[發(fā)明專利]陣列基板、液晶顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202310084323.2 | 申請日: | 2023-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN116093117A | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 寧策;胡合合;袁廣才;賀家煜;劉鳳娟;王東方;李正亮 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/135;G02F1/1347;G02F1/1345;G02F1/1343;G02F1/1368;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438 | 代理人: | 張旭慶 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 液晶顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括顯示區(qū)和所述顯示區(qū)外的外圍區(qū);所述外圍區(qū)包括感光區(qū);所述陣列基板包括襯底和設(shè)于所述襯底一側(cè)的多個晶體管,所述晶體管包括位于所述顯示區(qū)的開關(guān)晶體管和位于感光區(qū)的感光晶體管;所述感光晶體管為底柵結(jié)構(gòu),所述開關(guān)晶體管為頂柵結(jié)構(gòu);
所述開關(guān)晶體管的有源層為開關(guān)有源層,所述感光晶體管的有源層為感光有源層;所述開關(guān)有源層與所述感光有源層同層設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括:
第一導(dǎo)電層,設(shè)于所述襯底一側(cè),且包括遮光層LS和所述感光晶體管的柵極;
第一絕緣層,覆蓋所述第一導(dǎo)電層;
半導(dǎo)體層,設(shè)于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的表面,且包括所述開關(guān)有源層和所述感光有源層;所述開關(guān)有源層和所述感光有源層均包括第一端和第二端,所述開關(guān)有源層與所述遮光層LS交疊;
第二絕緣層,覆蓋所述半導(dǎo)體層;
第二導(dǎo)電層,設(shè)于所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的表面,且包括所述開關(guān)晶體管的柵極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一導(dǎo)電層還包括數(shù)據(jù)線;所述陣列基板還包括公共電極、像素電極、轉(zhuǎn)接部、第一極和第二極;
所述數(shù)據(jù)線通過所述轉(zhuǎn)接部與所述開關(guān)有源層的第一端連接,所述開關(guān)有源層的第二端與所述像素電極連接;所述第一極與所述感光有源層的第一端連接,所述第二極與所述感光有源層的第二端連接;
所述轉(zhuǎn)接部與所述第二導(dǎo)電層、所述公共電極和所述像素電極中的一個同層設(shè)置;
所述第一極與所述第二導(dǎo)電層、所述公共電極和所述像素電極中的一個同層設(shè)置;所述第二極與所述第二導(dǎo)電層、所述公共電極和所述像素電極中的一個同層設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
第一鈍化層,覆蓋所述第二導(dǎo)電層;
平坦層,覆蓋所述第一鈍化層;所述公共電極設(shè)于所述平坦層遠(yuǎn)離所述襯底的表面;
第二鈍化層,覆蓋所述公共電極;
所述像素電極設(shè)于所述第二鈍化層遠(yuǎn)離所述襯底的表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
第一鈍化層,覆蓋所述第二導(dǎo)電層;所述公共電極設(shè)于所述第一鈍化層遠(yuǎn)離所述襯底的表面;
所述像素電極設(shè)于所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的表面,所述開關(guān)有源層的第二端至少部分設(shè)于所述像素電極遠(yuǎn)離所述襯底的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述轉(zhuǎn)接部、所述第一極、所述第二極與所述第二導(dǎo)電層同層設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述轉(zhuǎn)接部與所述第二導(dǎo)電層同層設(shè)置,所述第一極、所述第二極與所述像素電極同層設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述轉(zhuǎn)接部、所述第一極、所述第二極與所述公共電極同層設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板中設(shè)有由所述第二絕緣層延伸至所述第一絕緣層的過孔,所述過孔包括沿垂直于所述襯底的方向貫通的第一孔段和第二孔段,所述第一孔段位于所述第二絕緣層,所述第二孔段位于所述第一絕緣層;所述第一孔段露出所述開關(guān)有源層的第一端;所述第二孔段露出所述數(shù)據(jù)線;
所述轉(zhuǎn)接部經(jīng)所述第一孔段延伸至所述第二孔段內(nèi),且同時與所述開關(guān)有源層的第一端和所述數(shù)據(jù)線接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板中設(shè)有由所述第一鈍化層延伸至所述第一絕緣層的過孔,所述過孔包括沿垂直于所述襯底的方向貫通的第一孔段和第二孔段,所述第一孔段位于所述第一鈍化層和所述第二絕緣層,所述第二孔段位于所述第一絕緣層;所述第一孔段露出所述開關(guān)有源層的第一端;所述第二孔段露出所述數(shù)據(jù)線;
所述轉(zhuǎn)接部經(jīng)所述第一孔段延伸至所述第二孔段內(nèi),且同時與所述開關(guān)有源層的第一端和所述數(shù)據(jù)線接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





