[發(fā)明專利]一種太陽能電池及其制作方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202310099528.8
• 申請(qǐng)日: 2023-01-31
• 公開（公告）號(hào): CN115966617A
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李瑞峰;胡銳;范汝晶;張寧;邱彥凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

本發(fā)明公開了一種太陽能電池及其制作方法，太陽能電池包括：硅基底；位于硅基底的第一表面且在遠(yuǎn)離硅基底的方向上依次設(shè)置的PN結(jié)、第一鈍化層、功能層、第二鈍化層、以及穿透PN結(jié)、第一鈍化層、功能層和第二鈍化層且與硅基底形成電連接的第一電極；其中，功能層包括多層功能子層，由第一鈍化層指向第二鈍化層的方向上，功能子層的折射率逐漸降低；位于硅基底的第二表面且在遠(yuǎn)離硅基底的方向上設(shè)置與硅基底形成電連接的第二電極。通過設(shè)置多層漸變折射率的功能子層，光經(jīng)過多次折射更加垂直地進(jìn)入硅基底，增加光吸收，提升載流子濃度，降低電池片表面載流子復(fù)合，增大電池正面短路電流、開路電壓，提高電池效率以及組件輸出功率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種太陽能電池及其制作方法。

背景技術(shù)

太陽能作為重要的可再生能源，近年來受到廣泛的關(guān)注并得到快速發(fā)展，太陽能電池組件通過吸收陽光，將太陽的光能直接變成用戶所需的電能輸出。

太陽能電池的生產(chǎn)過程中，基體硅片的成本占整個(gè)生產(chǎn)成本的比例最高，為降低生產(chǎn)成本，提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，硅片薄化是必然的趨勢(shì)，隨之產(chǎn)生的問題就是電池表面復(fù)合嚴(yán)重。在太陽能電池發(fā)電的過程中，電池片表面載流子復(fù)合嚴(yán)重，降低了表面載流子濃度，進(jìn)而使得電池短路電流、開路電壓降低，從而降低了發(fā)電效率。

因此，亟需提供一種能夠降低電池片表面載流子復(fù)合的太陽能電池及其制作方法。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種太陽能電池，包括：

硅基底；

位于所述硅基底的第一表面且在遠(yuǎn)離所述硅基底的方向上依次設(shè)置的PN結(jié)、第一鈍化層、功能層、第二鈍化層、以及穿透所述PN結(jié)、所述第一鈍化層、所述功能層和所述第二鈍化層且與所述硅基底形成電連接的第一電極；

其中，所述功能層包括多層功能子層，由所述第一鈍化層指向所述第二鈍化層的方向上，所述功能子層的折射率逐漸降低；

位于所述硅基底的第二表面且在遠(yuǎn)離所述硅基底的方向上設(shè)置與所述硅基底形成電連接的第二電極。

可選的，所述第一鈍化層、所述功能層和所述第二鈍化層的折射率逐層降低。

可選的，所述功能子層的數(shù)量為N，5≤N≤15。

可選的，每層所述功能子層的膜厚度在0.1nm至15nm之間。

可選的，所述第一鈍化層的折射率在2.0至2.5之間，所述功能層的折射率在1.94至2.48之間，所述第二鈍化層的折射率在1.8至2.25之間。

可選的，所述第一鈍化層的膜厚度在5nm至35nm之間，所述第二鈍化層的膜厚度在20nm至80nm之間。

可選的，所述第一鈍化層、所述功能層、所述第二鈍化層均為采用SiH₄、NH₃等離子體沉積形成的氮化硅層。

可選的，所述功能層包括10層功能子層，在遠(yuǎn)離所述硅基底的方向設(shè)有第一功能子層、第二功能子層、第三功能子層、第四功能子層、第五功能子層、第六功能子層、第七功能子層、第八功能子層、第九功能子層、第十功能子層。

可選的，在遠(yuǎn)離所述硅基底的方向上，所述多層功能子層的折射率逐層降低，所述第一功能子層的折射率在2.12至2.48之間，所述第二功能子層的折射率為2.10至2.46之間，所述第三功能子層的折射率為2.08至2.44之間，所述第四功能子層的折射率為2.06至2.42之間，所述第五功能子層的折射率為2.04至2.40之間，所述第六功能子層的折射率為2.02至2.38之間，所述第七功能子層的折射率為2.00至2.36之間，所述第八功能子層的折射率為1.98至2.34之間，所述第九功能子層的折射率為1.96至2.32之間，所述第十功能子層的折射率為1.94至2.30之間。