[發明專利]一種太陽能電池及其制作方法

在審

• 申請號: 202310099528.8
• 申請日: 2023-01-31
• 公開（公告）號: CN115966617A
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 李瑞峰;胡銳;范汝晶;張寧;邱彥凱
• 申請（專利權）人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

硅基底；

位于所述硅基底的第一表面且在遠離所述硅基底的方向上依次設置的PN結、第一鈍化層、功能層、第二鈍化層、以及穿透所述PN結、所述第一鈍化層、所述功能層和所述第二鈍化層且與所述硅基底形成電連接的第一電極；

其中，所述功能層包括多層功能子層，由所述第一鈍化層指向所述第二鈍化層的方向上，所述功能子層的折射率逐漸降低；

位于所述硅基底的第二表面且在遠離所述硅基底的方向上設置與所述硅基底形成電連接的第二電極。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鈍化層、所述功能層和所述第二鈍化層的折射率逐層降低。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述功能子層的數量為N，5≤N≤15。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，每層所述功能子層的膜厚度在0.1nm至15nm之間。

5.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鈍化層的折射率在2.0至2.5之間，所述功能層的折射率在1.94至2.48之間，所述第二鈍化層的折射率在1.8至2.25之間。

6.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鈍化層的膜厚度在5nm至35nm之間，所述第二鈍化層的膜厚度在20nm至80nm之間。

7.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述第一鈍化層、所述功能層、所述第二鈍化層均為采用SiH₄、NH₃等離子體沉積形成的氮化硅層。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，所述功能層包括10層功能子層，在遠離所述硅基底的方向設有第一功能子層、第二功能子層、第三功能子層、第四功能子層、第五功能子層、第六功能子層、第七功能子層、第八功能子層、第九功能子層、第十功能子層。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，在遠離所述硅基底的方向上，所述多層功能子層的折射率逐層降低，所述第一功能子層的折射率在2.12至2.48之間，所述第二功能子層的折射率為2.10至2.46之間，所述第三功能子層的折射率為2.08至2.44之間，所述第四功能子層的折射率為2.06至2.42之間，所述第五功能子層的折射率為2.04至2.40之間，所述第六功能子層的折射率為2.02至2.38之間，所述第七功能子層的折射率為2.00至2.36之間，所述第八功能子層的折射率為1.98至2.34之間，所述第九功能子層的折射率為1.96至2.32之間，所述第十功能子層的折射率為1.94至2.30之間。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供硅基體；在遠離所述硅基底的方向上，在硅基體第一表面沉積磷形成所述PN結；在所述PN結上設置所述第一鈍化層；在所述第一鈍化層上設置功能層；在所述功能層上設置第二鈍化層；設置穿透所述PN結、所述第一鈍化層、所述功能層和所述第二鈍化層且與所述硅基底形成電連接的第一電極；

在所述硅基底的第二表面且在遠離所述硅基底的方向上設置與所述硅基底形成電連接的第二電極，得到所述太陽能電池。