[發(fā)明專利]多站沉積系統(tǒng)中膜厚度匹配的可變循環(huán)和時間RF激活方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310082773.8
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN116083880A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊時塔克·卡里姆;趙基永;阿德里安·拉瓦伊;杰斯溫德爾·朱利安尼;普魯肖坦·庫馬爾;錢俊
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

本發(fā)明涉及多站沉積系統(tǒng)中膜厚度匹配的可變循環(huán)和時間RF激活方法。提供了在多站沉積裝置的分開的站中同時處理的至少兩個襯底上沉積大致相等厚度的材料的方法和裝置。

本申請是申請?zhí)枮?01710291562.X、申請日為2017年4月28日、發(fā)明名稱為“多站沉積系統(tǒng)中膜厚度匹配的可變循環(huán)和時間RF激活方法”的發(fā)明專利申請的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于半導體處理的裝置和方法，更具體地涉及多站沉積系統(tǒng)中膜厚度匹配的可變循環(huán)和時間RF激活方法。

背景技術(shù)

一些半導體制造工藝將一層或多層材料沉積在半導體襯底或晶片上。集成電路制造商和設(shè)備設(shè)計人員采用各種工藝和設(shè)備結(jié)構(gòu)來生產(chǎn)質(zhì)量均勻且生產(chǎn)量高的集成電路。諸如化學氣相沉積室之類的材料沉積系統(tǒng)以不同的模式操作，一些模式強調(diào)高生產(chǎn)量，而其他模式強調(diào)均勻性。限定優(yōu)化生產(chǎn)量和均勻性的操作模式仍然是一個挑戰(zhàn)。

發(fā)明內(nèi)容

在一個實施方式中，提供了一種在多站沉積裝置的分開的站中同時處理的至少兩個襯底上沉積大致相等厚度的材料的方法。所述方法可以包括：(a)在所述沉積裝置的第一站中提供第一襯底，并在所述沉積裝置的第二站中提供第二襯底；(b)將所述材料同時沉積在所述第一站中的所述第一襯底上以及所述第二站中的所述第二襯底上，其中所述第一站和所述第二站中的沉積條件基本上相同，但還是在所述第一站中的所述第一襯底上產(chǎn)生比在所述第二站中的所述第二襯底上厚的所述材料層；(c)調(diào)節(jié)所述第一站中的所述沉積條件以減緩或停止在所述第一襯底上沉積所述材料，同時在(b)中的所述條件下繼續(xù)在所述第二站的所述第二襯底上沉積所述材料；以及(d)完成在所述第一站中的所述第一襯底上以及所述第二站中的所述第二襯底上的沉積，使得沉積在所述第一襯底上和沉積在所述第二襯底上的所述材料的總厚度基本相等。

在一個這樣的實施方式中，所述沉積條件可以包括將所述第一襯底和所述第二襯底暴露于所述材料的前體。

在另外的這樣的實施方式中，調(diào)節(jié)所述沉積條件可以包括減少或停止所述前體朝向所述第一站的流動。

在另一個實施方式中，所述沉積條件可以包括將所述第一襯底和所述第二襯底暴露于等離子體。

在另外的這樣的實施方式中，調(diào)節(jié)所述沉積條件可以包括減少或停止所述第一襯底暴露于所述等離子體。

在一些實施方式中，在(b)和(c)期間，第一晶片可以不離開所述第一站，

在一個這樣的實施方式中，(b)可以包括以下步驟的循環(huán)重復：(i)前體投配以在所述第一襯底和所述第二襯底上吸收前體，和(ii)將所述第一襯底和所述第二襯底暴露于等離子體以引起所述前體反應(yīng)以形成所述材料。

在另外的這樣的實施方式中，(c)可以包括在所述第一站中停止所述前體投配和/或所述等離子體暴露，從而減少在所述循環(huán)重復期間沉積的所述材料的厚度，同時在(b)中的所述條件下在所述第二站中的所述第二襯底上繼續(xù)執(zhí)行所述循環(huán)重復。

在其他另外的這樣的實施方式中，(c)可以包括調(diào)節(jié)在所述第一站中的所述等離子體的持續(xù)時間或功率，從而減少在所述循環(huán)重復期間沉積的所述材料的厚度，同時在(b)中的所述條件下在所述第二站中的所述第二襯底上繼續(xù)執(zhí)行所述循環(huán)重復。

在另一個實施方式中，所述方法還可以包括：在(b)之前或在(b)期間分析關(guān)于所述第一站和所述第二站中的相對沉積速率的測量信息，以及使用所述測量信息來確定如何調(diào)節(jié)(c)中的所述沉積條件。

在另外的這樣的實施方式中，可以在(b)期間獲得所述測量信息。

在一些實施方式中，所述方法還可以包括在(b)之前或在(b)期間分析關(guān)于所述第一襯底和所述第二襯底的物理特性的測量信息，以及使用所述測量信息來確定如何調(diào)節(jié)(c)中的所述沉積條件。