[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202310075067.0
• 申請日: 2023-02-07
• 公開（公告）號: CN116096108A
• 公開（公告）日: 2023-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇維燕;初文靜;林金錫;林金漢
• 申請（專利權(quán)）人: 常州亞瑪頓股份有限公司
• 主分類號: H10K30/50
• 分類號: H10K30/50;H10K71/00;H10K71/10;H10K71/40
• 代理公司: 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32231
• 代理人: 馬曉敏

本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法；包括：S1、提供透明襯底；S2、在襯底上鍍透明導(dǎo)電層，對導(dǎo)電層進(jìn)行p1道劃線，形成p1凹槽通道；S3、在導(dǎo)電層上放一體式掩膜板，在導(dǎo)電層上鍍空穴傳輸層；一體式掩膜板包括A區(qū)和B區(qū)；S4、將空穴傳輸層退火/干燥，在其上鍍設(shè)鈣鈦礦吸收層；S5、將鈣鈦礦吸收層退火/干燥，在其上鍍設(shè)電子傳輸層；S6、將電子傳輸層退火/干燥，取下一體式掩膜板的A區(qū)，形成p2凹槽通道；S7、利用一體式掩膜板B區(qū),在電子傳輸層上形成電連接層和p3凹槽通道；S8、將電連接層退火/干燥，取下一體式掩膜板的B區(qū)，進(jìn)行p4道清邊處理，在電連接層的兩端引線形成電回路，鋪封裝材料，層壓，形成鈣鈦礦太陽能電池組件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法。

背景技術(shù)

近年來，第三代新型鈣鈦礦太陽電池因其高效、工藝簡單、低成本及理想的寬帶隙頂電池等優(yōu)異特點(diǎn)引起了行業(yè)投資者的廣泛關(guān)注。

目前，大面積鈣鈦礦太陽能電池組件在制作過程通過p1、p2、p3、p4四道激光劃線或者機(jī)械劃線工藝將其分成若干個(gè)串聯(lián)或者串并聯(lián)的鈣鈦礦子電池，從而制備出大面積鈣鈦礦組件。然而，激光劃線會對鈣鈦礦電池組件造成一定損傷，尤其是p2、p3工序?qū)︹}鈦礦光吸收層和各功能層的切割損傷，會造成鈣鈦礦電池效率的損失。另一方面，在堆疊結(jié)構(gòu)的頂層材料和底層材料上分別實(shí)現(xiàn)穿透刻劃和表面刻劃，發(fā)現(xiàn)表面材料劃線不完全會導(dǎo)致多個(gè)鈣鈦礦子的短路，從而降低了電池的轉(zhuǎn)換效率。同時(shí)，激光劃線工序多在空氣環(huán)境中進(jìn)行，空氣環(huán)境中存在的氧氣和水分會對鈣鈦礦吸收層的晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生相當(dāng)大的影響，從而降低了鈣鈦礦吸收層的穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，針對現(xiàn)有鈣鈦礦太陽電池制作過程中存在的不足，而開發(fā)了一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，解決了現(xiàn)有大面積鈣鈦礦電池制備中因激光劃線對鈣鈦礦光吸收層和各功能層的切割損傷影響電池效率的問題。

本發(fā)明是通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：

一種鈣鈦礦太陽電池組件的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

S1、提供透明襯底，將所述透明襯底清洗干凈，備用；

S2、在所述的透明襯底上鍍透明導(dǎo)電層，然后對所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行p1道劃線，形成若干p1凹槽通道；所述的p1凹槽通道將所述的透明導(dǎo)電層分隔成若干段；

S3、在所述的透明導(dǎo)電層上放置一體式掩膜板，然后真空鍍膜，在若干段所述的透明導(dǎo)電層上分別鍍設(shè)形成空穴傳輸層；其中：所述的一體式掩膜板包括A區(qū)和B區(qū)；

S4、將所述的空穴傳輸層退火/干燥后，利用真空鍍膜工藝在所述的空穴傳輸層上鍍設(shè)鈣鈦礦吸收層；

S5、將所述的鈣鈦礦吸收層退火/干燥后，在所述鈣鈦礦吸收層上鍍設(shè)電子傳輸層；

S6、將所述的電子傳輸層退火/干燥后，取下所述一體式掩膜板的A區(qū)，形成p2凹槽通道；

S7、利用所述一體式掩膜板的B區(qū),在所述的電子傳輸層上形成電連接層和用于子電池分隔的p3凹槽通道；

S8、將所述電連接層退火/干燥后，取下所述一體式掩膜板的B區(qū)，然后進(jìn)行p4道清邊處理，然后在所述電連接層的兩端引線形成電回路，然后鋪設(shè)封裝材料進(jìn)行層壓，形成子電池串聯(lián)的鈣鈦礦太陽能電池組件。

具體的，本發(fā)明制備的鈣鈦礦太陽電池組件是將若干鈣鈦礦電池設(shè)置在透明襯底上，通過激光劃線形成p1通道，通過分A、B區(qū)的一體式掩膜板形成p2和p3通道，A區(qū)對應(yīng)p2通道，B區(qū)對應(yīng)p3通道。

具體的，步驟S8中的p4道清邊處理采用激光或者機(jī)械進(jìn)行p4道清邊處理，此步驟的是為了清除導(dǎo)電層和鈣鈦礦層，進(jìn)行絕緣處理。