[發(fā)明專利]陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202310084323.2 | 申請(qǐng)日: | 2023-01-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN116093117A | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 寧策;胡合合;袁廣才;賀家煜;劉鳳娟;王東方;李正亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/135;G02F1/1347;G02F1/1345;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1333 |
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| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 液晶顯示 面板 顯示裝置 | ||
本公開關(guān)于一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置,涉及顯示領(lǐng)域。陣列基板包括顯示區(qū)和顯示區(qū)外的外圍區(qū);外圍區(qū)包括感光區(qū);陣列基板包括襯底和設(shè)于襯底一側(cè)的多個(gè)晶體管,晶體管包括位于顯示區(qū)的開關(guān)晶體管和位于感光區(qū)的感光晶體管;感光晶體管為底柵結(jié)構(gòu),開關(guān)晶體管為頂柵結(jié)構(gòu)。開關(guān)晶體管的有源層為開關(guān)有源層,感光晶體管的有源層為感光有源層;開關(guān)有源層與感光有源層同層設(shè)置。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置。
背景技術(shù)
目前,液晶顯示面板已經(jīng)廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、電視等電子設(shè)備中。現(xiàn)有液晶顯示面板的發(fā)光亮度難以調(diào)節(jié),且在環(huán)境光發(fā)生變化時(shí),用戶難以獲得最佳的觀看效果。
需要說(shuō)明的是,在上述背景技術(shù)部分公開的信息僅用于加強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解,因此可以包括不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置,可利用陣列基板本身實(shí)現(xiàn)環(huán)境光檢測(cè)。
根據(jù)本公開的一個(gè)方面,提供一種陣列基板,包括顯示區(qū)和所述顯示區(qū)外的外圍區(qū);所述外圍區(qū)包括感光區(qū);所述陣列基板包括襯底和設(shè)于所述襯底一側(cè)的多個(gè)晶體管,所述晶體管包括位于所述顯示區(qū)的開關(guān)晶體管和位于感光區(qū)的感光晶體管;所述感光晶體管為底柵結(jié)構(gòu),所述開關(guān)晶體管為頂柵結(jié)構(gòu);
所述開關(guān)晶體管的有源層為開關(guān)有源層,所述感光晶體管的有源層為感光有源層;所述開關(guān)有源層與所述感光有源層同層設(shè)置。
在本公開的一種示例性實(shí)施方式中,所述陣列基板包括:
第一導(dǎo)電層,設(shè)于所述襯底一側(cè),且包括遮光層LS和所述感光晶體管的柵極;
第一絕緣層,覆蓋所述第一導(dǎo)電層;
半導(dǎo)體層,設(shè)于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的表面,且包括所述開關(guān)有源層和所述感光有源層;所述開關(guān)有源層和所述感光有源層均包括第一端和第二端,所述開關(guān)有源層與所述遮光層LS交疊;
第二絕緣層,覆蓋所述半導(dǎo)體層;
第二導(dǎo)電層,設(shè)于所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的表面,且包括所述開關(guān)晶體管的柵極。
在本公開的一種示例性實(shí)施方式中,所述第一導(dǎo)電層還包括數(shù)據(jù)線;所述陣列基板還包括公共電極、像素電極、轉(zhuǎn)接部、第一極和第二極;
所述數(shù)據(jù)線通過(guò)所述轉(zhuǎn)接部與所述開關(guān)有源層的第一端連接,所述開關(guān)有源層的第二端與所述像素電極連接;所述第一極與所述感光有源層的第一端連接,所述第二極與所述感光有源層的第二端連接;
所述轉(zhuǎn)接部與所述第二導(dǎo)電層、所述公共電極和所述像素電極中的一個(gè)同層設(shè)置;
所述第一極與所述第二導(dǎo)電層、所述公共電極和所述像素電極中的一個(gè)同層設(shè)置;所述第二極與所述第二導(dǎo)電層、所述公共電極和所述像素電極中的一個(gè)同層設(shè)置。
在本公開的一種示例性實(shí)施方式中,所述陣列基板還包括:
第一鈍化層,覆蓋所述第二導(dǎo)電層;
平坦層,覆蓋所述第一鈍化層;所述公共電極設(shè)于所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底的表面;
第二鈍化層,覆蓋所述公共電極;
所述像素電極設(shè)于所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述襯底的表面。
在本公開的一種示例性實(shí)施方式中,所述陣列基板還包括:
第一鈍化層,覆蓋所述第二導(dǎo)電層;所述公共電極設(shè)于所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述襯底的表面;
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





