[發明專利]裁切半導體晶片的方法

在審

• 申請號: 202310075436.6
• 申請日: 2017-12-11
• 公開（公告）號: CN115985850A
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 湯友圣;張富程;黃震麟;陳文明;羅俊彥;劉國洲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/304
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳小瑛

1.一種裁切半導體晶片的方法，包含：

以一第一切割刀裁切該半導體晶片，以形成一第一開口，其中該半導體晶片包含一切割膠帶與貼合于該切割膠帶的一基底，該第一開口是形成于該基底的一上部；

以一第二切割刀從該第一開口裁切該半導體晶片，以在該第一開口之下且在該基底的一中間部形成一第二開口，其中該第二開口的底部與該基底面對該切割膠帶的一后表面分離；以及

以一第三切割刀從該第二開口裁切該半導體晶片，以在該第二開口之下且穿過該基底的一下部形成一第三開口，而將該半導體晶片分成二個芯片，

其中該第一切割刀、該第二切割刀與該第三切割刀具有不同寬度。

2.如權利要求1所述的裁切半導體晶片的方法，其中該第二切割刀的寬度小于該第一切割刀的寬度。

3.如權利要求1所述的裁切半導體晶片的方法，其中該第三切割刀的寬度小于該第二切割刀的寬度。

4.如權利要求1所述的裁切半導體晶片的方法，其中該第二切割刀的寬度小于該第一切割刀的寬度，該第三切割刀的寬度小于該第二切割刀的寬度。

5.如權利要求1所述的裁切半導體晶片的方法，其中形成該第三開口時，該切割膠帶的一頂部亦被該第三切割刀裁切。

6.如權利要求5所述的裁切半導體晶片的方法，還包含：

從該基底移除該切割膠帶。

7.如權利要求1所述的裁切半導體晶片的方法，其中通過該第一切割刀從該基底的一前表面裁切該基底的一上部，形成該第一開口；

其中通過該第三切割刀切穿該基底的該下部，穿過該基底的該后表面，形成該第三開口，該后表面與該前表面為相反表面；以及

其中該第一開口、該第二開口與該第三開口沿著該基底的厚度方向依從該前表面至該后表面的順序排列。

8.如權利要求1所述的裁切半導體晶片的方法，還包含：

在形成該第一開口之前，在該基底的上方形成一材料層；以及

以一第四切割刀在該材料層形成一凹部，

其中該第一切割刀沿著該凹部移動而切穿該材料層與該基底的該上部，形成該第一開口。

9.如權利要求8所述的裁切半導體晶片的方法，其中該第一切割刀的寬度小于該第四切割刀的寬度。

10.一種裁切半導體晶片的方法，包含：

裁切一半導體晶片以形成一第一開口，其中該半導體晶片包含：

一切割膠帶；及

一基底，貼合于該切割膠帶，

其中通過一第一切割刀將該第一開口形成于該基底的一上部而在該半導體晶片具有一第一切割深度，且該第一切割深度小于該基底的厚度，該基底的厚度是從該基底的一前表面到該基底與該前表面相反的一后表面；

從該第一開口裁切該半導體晶片，以在該第一開口之下且在該基底的一中間部形成一第二開口，其中該第二開口的底部與該基底面對該切割膠帶的該后表面分離，其中通過一第二切割刀將該第二開口形成為在該半導體晶片具有一第二切割深度，該第二切割深度大于該第一切割深度且小于該基底的厚度；以及

從該第二開口裁切該半導體晶片，以在該第二開口之下且穿過該基底的一下部形成一第三開口，而將該半導體晶片分成二個芯片，其中通過一第三切割刀將該第三開口形成為在該半導體晶片具有一第三切割深度，該第三切割深度大于該基底的厚度，

其中該第一切割刀、該第二切割刀與該第三切割刀具有不同寬度。

11.如權利要求10所述的裁切半導體晶片的方法，其中該第三開口延伸至該切割膠帶中，該方法還包含：

從該基底移除該切割膠帶。

12.如權利要求10所述的裁切半導體晶片的方法，其中該第二切割刀的寬度小于該第一切割刀的寬度及/或該第三切割刀的寬度小于該第二切割刀的寬度。