[發(fā)明專利]多站沉積系統(tǒng)中膜厚度匹配的可變循環(huán)和時間RF激活方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202310082773.8
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN116083880A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設計）人: 伊時塔克·卡里姆;趙基永;阿德里安·拉瓦伊;杰斯溫德爾·朱利安尼;普魯肖坦·庫馬爾;錢俊
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 樊英如;張靜

1.一種在多站沉積裝置的分開的站中同時處理的至少兩個襯底上沉積材料的方法，所述方法包括：

(a)在所述沉積裝置的第一站中提供第一襯底，在所述沉積裝置的第二站中提供第二襯底；

(b)在所述第一站中的所述第一襯底上和在所述第二站中的第二襯底上同時沉積所述材料，其中，所述第一和第二站中的沉積條件(i)包括將所述第一襯底暴露于等離子體并且將所述第二襯底暴露于等離子體，并且(ii)基本上相同，但是還是在所述第一襯底上產生比在所述第二襯底上更厚的所述材料層；和

(c)在(b)中的沉積條件下在所述第二站中將所述材料沉積在所述第二襯底上，同時所述第一襯底在調整后的條件下在第一站中，其中在所述調整后的條件下，通過不將所述第一襯底暴露于等離子體來停止在所述第一襯底上的材料沉積，其中在(b)和(c)之后，沉積在所述第一襯底和所述第二襯底上的材料的總厚度基本相等。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中：

(b)中的所述沉積條件包括將所述第一襯底和所述第二襯底暴露于前體，以及

(c)中的所述調整后的條件包括將所述第一襯底暴露于所述前體。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中：

(b)中的所述沉積條件包括將所述第一襯底和所述第二襯底暴露于前體，以及

(c)中的所述調整后的條件不包括將所述第一襯底暴露于所述前體。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，進一步包括：

(d)在(b)之后，將所述第一站中的所述沉積條件調節(jié)到停止在所述第一襯底上沉積所述材料的所述調整后的條件。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，在(b)中的所述沉積條件下，在(c)中在所述第二襯底上沉積所述材料包括將所述第二襯底暴露于所述等離子體。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，(c)中的調整后的條件包括與(b)中的所述沉積條件下基本相同的氣體流到所述第一襯底上。

7.如權利要求1所述的方法，其中，(b)中的所述沉積條件包括以下步驟的循環(huán)重復：(i)前體投配以在所述第一襯底和所述第二襯底上吸收前體，和(ii)將所述第一襯底和所述第二襯底暴露于等離子體以引起所述前體反應以形成所述材料。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一襯底在(b)和(c)期間不從所述第一站移動。

9.一種用于在多站沉積裝置的分開的站中同時處理的至少兩個襯底上產生大致相等厚度的材料的半導體沉積方法，所述方法包括：

(a)在所述沉積裝置的第一站中提供第一襯底，在所述沉積裝置的第二站中提供第二襯底；

(b)執(zhí)行N1個沉積循環(huán)，其中所述N1個循環(huán)中的每一個包括(i)將所述第一站中的所述第一襯底和所述第二站中的所述第二襯底同時暴露于前體，以及(ii)通過將所述第一襯底暴露于等離子體，將所述第二襯底暴露于所述等離子體，在所述第一站中的所述第一襯底上和在所述第二站中的所述第二襯底上同時激活所述前體的反應，其中執(zhí)行所述N1個循環(huán)在所述第一襯底上產生材料的總沉積厚度T1，在所述第二襯底上產生材料的總沉積厚度T2A，并且其中T1大于T2A；和

(c)執(zhí)行N2個沉積循環(huán)，其中所述N2個循環(huán)中的每一個包括將所述第二站中的所述第二襯底暴露于所述前體，并在所述第二站激活所述第二襯底上的前體反應，同時所述第一襯底在調整后的條件下在第一站中，其中在所述調整后的條件下，通過不將所述第一襯底暴露于所述等離子體來停止在所述第一襯底上的材料沉積，其中，執(zhí)行所述N2個循環(huán)在所述第二襯底上產生所述材料的總沉積厚度T2B，而不在所述第一襯底上沉積材料，并且其中執(zhí)行所述N1和N2個循環(huán)在所述第二襯底上產生基本上等于T1的所述材料的總沉積厚度T2。

10.根據(jù)權利要求9所述的方法，還包括：

(d)在(b)之后，將所述第一站中的沉積條件調整為在所述N2個循環(huán)的每一個期間停止在所述第一襯底上沉積所述材料的所述調整后的條件。