[發明專利]裁切半導體晶片的方法

在審

• 申請號: 202310075436.6
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN115985850A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 湯友圣;張富程;黃震麟;陳文明;羅俊彥;劉國洲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/304
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳小瑛

提供一種裁切半導體晶片的方法。此方法包含裁切一半導體晶片，以形成一第一開口。此外，上述半導體晶片包含一切割膠帶與通過一芯片貼合薄膜貼合于上述切割膠帶的一基底，上述第一開口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含從上述第一開口切穿上述半導體晶片的上述基底與上述芯片貼合薄膜，以在上述第一開口之下形成一中間開口并在上述中間開口之下形成一第二開口，而將上述半導體晶片分割成二個芯片。此外，上述中間開口的側壁的斜率異于上述第一開口及上述第二開口的側壁的斜率。

本申請為分案申請，其母案申請的申請號為201711306922.5，申請日為2017年12月11日，發明名稱為“裁切半導體晶片的方法”。

技術領域

本發明是關于半導體制程技術，特別是關于裁切半導體晶片的方法及所制造的半導體芯片。

背景技術

半導體裝置被使用在多種電子應用領域中，例如個人電腦、移動電話、數碼相機及其他電子設備。半導體裝置通常通過在一半導體基底的上方沉積絕緣層或介電層、導體層及半導體層的材料及使用微影對上述各層圖形化的一連串的步驟而制造，以在其上形成電路元件及構件。

半導體工業通過持續縮減最小特征尺寸，持續改善各種電子構件(例如：晶體管、二極管、電阻器、電容器等等)的集積密度，而將更多構件整合于一特定面積。在某些應用中，這些較小的電子構件亦需要較小的封裝體，其占用的面積小于過去的封裝體。

成形(singulation)可在半導體制造的不同階段存在。在形成半導體裝置及互連結構之后，可將一半導體基底成形為多個個別的芯片。上述個別的芯片可被分別封裝于另一半導體基底而再被成形而形成一封裝芯片。在一般被稱為晶片級封裝的某些半導體制程中，在成形之前，先將具有所有的半導體裝置及互連結構的一半導體基底封裝于另一基底。因此，在半導體制造的過程中，可存在一或多次的成形。

盡管在執行一裁切制程的方法的方面，已有多種改善方案被發表，但是從任何方面看都未完全滿足需要。因此，需要提供改善裁切制程的解決方案，以增加半導體晶片的制造良率。

發明內容

本公開的一實施例是提供一種裁切半導體晶片的方法。此方法包含裁切一半導體晶片，以形成一第一開口。此外，上述半導體晶片包含一切割膠帶與通過一芯片貼合薄膜(die?attach?film；DAF)貼合于上述切割膠帶的一基底，上述第一開口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含從上述第一開口切穿上述半導體晶片的上述基底與上述芯片貼合薄膜，以在上述第一開口之下形成一中間開口并在上述中間開口之下形成一第二開口，而將上述半導體晶片分割成二個芯片。此外，上述中間開口的側壁的斜率異于上述第一開口及上述第二開口的側壁的斜率。

本公開的另一實施例是提供一種裁切半導體晶片的方法。上述方法包含在一半導體晶片形成一第一開口。此外，上述半導體晶片包含：一切割膠帶；一基底，通過一芯片貼合薄膜(die?attach?film；DAF)貼合于上述切割膠帶；及一材料層，形成于上述基底的上方。還有，上述第一開口是形成于上述基底的一上部。上述方法更包含在上述第一開口之下形成一中間開口并在上述中間開口之下形成一第二開口，而將上述半導體晶片分割成二個芯片。此外，上述第一開口的側壁與上述中間開口的側壁具有不同的斜率。

本公開的又另一實施例是提供一種半導體芯片。上述半導體芯片包含：一芯片貼合薄膜(die?attach?film；DAF)；一基底，具有一第一主要部分、一中間部分及在上述芯片貼合薄膜上的一第二主要部分；以及一材料層，形成在上述基底的一頂表面上。此外，上述中間部分的側壁的斜率異于上述第一主要部分及上述第二主要部分的側壁的斜率，且上述第一主要部分的高度小于上述第二主要部分的高度。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合所附附圖附圖完整公開。應注意的是，根據本產業的一般作業，圖示并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。

圖1顯示關于某些實施例的一半導體晶片的示意性的剖面圖。