[發(fā)明專利]板級結構及通信設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310092558.6
• 申請日: 2020-12-31
• 公開（公告）號: CN116093031A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設計）人: 梁英
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/488
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 石朝清

1.一種板級結構，其特征在于，所述板級結構包括上層基板和下層基板及多個能夠支撐在所述上層基板和所述下層基板之間的支撐件；

所述上層基板和所述下層基板之間具有間隙，在所述上層基板的正投影所在的平面內，所述間隙包括一個或多個第一間隙區(qū)域和一個或多個第二間隙區(qū)域，所述第一間隙區(qū)域和所述第二間隙區(qū)域是間隔的，且所述第一間隙區(qū)域和所述第二間隙區(qū)域之間的間隔區(qū)域不包括所述第一間隙區(qū)域或所述第二間隙區(qū)域，所述第一間隙區(qū)域內的所述上層基板和所述下層基板之間的垂直距離小于或等于所述第二間隙區(qū)域內的所述上層基板和所述下層基板之間的垂直距離；所述第一間隙區(qū)域內的所述上層基板和所述下層基板之間的最大垂直距離小于所述第二間隙區(qū)域內的所述上層基板和所述下層基板之間的最小垂直距離；

多個所述支撐件間隔分布在所述第一間隙區(qū)域和/或所述第二間隙區(qū)域，其中，在所述第一間隙區(qū)域內，所述支撐件支撐在所述上層基板和所述下層基板之間；

在所述第二間隙區(qū)域內，所述支撐件兩端中的一端與上層基板和下層基板中的其中一個基板抵接，另一端與所述上層基板和下層基板中的另一個基板相隔離；或者，

在所述第二間隙區(qū)域內，所述支撐件的兩端分別與上層基板和下層基板抵接。

2.如權利要求1所述的板級結構，其特征在于，在所述第一間隙區(qū)域的數(shù)量大于或等于2時，每相鄰的兩個所述第一間隙區(qū)域之間具有一個所述第二間隙區(qū)域。

3.如權利要求1所述的板級結構，其特征在于，多個所述支撐件間隔分布在所述第一間隙區(qū)域和所述第二間隙區(qū)域，在所述第一間隙區(qū)域內，所述支撐件支撐在所述上層基板和所述下層基板之間；

在所述第二間隙區(qū)域內，所述支撐件兩端中的一端與上層基板和下層基板中的其中一個基板抵接，另一端與所述上層基板和下層基板中的另一個基板相隔離；或者，

在所述第二間隙區(qū)域內，所述支撐件的兩端分別與上層基板和下層基板抵接。

4.如權利要求3所述的板級結構，其特征在于，所述第一間隙區(qū)域內的所述支撐件的高度與所述第二間隙區(qū)域內的所述支撐件的高度不相等，所述支撐件的高度方向為垂直于所述下層基板的表面所在平面的方向；或者，

所述第一間隙區(qū)域內的所述支撐件的高度與所述第二間隙區(qū)域內的所述支撐件的高度相等，所述支撐件的高度方向為垂直于所述下層基板的表面所在平面的方向。

5.如權利要求1所述的板級結構，其特征在于，多個所述支撐件間隔分布在所述第一間隙區(qū)域，且支撐在所述上層基板和所述下層基板之間；

各所述支撐件的高度相同或不相同，所述支撐件的高度方向為垂直于所述下層基板的表面所在平面的方向。

6.如權利要求1所述的板級結構，其特征在于，所述支撐件沿其高度方向的截面形狀包括U形、矩形、弧形中一種或多種的組合，所述支撐件的高度方向為垂直于所述下層基板的表面所在平面的方向。

7.如權利要求1所述的板級結構，其特征在于，所述支撐件的類型包括電子元件或墊片，所述墊片的材質包括金屬、塑膠或陶瓷。

8.如權利要求1-7任一項所述的板級結構，其特征在于，所述板級結構還包括多個第一焊接結構和多個第二焊接結構，各所述第一焊接結構和各所述第二焊接結構均位于所述上層基板和所述下層基板之間，并導通所述上層基板和所述下層基板；

多個所述第一焊接結構間隔排布于所述第一間隙區(qū)域，多個所述第二焊接結構間隔排布于所述第二間隙區(qū)域。

9.如權利要求8所述的板級結構，其特征在于，所述第一焊接結構包括設于所述上層基板的第一焊球；

所述第一焊球包括焊球本體和助焊劑層，所述助焊劑層至少覆蓋部分所述焊球本體的外表面。

10.如權利要求9所述的板級結構，其特征在于，所述焊球本體采用焊錫制成；或者，

所述焊球本體包括核心層和包覆在所述核心層外表面的錫層，所述錫層的至少部分與所述助焊劑層連接，所述核心層的熔點高于所述錫層的熔點。