[發(fā)明專利]電池硅片鍍膜方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310102360.1
• 申請日: 2023-02-10
• 公開（公告）號: CN116200722A
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 天合光能科技（鹽城）有限公司
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30;H01L31/18;C23C16/40;C23C16/50;C23C16/52
• 代理公司: 上海隆天律師事務(wù)所 31282
• 代理人: 萬鐵占

1.一種電池硅片鍍膜方法，其特征在于，包括：

將硅片置于PECVD設(shè)備的爐管中，并在所述硅片正面形成鈍化層；

對所述爐管進行抽真空，并在所述爐管內(nèi)通入硅烷、氨氣和笑氣，以在所述鈍化層上形成氮氧化硅膜，所述氮氧化硅膜作為減反射膜；

其中，所述硅烷、氨氣和笑氣的流量比范圍為：1：(1.5-3)：(6-8)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池硅片鍍膜方法，其特征在于，所述硅烷、氨氣和笑氣的流量比為1：2.5：7.5。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池硅片鍍膜方法，其特征在于，所述硅烷的流量范圍為800～1500sccm，所述氨氣的流量范圍為2000～5000sccm，所述笑氣的流量范圍為6000～8500sccm，并通過輝光放電在180～220Pa的壓強范圍內(nèi)形成所述氮氧化硅膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池硅片鍍膜方法，其特征在于，在所述硅片正面形成鈍化層，包括：

在所述硅片正面形成第一氧化硅膜，所述第一氧化硅膜作為所述鈍化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電池硅片鍍膜方法，其特征在于，在所述硅片正面形成第一氧化硅膜，包括：

在所述爐管內(nèi)通入硅烷和笑氣，所述硅烷的流量范圍是1200～2000sccm，所述笑氣的流量范圍是7000～8000sccm，并通過輝光放電在180～220Pa的壓強范圍內(nèi)形成所述第一氧化硅膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池硅片鍍膜方法，其特征在于，所述電池硅片鍍膜方法還包括；

在所述爐管內(nèi)通入硅烷、氨氣和笑氣之前，在所述鈍化層上形成氮化硅膜，所述氮化硅膜和位于所述氮化硅膜上的氮氧化硅膜的疊層結(jié)構(gòu)共同構(gòu)成所述減反射膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電池硅片鍍膜方法，其特征在于，所述在所述鈍化層上形成氮化硅膜，包括：

在所述爐管內(nèi)通入硅烷和氨氣，其中，所述硅烷的流量范圍是1000～2500sccm，所述氨氣的流量范圍是10000～13000sccm，以形成折射率遞減的所述氮化硅膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電池硅片鍍膜方法，其特征在于，所述電池硅片鍍膜方法還包括：

在所述氮氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，所述氮化硅膜、氮氧化硅膜及第二氧化硅膜的疊層結(jié)構(gòu)共同構(gòu)成所述減反射膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電池硅片鍍膜方法，其特征在于，在所述氮氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，包括：

在所述爐管內(nèi)通入硅烷和笑氣，其中所述硅烷的流量范圍是400～800sccm，所述笑氣的流量范圍是10000～15000sccm，并通過輝光放電在180～220Pa的壓強范圍內(nèi)形成所述第二氧化硅膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電池硅片鍍膜方法，其特征在于，在將硅片置于PECVD設(shè)備的爐管中之前，所述電池硅片鍍膜方法還包括：

在所述爐管內(nèi)進行空跑鍍膜，空跑次數(shù)范圍是25-35。