日: 2023-02-10
• 公開（公告）號: CN116200722A
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 張鑫
• 申請（專利權）人: 天合光能科技（鹽城）有限公司
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;H01L31/18;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/52
• 代理公司: 上海隆天律師事務所 31282
• 代理人: 萬鐵占

本公開實施例中提供電池硅片鍍膜方法，通過將硅片置于PECVD設備的爐管中，并在硅片正面形成鈍化層，對爐管進行抽真空，并在爐管內通入硅烷、氨氣和笑氣，以在鈍化層上形成氮氧化硅膜，氮氧化硅膜作為減反射膜；其中，硅烷、氨氣和笑氣的流量比范圍為：1：(1.5?3)：(6?8)。在本公開實施例中，硅烷的化學式是SiHsubgt;4/subgt;，氨氣的化學式是NHsubgt;3/subgt;，笑氣的化學式是Nsubgt;2/subgt;O，基于如上各氣體流量范圍配比，在于降低NHsubgt;3/subgt;量，提升氮氧化硅SiONx膜的硅氮比，能夠改善電池硅片發紅或EL暗片的問題，提升太陽能電池片的光電轉換效率。

技術領域

本公開涉及光伏技術領域，尤其涉及電池硅片鍍膜方法。

背景技術

隨著晶硅太陽能電池技術不斷發展，商業化常規晶硅太陽能電池的量產轉換效率不斷提高，以降低生產成本。減反射薄膜作為一種降低太陽能電池表面對光的反射損失，提高電池轉換效率的重要技術手段，一直以來都是研究的熱點。

發明內容

鑒于以上相關技術的缺點，本公開的目的在于提供電池硅片鍍膜方法，以解決相關技術太陽能電池硅片發紅及EL暗片的技術問題。

本公開第一方面提供一種電池硅片鍍膜方法，其包括：

將硅片置于PECVD設備的爐管中，并在硅片正面形成鈍化層；

對爐管進行抽真空，并在爐管內通入硅烷、氨氣和笑氣，以在鈍化層上形成氮氧化硅膜，氮氧化硅膜作為減反射膜；

其中，硅烷、氨氣和笑氣的流量比范圍為：1：(1.5-3)：(6-8)。

在一些實施例中，硅烷、氨氣和笑氣的流量比為1：2.5：7.5。

在一些實施例中，硅烷的流量范圍為800～1500sccm，氨氣的流量范圍為2000～5000sccm，笑氣的流量范圍為6000～8500sccm，并通過輝光放電在180～220Pa的壓強范圍內形成氮氧化硅膜。

在一些實施例中，在硅片正面形成鈍化層，包括：

在硅片正面形成第一氧化硅膜，第一氧化硅膜作為鈍化層。

在一些實施例中，在硅片正面形成第一氧化硅膜，包括：

在爐管內通入硅烷和笑氣，硅烷的流量范圍是1200～2000sccm，笑氣的流量范圍是7000～8000sccm，并通過輝光放電在180～220Pa的壓強范圍內形成第一氧化硅膜。

在一些實施例中，電池硅片鍍膜方法還包括；

在爐管內通入硅烷、氨氣和笑氣之前，在鈍化層上形成氮化硅膜，氮化硅膜和位于氮化硅膜上的氮氧化硅膜的疊層結構共同構成減反射膜。

在一些實施例中，在鈍化層上形成氮化硅膜，包括：

在爐管內通入硅烷和氨氣，其中，硅烷的流量范圍是1000～2500sccm，氨氣的流量范圍是10000～13000sccm，以形成折射率遞減的氮化硅膜。

在一些實施例中，電池硅片鍍膜方法還包括：

在氮氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，氮化硅膜、氮氧化硅膜及第二氧化硅膜的疊層結構共同構成減反射膜。

在一些實施例中，在氮氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，包括：

在爐管內通入硅烷和笑氣，其中硅烷的流量范圍是400～800sccm，笑氣的流量范圍是10000～15000sccm，并通過輝光放電在180～220Pa的壓強范圍內形成第二氧化硅膜。

在一些實施例中，在硅片正面形成鈍化層之前，電池硅片鍍膜方法還包括：